эссе. А. Н. Туполева институт радиоэлектроники и телекоммуникации кгту (ирэт) Кафедра радиоэлектронных и квантовых устройств (рэку) Методические указания

• Название: А. Н. Туполева институт радиоэлектроники и телекоммуникации кгту (ирэт) Кафедра радиоэлектронных и квантовых устройств (рэку) Методические указания
• Дата: 06.10.2021
• Размер: 0.65 Mb.
• Имя файла: 1_VChtrakt_RPdU_UBM_Raschet_struk_skh.docx
• Тип: Методические указания; #242357

Министерство образования и науки РФ

КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (КНИТУ-КАИ)

им. А.Н. ТУПОЛЕВА

Институт радиоэлектроники и телекоммуникации КГТУ (ИРЭТ)

Кафедра радиоэлектронных и квантовых устройств (РЭКУ)
Методические указания

ВЧ – тракт радиопередающего устройства

Расчёт структурной схемы
УБМ


Составил:

Ст. преп. каф. РЭКУ Гимадеева Л.А.


Казань 2015

Содержание

Введение 3

1.Обобщенная структурная схема 4

1.1. Функциональная схема ВЧ -- тракта РПдУ (рис.3) 7

1.1.1. Расчет оконечного каскада (ОК) 8

2.3.Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по схеме с общим эмиттером (УМ с ОЭ) 15

2.3.Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по схеме с общим эмиттером (УМ с ОЭ) 26

Список литературы 30

Введение

Основная задача проектирования радиопередающего устройства ( РПдУ) состоит в выборе наиболее эффективных решений с учётом государственных стандартов и современной элементной базы при реализации РПдУ в зависимости от назначения, условий эксплуатации, мощности в антенне, диапазона рабочих частот, вида модуляции, нестабильности рабочей частоты, уровня внеполосного излучения.

При курсовом проектировании РПдУ прежде, чем производить расчет каскадов, необходимо рассчитать структурную схему РПдУ.

В предлагаемых методических указаниях рассматривается многокаскадный ВЧ-тракт РПдУ на биполярных транзисторах .

Результатом расчета структурной схемы является:

а) тип активного элемента каждого каскада;

б) номинальная величина напряжения питания каждого каскада;

в) ориентировочные величины параметров каскадов:

коэффициент усиления по мощности - К_Р,

выходная мощность - Р_вых,

входная мощность - Р_вх,

коэффициент полезного действия - η;

г) количество каскадов.

1.Обобщенная структурная схема

Расчет радиопередающего устройства (РПдУ) ведется от конца к началу, т.е. от передающей антенны до возбудителя (автогенератора – АГ).

Как правило, при курсовом проектировании задаются следующие параметры:

1. 
   мощность в антенне Р_А,
   
2. 
   рабочая частота f_раб,
   
3. 
   относительная нестабильность частоты ,
   
4. 
   вид модуляции, коэффициент нелинейных искажений К_{ни ;}
   

диапазон модулирующих частот F_н ….. F_в

5. 
   параметры антенны Z_A = R_A + jX_A или сопротивление фидера ρ_ф,
   
6. 
   коэффициент фильтрации выходного каскада Ф.
   

Мощность возбудителя может быть:

_{- для трёхточечных схем АГ}

при относительной нестабильности

_{- для кварцевых АГ (1.1)}

при относительной нестабильности


На рис.1 представлена обобщенная структурная схема РПдУ.

Подключение модулятора зависит от вида модуляции и будет рассмотрено далее.



Рис. 1. Обобщенная структурная схема РПдУ

E_k1 <…< E_{K(k-1 )} <…< E_{K(k-1 )} < E_Kk – напряжение питания максимально в оконечном каскаде и снижается по мере продвижения к началу передатчика, равенство напряжений питания допускается при специальных требованиях.

К_р1 >…> К_Р(к-i) >…> К_Р(к-i) > K_Pk – при правильном расчёте передатчика коэффициент усиления по мощности максимален в начальных каскадах и минимален в оконечном.




