Лабораторная работа Исследование диода. ЛР Исследование ДИОДа. Лабораторная работа
Скачать 318.5 Kb.
|
Лабораторная работа. Отчет из лабораторной работы должен содержать: электрические схемы, которые подлежат исследованию, с указанными параметрами радиоэлементов в соответствии с вариантом; данные, которые получены экспериментальным путем (вольт-амперные характеристики, таблицы и т.п.); расчетные величины; выводы по выполненной работе. Общая постановка задачиИзучить основы работы с программным комплексом EWB. Исследовать напряжение и ток разных типов диодов при прямом и обратном смещении p-n перехода. Построить и исследовать вольт-амперные характеристики (ВАХ) диода. Исследовать сопротивление диода при прямом и обратном смещении по вольт-амперной характеристике. 1. Исследование обычного диода В соответствии с вариантом изберите тип диода из таблицы 5. Для исследования прямой ветви ВАХ диода соберите схему в соответствии с рис.11. Включите схему. Последовательно установите значение напряжения источника питания Е1 и запишите значение напряжения Uпр и тока Iпр диода в таблицу 1.
Таблица 1 – Точки прямой ветви ВАХ диода
Для исследования обратной ветви ВАХ диода соберите схему в соответствии с рис.12. Включите схему. Последовательно установите значения напряжения источника питания Е1 (в диапазоне, который указан в таблице 5 для обратной ветви ВАХ) и запишите значение напряжения Uобр и тока Iобр диода в таблицу 2.
Таблица 2 – Точки для обратной ветви ВАХ диода (пример)
По данным из таблиц 2.1, 2.2 постройте графики и . 2. Исследование импульсного режима работы диода Соберите схему, которая приведена на рис.13. Задайте следующие параметры функционального генератора (форма импульсов – прямоугольные): Frequency – 5 МHz, Dutycycle – 50%, Amplitude – 5 В, Offset – 0 В. Настройки осциллографа: развертка – 0.05 мкс/д (Y/T), X position=0.20, Чувствительность по каналу А – 5 В/д (Y position=0.00), режим DC. Чувствительность по каналу В – 10мв/д (Y position=2.00), режим DC. Синхронизироваться в режиме EXT, задним фронтом импульса.
Включить режим моделирования на 20 секунд. Включить расширенный режим шкалы осциллографа. Уменьшая цену деления шкалы временной развертки осциллографа (возможно, до нескольких наносекунд), получить графики напряжения на диоде и тока через диод. Зарисовать графики, на которые показать измеренные значения tЗАД.Р, tРАСС, tВОССТ , UДпр так, как показано на рис. 14. Указанные действия повторить для диода Шоттки (диод Шоттки FQ из библиотеки int_shot).
3. Исследование стабилитрона В соответствии с вариантом, изберите тип стабилитрона из таблицы 6. Для исследования прямой ветви ВАХ стабилитрона соберите схему в соответствии с рис. 15. Включите схему. Последовательно установите значения напряжения источника питания Е1 для прямой ветви ВАХ стабилитрона (табл.3) и запишите значение напряжения Uпр и тока Iпр стабилитрона.
Таблица 3 – Точки прямой ветви ВАХ стабилитрона
Для исследования обратной ветви ВАХ стабилитрона соберите схему в соответствии с рис. 16. Включите схему. Последовательно установите значения напряжения источника питания Е1 в диапазоне, указанном в таблице 6 для обратной ветви ВАХ стабилитрона, запишите значение напряжения Uобр и тока Iобр стабилитрона в таблицу 4.
Таблица 4 – Обратная ветвь ВАХ стабилитрона (пример)
Определите по вольт-амперной характеристике стабилитрона напряжение стабилизации. Вычислите мощность , которая рассеивается на стабилитроне Pст=Uст∙ Iст при напряжении Uст. Таблица 5 – Типы диодов
Таблица 6 – Типы стабилитронов
|