Преобразовательные установки. Задания 1-3. Лекция Этапы развития преобразовательной техники Задание

• Название: Лекция Этапы развития преобразовательной техники Задание
• Анкор: Преобразовательные установки
• Дата: 10.10.2022
• Размер: 204.05 Kb.
• Имя файла: Задания 1-3.docx
• Тип: Лекция; #724790

Проверяемое задание 1 «Параметры полупроводниковых диодов»

Лекция 2. Этапы развития преобразовательной техники

Задание

Необходимо собрать и систематизировать справочную информацию по элементной базе полупроводниковых приборов. В данном задании обобщается информация о полупроводниковых диодах.

Номер варианта работы определяется с помощью табл. 1.

Таблица 1

Формирование варианта задания

№ варианта	Первая буква фамилии студента	Тип полупроводникового диода
1	А, М, Ш	2Д232-80
2	Б, Н, Щ	2Д251
3	В, О, Э	КД922
4	Г, П, Ю	ДЛ161-250
5	Д, Р, Я	КД2972
6	Е, С	Д171-400
7	Ё, Т	КД503
8	Ж, У	КД280
9	З, Ф	Д105-630
10	И, Й, Х	В500
11	К, Ц	КД2999
12	Л, Ч	КД409

1. 
   Расшифруйте буквенно-цифровое обозначение заданного типа полупроводникового диода и выберите одно из его наименований по справочным данным.
   
2. 
   Кратко опишите технические характеристики полупроводникового диода (структуру, область применения, техническое исполнение и модификации).
   
3. 
   Выпишите основные электрические параметры полупроводникового диода (средние и предельно допустимые электрические величины).
   
4. 
   Найдите (в справочнике) эскиз полупроводникового диода в масштабе с указанием размеров.
   
5. 
   Зарисуйте схему включения полупроводникового диода и кратко опишите принцип его работы.
   
6. 
   Укажите основные преимущества и недостатки применяемого полупроводникового диода.
   

2Д251

Тип полупроводникового прибора: Выпрямительный диод средней мощности 

Максимально допустимый средний прямой ток (Iпрсрmax)(Iпрсрmax), А:	10
при: Частота приложенного напряжения, кГц: Температура корпуса диода, °C:	200 100
Максимально допустимое импульсное повторяющееся обратное напряжение (Uобрипmax)(Uобрипmax), В*:	100
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение (Uобрmax)(Uобрmax), В*:	–
Максимально допустимый ток перегрузки (Iпргmax)(Iпргmax), А:	150
при: Длительность импульса тока (перегрузки) (tи(tпрг))(tи(tпрг)), мс: Температура, °C:	10 25
Максимальная рабочая частота (fmax)(fmax), кГц*:	–
Максимальная температура корпуса диода (Tкmax)(Tкmax), °C:	125
Постоянное (среднее) прямое напряжение (Uпр(Uпрср))(Uпр(Uпрср)), В:	1
при: Постоянный (средний) прямой ток диода (Iпр(Iпрср))(Iпр(Iпрср)), А: Температура, °C:	10 25
Время обратного восстановления (tвособр)(tвособр), мкс:	0,05
при: Импульсный прямой ток (Iпри)(Iпри), А: Импульсное обратное напряжение (Uобри)(Uобри), В Температура, °C:	1 – 25
Постоянный (средний) обратный ток (Iобр(Iобрср))(Iобр(Iобрср)), мА*:	0,05
Тепловое сопротивление переход-корпус (RΘп−к)(RΘп−к), °C/Вт*:	–

*	При T = 25 °C

Проверяемое задание 2 «Параметры полупроводниковых тиристоров»

Лекция 2. Этапы развития преобразовательной техники

Задание

Необходимо собрать и систематизировать справочную информацию по элементной базе полупроводниковых приборов. В данном задании обобщается информация о полупроводниковых тиристорах.

Номер варианта работы определяется с помощью табл. 2.

Таблица 2

Формирование варианта задания

№ варианта	Первая буква фамилии студента	Тип полупроводникового тиристора
1	А, М, Ш	Т222-25
2	Б, Н, Щ	КУ202
3	В, О, Э	Т353-1000
4	Г, П, Ю	КН102
5	Д, Р, Я	Т243-630
6	Е, С	ТС142-80
7	Ё, Т	2У201
8	Ж, У	Т261-160
9	З, Ф	ТБ243-400
10	И, Й, Х	ТО142-80
11	К, Ц	ТС161-200
12	Л, Ч	2Н102

1. 
   Расшифруйте буквенно-цифровое обозначение заданного типа полупроводникового тиристора (ГОСТ 10862-72 или ГОСТ 20859.1-89) и выберите одно из его наименований по справочным данным.
   
2. 
   Кратко опишите технические характеристики полупроводникового тиристора (структуру, область применения, техническое исполнение и модификации).
   
3. 
   Выпишите основные электрические параметры полупроводникового тиристора (средние и предельно допустимые электрические величины).
   
4. 
   Найдите (в справочнике) эскиз полупроводникового тиристора в масштабе с указанием размеров.
   
5. 
   Зарисуйте схему включения полупроводникового тиристора и кратко опишите принцип его работы.
   
6. 
   Укажите основные преимущества и недостатки применяемого полупроводникового тиристора.
   

Проверяемое задание 3 «Параметры силовых модульных сборок»

Лекция 2. Этапы развития преобразовательной техники

Задание

Необходимо собрать и систематизировать справочную информацию по элементной базе полупроводниковых приборов. В данном задании обобщается информация о силовых модульных сборках.

Номер варианта работы определяется с помощью табл. 3.

Таблица 3

Формирование варианта задания

№ варианта	Первая буква фамилии студента	Тип модульной сборки
1	А, М, Ш	МТОТО-160
2	Б, Н, Щ	МДД-250
3	В, О, Э	ТКД265-125
4	Г, П, Ю	МТТ4-100
5	Д, Р, Я	МТТ-500
6	Е, С	МДД-40
7	Ё, Т	МДТО4/3-80
8	Ж, У	MT3-650-16-A2
9	З, Ф	МТД-100
10	И, Й, Х	ТК235-63
11	К, Ц	МДТ-250
12	Л, Ч	МТО2-10

1. 
   Расшифруйте буквенно-цифровое обозначение заданного типа полупроводниковой модульной сборки и выберите один из его наименований по справочным данным.
   
2. 
   Кратко опишите технические характеристики модульной сборки (структуру, область применения, техническое исполнение и модификации).
   
3. 
   Выпишите основные электрические параметры модульной сборки (средние и предельно допустимые электрические величины).
   
4. 
   Найдите (в справочнике) эскиз модульной сборки в масштабе с указанием размеров.
   
5. 
   Зарисуйте внутреннюю схему модульной сборки и кратко опишите функциональные возможности силового модуля.