–УМ (усилитель мощности);
ОК – оконечный каскад;

ПРОК – предоконечный каскад;

ПМК – промежуточный каскад;

УмнЧ – умножитель частоты;

В – возбудитель;

М – модулятор.
Модулятор (М) в зависимости от вида модуляции подключается или в конце ВЧ тракта – при АМ или ИМ, или в начале ВЧ тракта – при ЧМ.

При ОМ формирователь ОМ сигнала включается в начале ВЧ тракта, а усилители мощности ВЧ тракта работают в режиме усиления модулированных колебаний, т.е. с низким кпд.

ОК, ПРОК, ПМК, УмнЧ относятся к генераторам с внешним возбуждением (ГВВ) и любой из них включает в себя активный элемент и колебательную систему. В транзисторных радиопередатчиках чаще всего в качестве колебательных систем применяются П- , Г- , Т- образные фильтры, так как они удобны для согласования R_ЭКВКР и R_Н и имеют высокий коэффициент полезного действия , что является одним из основных требований при проектировании генераторов. R_ЭКВКР - это эквивалентное критическое сопротивление коллекторной нагрузки, соответствующее критическому энергетически выгодному режиму генератора , определяется при энергетическом расчёте усилителя мощности, R_Н- сопротивление нагрузки каскада, в ОК- это сопротивление фидера или антенны, в ПРОК, ПМК, УмнЧ-это входное сопротивление каскада, следующего после рассматриваемым.



Рис. 2. Обобщенная структурная схема ВЧ- тракта РПдУ

(В– возбудитель колебаний, УБМ- усилитель большой мощности, УСМ- усилитель средней мощности, УММ- усилитель малой мощности).


Исходя из заданной мощности в антенне Р_А , необходимо определить мощность, которую должен выдать выбранный транзистор с учетом потерь в фидере и колебательной системе

(1.2)
где

Р_ок – мощность на коллекторе оконечного каскада,

- кпд фидера,

для П-, Г-, Т- образных фильтров,

для контура.

Входная мощность оконечного каскада:

(1.3)

где К_р – коэффициент усиления по мощности
Мощность на коллекторе транзистора предоконечного каскада с учетом потерь в колебательной системе:

(1.4)

Аналогично производятся расчеты промежуточных каскадов и умножителя частоты (если он требуется) до тех пор, пока входная мощность первого промежуточного каскада не будет примерно равна выходной мощности автогенератора ф. (1.1):

(1.5)

1.1. Функциональная схема ВЧ -- тракта РПдУ (рис.3)

Расчет радиопередатчика ведется от конца к началу, т.е. от передающей антенны до возбудителя (автогенератора – АГ).



Рис.3. Функциональная схема ВЧ- тракта РПдУ.

1– возбудитель колебаний (АГ)

2, 3,4, 5 – усилители мощности.

1.1.1. Расчет оконечного каскада (ОК)

Исходные данные:

Мощность в антенне Р_А=28Вт

Рабочая частота f_раб=80МГц

Исходя из заданной мощности излучения в антенне в несущем режиме Р_А и с учетом потерь в фидере _  0,8…0,9 и потерь в колебательной системе _кс = 0,8…0,9, определяется требуемая мощность транзистора модулируемого каскада (в данном случае оконечного каскада) :



(1.27)

Где Р_ок – мощность на коллекторе оконечного каскада.

1.1.2. Выбор активного элемента

Транзистор оконечного каскада выбирается, исходя из требуемой мощности в максимальном режиме и заданной рабочей частоты f_раб.

Мощность, которую можно будет получить при выборе данного транзистора, будет примерно равна:

Р_вых≈(1…1,3)∙Р_{расс ,} (1.28)

где Р_расс - мощность рассеивания на коллекторе.

При f _раб → f_т – Р_вых ↓, К_р ↓, то режим устойчивый;

При f _раб → f_β – Р_вых ↑, К_р ↑, то режим неустойчивый.
Также получение большой мощности приводит к снижению надежности транзистора.

По мощности подходят транзистор 2Т….. (см. справочники).

