Лабораторная работа 8. Лабораторная работа 8 Определение энергии активации полупроводника Цель работы
 Скачать 25 Kb.
|
|
Лабораторная работа №8 Определение энергии активации полупроводника Цель работы: Исследование температурной зависимости сопротивления и определение энергии активации собственного полупроводника. Приборы и принадлежности: Термометр цифровой контактный, исследуемый полупроводник, универсальный мост постоянного тока, нагреватель (электропечь). Основные определения: Дифракция света – это явление, возникающее при распространении света в среде с резко выраженными неоднородностями и выражающееся в огибании этих неоднородностей световыми волнами. Неоднородностями могут служить края непрозрачных экранов, узкие щели. Дифракция света наиболее ярко наблюдается при условии, когда размеры неоднородности сравнимы с длиной световой волны. Различают два случая дифракции света – дифракцию Френеля, или дифракцию в сходящихся лучах, и дифракцию Фраунгофера, или дифракцию в параллельных лучах. В первом случае на препятствие падает сферическая или плоская волна, а дифракционная картина наблюдается на экране, находящемся позади препятствия на конечном расстоянии от него. Во втором случае на препятствие падает плоская волна, а дифракционная картина наблюдается на экране, расположенном в фокальной плоскости собирающей линзы, установленной на пути прошедшего через препятствие света. При дифракции Френеля на экране получается «дифракционное изображении» препятствия, а при дифракции Фраунгофера – «дифракционное изображение» удаленного источника света. Вывод: В данной работе мы провели исследование температурной зависимости сопротивления и определения энергии активации собственного полупроводника. Мы наблюдали нагревание образца прибором и записывали показания термометра. Из показаний видно, что сопротивление с повышением температуры уменьшается. ПО средствам эксперимента мы выяснили, что исследуемым в установке образцом являлся кремний. И его энергия активации равна: Е=(0,41±0,08)эВ. При коэффициенте доверия alfa=0.8. Как видно на графике наибольшую погрешность в работу внесла среднеквадратичная суммарная погрешность энергии активации полупроводника S(E). |