Для максимального использования активного элемента биполярный транзистор применяется в области высоких частот и выбирается, исходя из заданной частоты /1/:
f_Т >f_раб> 3f_β
где f_β – частота, на которой коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ падает до уровня 0,707 от статического низкочастотного коэффициента усиления по току, приведенного в справочнике.

f_T – граничная частота приводится в справочнике, если f_T не указана, то ее можно определить по формуле :
= (1.29)

где |h_21э|_спр – модуль коэффициента усиления по току, измеренный на частоте f_спр.
Для транзистора 2Т…:


(1.30)




Используем =50(см. спр-к).
Или

Статический коэффициент по току

= (1.31)


Коэффициент усиления по току на рабочей частоте:

= (1.32)




Проверим справедливость неравенства:

f_Т >f_раб> 3f_β

Для 2Т… 360 ∙10⁶ >80 ∙10⁶> 3∙ 7.2∙ 10⁶

Условие выполняется, расчёт можно продолжать.



Рис.3. Зависимость коэффициента усиления по току от частоты.


Для проверки получения на выбранном транзисторе возможной мощности воспользуемся формулой через предельные допустимые параметры транзистора.

(1.33)

<sub>где

α1 - коэффициент Берга, при θ = 90◦ α1=0.5</sub>

– крутизна критического режима.
Рассчитаем r_нас по одной из формул в зависимости от приведённых параметров в справочнике:

Для 2Т…в справочнике ,
а) r_нас указано в справочнике

r_нас[Ом]=0.15Ом _(1.34а)


или
б) U_КЭнас, I_Кнас – напряжение и ток в режиме насыщения, указаны в справочнике

_(1.34б)



или

_в)

Если в справочнике приведена выходная характеристика, то сопротивление насыщения можно определить (см.рис.5б и П.2) по формуле:

(1.15в)






а) б)

Рис.5.

а) Входная, проходная б) выходная характеристики биполярного транзистора
где S_Б – крутизна входной характеристики касательная в рабочей точке I_Бмах,

E'_Б  Е',

E'_Б – напряжение отсечки базового тока,


Соответствуют выбранному режиму I_Кmах и I_Бmах =
Е' – напряжение отсечки коллекторного тока ( напряжение сдвига проходной характеристики ).

U_{КЭост кр} – остаточное напряжение К-Э,

U_БЭраб – напряжение Б-Э


или

_г)

Если в справочнике нет сведений о параметрах насыщения или выходной характеристики, но имеется выходная мощность, измеренная при напряжении U_КЭ, то сопротивление насыщения можно определить по формуле:

_(1.34г)

,
где Р_вых – выходная мощность, измеренная при U_КЭ.

Рассчитаем мощность ф. (1.33) при использовании транзистора 2Т…


Требуется 38.754 (см. ф.(1.27)).

Транзистор 2Т… подходит.
Поскольку запас по мощности большой, уточним режим работы транзистора:
Выбираем напряжение питания

Е_К – напряжение питания, выбирается из следующего выражения:

(1.35)

- максимально допустимое напряжение К-Э ( приводится в справочнике ).

В выражении (1.35) берется равенство, если требуется максимальная мощность с выбранного транзистора, и менее, если требуется меньшая мощность, а другие типы транзисторов не подходят, но и слишком маленькое напряжение питания задавать нельзя, так как существует остаточное напряжение и при малых напряжениях питания, транзистор не будет работать рис.10б.

(Е_К > U_КЭост; U_ВЫХ ≈ Е_К - U_КЭост ).

Подбирая E_к , I_Кmax

Допустим

зададим E_к=24В, I_Кmax=6,75А,

определим возможную мощность:





По заданию требуется Р_ОК=38.754Вт, т.е. транзистор 2Т… подходит.
2.2. Определим коэффициент усиления по мощности:
, (2.2)



где параметры со штрихом K'_P , f ', E'_K , P'₁ – параметры выбранного транзистора, приведенные в справочнике, (генератор может иметь коэффициент усиления K'_P на частоте f ' при питании E'_K , при этом на коллекторе данного транзистора можно получить мощность P'₁) ,

ƒ_раб – рабочая частота,

P₁ – требуемая мощность,

E_K – задаваемое напряжение питания.
При расчете Кр следует задавать режимы, близкие к справочным, большой запас по частоте может привести к неустойчивой работе генератора.

Напряжение питания должно выбираться:
(2.3)
где – максимально допустимое напряжение К-Э, приведенное в справочнике .

В выражении (2.3) берется равенство, если требуется максимальная мощность с выбранного транзистора, и менее, если требуется меньшая мощность, а другие типы транзисторов не подходят, но и слишком маленькое напряжение питания задавать нельзя, так как существует остаточное напряжение и при малых напряжениях питания, транзистор не будет работать рис.10б. .

Получение мощности P₁ > P'₁ приводит к снижению надежности транзистора. Целесообразно выбрать такой транзистор, у которого в результате расчета

ф. (2.2);
25…30 > K_P > 1,5
По формуле (2.2) коэффициент усиления по мощности можно определить для биполярных транзисторов, у которых приведены необходимые параметры в справочнике. К сожалению, такие параметры имеются только для мощных высокочастотных транзисторов. В таких случаях рассчитывают коэффициент усиления по мощности /3.4/ по следующей формуле:
(2.4)
где ƒ_max – максимальная частота усиления по мощности биполярного транзистора.

2.1.7.Максимальная частота усиления мощности f_max.

Поскольку при расчете ГВВ транзистор используется в области высоких частот, на параметры транзистора влияет его инерционность, т.е. на энергетические показатели ГВВ: выходная мощность, КПД, коэффициент усиления по мощности уменьшаются. Поэтому при определении f_maxнеобходимо учитывать инерционность транзистора и работу ГВВ в режиме с отсечкой коллекторного тока θ_ВЧ /4/:
(2.30)

(2.30а)

в общем случае определяется по формуле:

(2.31)

Далее производится расчет параметров выбранного транзистора

2.3.Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по схеме с общим эмиттером (УМ с ОЭ)

<sub>Определим параметры транзисторов:

2.3.1. Входное сопротивление рассчитывается по одной из следующих формул А,Б,В,Г,Д в зависимости от имеющихся в справочнике данных.

(2.1)

(2.2)

А. Если в справочнике имеется


2Т…:

Для данного тр-ра
Модуль входного сопротивления:

(2.3)</sub>

(2.3а)
_(2.4)

(2.4а)

Б. Если имеется входная характеристика, с её помощью определяем .

Известна высота импульса коллекторного тока:



_2Т…

Из ф.(1.16а,1.16б)

Определим соответствующую высоту импульса базового тока:

_{IБ max} = (2.6)

где по ф. (1.13)



<sub>Проверим

(см. справочник ,предельные экплуатационные данные)

(2.7)</sub>



Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.8) и (2.8а).

С_К – емкость коллекторного перехода приводится в справочнике.

_2Т912А:

С_К[пФ]=200 (2.14)


S_П – крутизна по эмиттерному переходу /5/:

_2Т912А:
(2.16)

(2.16а)

I_K1 – ток первой гармоники коллекторного тока

(2.17)

α₁(θ) – коэффициент разложения импульсов коллекторного тока в зависимости от угла отсечки θ, обычно для ГВВ задают режим θ_НЧ ( )

I_Kmax – высота импульса коллекторного тока, выбирается в зависимости от требуемой мощности, из пункта п.Б.,ф.(2.5).



t_П – температура перехода [^◦С] (см. справочник, предельные эксплуатационные данные) для выбранного транзистора t_П=160⁰С , если в справочнике не указана , то можно задаться ее величиной в зависимости от материала транзистора .

Таблица 5.

Транзистор	Кремниевый Si	Германиевый Ge
tП

2.3.2. Сопротивление эмиттера r_э рассчитывается по формуле:

(2.18)

(2.18а)
(2.19)

(2.19а)
Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.11).

2.3.3. L – индуктивность выводов, если нет данного параметра в справочнике, то

L (1…1,5) [ ] ∙ ℓ [мм], (2.21)

где ℓ – длина вывода, определяется из чертежа выбранного транзистора.

Или из справочника известно:

_2Т…:

L_Б =2.3 нГн

L_Э =2.1нГн


2.4. Входная мощность




Все параметры сведем в таблицу.

Ikmax, А	Eк, В	КР	Pок, Вт	Pвх, Вт
4.3	30.6	28.096	32.001	1.139

Итак, все параметры ОК каскада определены и отвечают требованиям устойчивой работы каскада, требуемой мощности, высокого КПД.

Расчет предоконечного каскада
Выходная мощность ПредОК с учётом потерь в КС:



Далее расчет параметров производится аналогично расчёту ОК.
Выбор активного элемента

Транзистор оконечного каскада выбирается, исходя из требуемой мощности в максимальном режиме и заданной рабочей частоты f_раб.

Мощность, которую можно будет получить при выборе данного транзистора, будет примерно равна:

Р_вых≈(1…1,3)∙Р_{расс ,} (1.28)

где Р_расс - мощность рассеивания на коллекторе.

При f _раб → f_т – Р_вых ↓, К_р ↓, то режим устойчивый;

При f _раб → f_β – Р_вых ↑, К_р ↑, то режим неустойчивый.
Также получение большой мощности приводит к снижению надежности транзистора.

По мощности подходят транзистор 2Т….. (см. справочники).

Для максимального использования активного элемента биполярный транзистор применяется в области высоких частот и выбирается, исходя из заданной частоты /1/:
f_Т >f_раб> 3f_β
где f_β – частота, на которой коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ падает до уровня 0,707 от статического низкочастотного коэффициента усиления по току, приведенного в справочнике.

f_T – граничная частота приводится в справочнике, если f_T не указана, то ее можно определить по формуле :
= (1.29)

где |h_21э|_спр – модуль коэффициента усиления по току, измеренный на частоте f_спр.
Для транзистора 2Т…:


(1.30)




Используем =50(см. спр-к).
Или

Статический коэффициент по току

= (1.31)


Коэффициент усиления по току на рабочей частоте:

= (1.32)




Проверим справедливость неравенства:

f_Т >f_раб> 3f_β

Для 2Т… 360 ∙10⁶ >80 ∙10⁶> 3∙ 7.2∙ 10⁶

Условие выполняется, расчёт можно продолжать.



Рис.3. Зависимость коэффициента усиления по току от частоты.


Для проверки получения на выбранном транзисторе возможной мощности воспользуемся формулой через предельные допустимые параметры транзистора.

(1.33)

<sub>где

α1 - коэффициент Берга, при θ = 90◦ α1=0.5</sub>

– крутизна критического режима.
Рассчитаем r_нас по одной из формул в зависимости от приведённых параметров в справочнике:

Для 2Т…в справочнике ,
а) r_нас указано в справочнике

r_нас[Ом]=0.15Ом _(1.34а)


или
б) U_КЭнас, I_Кнас – напряжение и ток в режиме насыщения, указаны в справочнике

_(1.34б)



или

_в)

Если в справочнике приведена выходная характеристика, то сопротивление насыщения можно определить (см.рис.5б и П.2) по формуле:

(1.15в)






а) б)

Рис.5.

а) Входная, проходная б) выходная характеристики биполярного транзистора
где S_Б – крутизна входной характеристики касательная в рабочей точке I_Бмах,

E'_Б  Е',

E'_Б – напряжение отсечки базового тока,


Соответствуют выбранному режиму I_Кmах и I_Бmах =
Е' – напряжение отсечки коллекторного тока ( напряжение сдвига проходной характеристики ).

U_{КЭост кр} – остаточное напряжение К-Э,

U_БЭраб – напряжение Б-Э


или

_г)

Если в справочнике нет сведений о параметрах насыщения или выходной характеристики, но имеется выходная мощность, измеренная при напряжении U_КЭ, то сопротивление насыщения можно определить по формуле:

_(1.34г)

,
где Р_вых – выходная мощность, измеренная при U_КЭ.

Рассчитаем мощность ф. (1.33) при использовании транзистора 2Т…


Требуется 38.754 (см. ф.(1.27)).

Транзистор 2Т… подходит.

Поскольку запас по мощности большой, уточним режим работы транзистора.
Выбираем напряжение питания

Е_К – напряжение питания, выбирается из следующего выражения:

(1.35)

- максимально допустимое напряжение К-Э ( приводится в справочнике ).

В выражении (1.35) берется равенство, если требуется максимальная мощность с выбранного транзистора, и менее, если требуется меньшая мощность, а другие типы транзисторов не подходят, но и слишком маленькое напряжение питания задавать нельзя, так как существует остаточное напряжение и при малых напряжениях питания, транзистор не будет работать рис.10б.

(Е_К > U_КЭост; U_ВЫХ ≈ Е_К - U_КЭост ).

Подбирая E_к , I_Кmax

Допустим

зададим E_к=24В, I_Кmax=6,75А,

определим возможную мощность:





По заданию требуется Р_ОК=38.754Вт, т.е. транзистор 2Т… подходит.
2.2. Определим коэффициент усиления по мощности:
, (2.2)



где параметры со штрихом K'_P , f ', E'_K , P'₁ – параметры выбранного транзистора, приведенные в справочнике, (генератор может иметь коэффициент усиления K'_P на частоте f ' при питании E'_K , при этом на коллекторе данного транзистора можно получить мощность P'₁) ,

ƒ_раб – рабочая частота,

P₁ – требуемая мощность,

E_K – задаваемое напряжение питания.
При расчете Кр следует задавать режимы, близкие к справочным, большой запас по частоте может привести к неустойчивой работе генератора.

Напряжение питания должно выбираться:
(2.3)
где – максимально допустимое напряжение К-Э, приведенное в справочнике .

В выражении (2.3) берется равенство, если требуется максимальная мощность с выбранного транзистора, и менее, если требуется меньшая мощность, а другие типы транзисторов не подходят, но и слишком маленькое напряжение питания задавать нельзя, так как существует остаточное напряжение и при малых напряжениях питания, транзистор не будет работать рис.10б. .

Получение мощности P₁ > P'₁ приводит к снижению надежности транзистора. Целесообразно выбрать такой транзистор, у которого в результате расчета

ф. (2.2);
25…30 > K_P > 1,5
По формуле (2.2) коэффициент усиления по мощности можно определить для биполярных транзисторов, у которых приведены необходимые параметры в справочнике. К сожалению, такие параметры имеются только для мощных высокочастотных транзисторов. В таких случаях рассчитывают коэффициент усиления по мощности /3.4/ по следующей формуле:
(2.4)
где ƒ_max – максимальная частота усиления по мощности биполярного транзистора.

2.1.7.Максимальная частота усиления мощности f_max.

Поскольку при расчете ГВВ транзистор используется в области высоких частот, на параметры транзистора влияет его инерционность, т.е. на энергетические показатели ГВВ: выходная мощность, КПД, коэффициент усиления по мощности уменьшаются. Поэтому при определении f_maxнеобходимо учитывать инерционность транзистора и работу ГВВ в режиме с отсечкой коллекторного тока θ_ВЧ /4/:
(2.30)

(2.30а)

в общем случае определяется по формуле:

(2.31)

Далее производится расчет параметров выбранного транзистора

2.3.Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по схеме с общим эмиттером (УМ с ОЭ)

<sub>Определим параметры транзисторов:

2.3.1. Входное сопротивление рассчитывается по одной из следующих формул А,Б,В,Г,Д в зависимости от имеющихся в справочнике данных.

(2.1)

(2.2)

А. Если в справочнике имеется


2Т…:

Для данного тр-ра
Модуль входного сопротивления:

(2.3)</sub>

(2.3а)
_(2.4)

(2.4а)

Б. Если имеется входная характеристика, с её помощью определяем .

Известна высота импульса коллекторного тока:



_2Т…

Из ф.(1.16а,1.16б)

Определим соответствующую высоту импульса базового тока:

_{IБ max} = (2.6)

где по ф. (1.13)



<sub>Проверим

(см. справочник ,предельные экплуатационные данные)

(2.7)</sub>



Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.8) и (2.8а).

С_К – емкость коллекторного перехода приводится в справочнике.

_2Т912А:

С_К[пФ]=200 (2.14)


S_П – крутизна по эмиттерному переходу /5/:

_2Т912А:
(2.16)

(2.16а)

I_K1 – ток первой гармоники коллекторного тока

(2.17)

α₁(θ) – коэффициент разложения импульсов коллекторного тока в зависимости от угла отсечки θ, обычно для ГВВ задают режим θ_НЧ ( )

I_Kmax – высота импульса коллекторного тока, выбирается в зависимости от требуемой мощности, из пункта п.Б.,ф.(2.5).



t_П – температура перехода [^◦С] (см. справочник, предельные эксплуатационные данные) для выбранного транзистора t_П=160⁰С , если в справочнике не указана , то можно задаться ее величиной в зависимости от материала транзистора .

Таблица 5.

Транзистор	Кремниевый Si	Германиевый Ge
tП

2.3.2. Сопротивление эмиттера r_э рассчитывается по формуле:

(2.18)

(2.18а)
(2.19)

(2.19а)
Модуль входного сопротивления рассчитывается по одной из формул (2.2,2.4,2.4а), где из ф.(2.11).

2.3.3. L – индуктивность выводов, если нет данного параметра в справочнике, то

L (1…1,5) [ ] ∙ ℓ [мм], (2.21)

где ℓ – длина вывода, определяется из чертежа выбранного транзистора.

Или из справочника известно:

_2Т…:

L_Б =2.3 нГн

L_Э =2.1нГн


2.4. Входная мощность




Все параметры сведем в таблицу.

Ikmax, А	Eк ,В	КР	PПредОК,Вт	PвхПредОК,Вт
4.3	30.6	28.096	32.001	1.139

Итак, все параметры ПредОК каскада определены и отвечают требованиям устойчивой работы каскада, требуемой мощности, высокого КПД.

Список литературы

1. 
   Радиопередающие устройства. /Под ред. В.В. Шахгильдяна; - М.: Радио и связь, 1996. – 560с
   
2. 
   Проектирование радиопередатчиков: Учеб. пособие для вузов / В.В. Шахгильдян, М.С. Шумилин, В.Б. Козырев и др. ; Под ред. В.В. Шахгильдяна. – М.: Радио и связь, 2000. – 656с.: ил.
   
3. 
   Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. - М.: Советское радио,1970.
   
4. 
   Ю. В. Корчагин. О выборе типа транзистора для высокочастотного усилителя мощности. // Сб. “Полупроводниковые приборы в технике электросвязи.” Вып. 13 / Под ред. Николаевского. – М.: Связь, 1974.
   
5. 
   Проектирование радиопередающих устройств СВЧ: Учеб. пособие для вузов. /Под ред. Г. М. Уткина. - М.: Сов. Радио, 1979, -320 с.
   
6. 
   Каганов В. И. Транзисторные радиопередатчики. - М.: Энергия, 1970. - 328 с.
   
7. 
   Судаков Ю.И. Амплитудная модуляция и автомодуляция транзисторных генераторов: М.: Энергия, 1969.- 3
   
8. 
   Радиопередающие устройства: Учебник для вузов. /Под ред. М.В. Благовещенского, Г.М. Уткина.
   
9. 
   Верзунов М. В. И др. Проектирование радиопередающих устройств малой и средней мощности М.: Энергия, 1967.- 376 с.: ил.
   
10. 
    Справочник по акустике. /Под ред. Сапожкова М.А.; - M.: Связь, 1979
    
11. 
    Ю.И. Козюренко. Звукозапись с микрофона. – М.: Радио и связь, 1988. – 112с.: ил. – (Массовая радио библиотека).
    
12. 
    Остапенко Г.С. Усилительные устройства: Учеб. пособие для вузов. – М.: Радио и связь, 1989. – 400с.: ил.
    
13. 
    Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник / Б.П. Кудряшов, Ю.В. Назаров, Б.В. Тарабрин, В.А. Ушибышев. – М.: Радио и связь, 1981. – 160с., ил. – (Массовая радиобиблиотека; вып. 1033).
    
14. 
    Шахмаев М.М. Системы радиосвязи с однополосной угловой модуляцией. – Казань: Фен, 2001. – 192с.
    
15. 
    Проектирование радиопередающих устройств. Под ред. А.П.Сиверса. Учебное пособие для вузов, М., 1976. Авторы: Клич С.М., Кривенко А.С., Носиков Г.Н. и др.
    

17.Ворона В.А. Радиопередающие устройства. Основы теории и расчёта:

Учебное пособие для ВУЗов. – М.: Горячая линия – Телеком, 2007 – 384с.:

ил.