протокол фом. Транзисторные ключи

• Название: Транзисторные ключи
• Анкор: протокол фом
• Дата: 18.07.2022
• Размер: 261.45 Kb.
• Имя файла: fom_protokol_lr7 (2).docx
• Тип: Документы; #632910

МИНОБРНАУКИ РОССИИ федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Балтийский государственный технический университет «ВОЕНМЕХ» им. Д.Ф. Устинова» (БГТУ «ВОЕНМЕХ» им. Д.Ф. Устинова»)
Факультет	И		Информационные и управляющие системы
	шифр		наименование
Кафедра	И4		Радиоэлектронные системы управления
	шифр		наименование
Дисциплина	Физические основы микроэлектроники

Лабораторная работа №7

Вариант 17

«Транзисторные ключи»

ВЫПОЛНИЛА студентка

группы А102С Чистякова Н. Н.

Фамилия И.О.
ПРЕПОДАВАТЕЛЬ

Юев А.А.

Фамилия И.О.

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ

2022 г.

Цель работы: задать рабочую точку транзисторных каскадов для работы в ключевом режиме, исследовать логические схемы, построенные на биполярных транзисторах.

Основные сведения из теории:

Простейший ключ на биполярном транзисторе показан на рис. 1.



Рис. 1.

В статическом режиме (по постоянному току) ключ может быть закрыт (транзистор находится в режиме отсечки) либо открыт (транзистор находится в режиме насыщения). Ключ закрыт, когда напряжение на входе Uбэ меньше напряжения открытия транзистора.

Если на входе действует импульс напряжения такой величины, чтобы транзистор находился в режиме насыщения, то ток базы:



В режиме насыщения оба перехода смещены в прямом направлении и ток коллектора возрастает до наибольшего значения:


Для насыщения транзистора необходимо, чтобы ток базы стал больше минимального значения, при котором начинается насыщение транзистора:



Глубину насыщения транзистора характеризуют коэффициентом (степенью) насыщения, который определяет, во сколько раз реальный ток базы превосходит минимальное значение, при котором имеет место режим насыщения:



Обычно коэффициент насыщения выбирают от 1,5 до 3.
Вариант задания: 17, транзистор 2N2923, Iк нас=10 мА, Eпит=20 В, частота 4кГц, функция .
Выполнение работы:
1. Расчёт номиналов резисторов для задания ключевого режима транзистора по варианту из табл. 7.2.

1.1. Все проделанные расчёты.






1.2. Скриншот результатов моделирования схем на постоянном токе (без источника сигнала).



Рис 1.2.1.


Рис 1.2.2.
2. Исследование логических функций НЕ, ИЛИ_НЕ, И_НЕ, реализованных на биполярных транзисторах.

2.1. Скриншот схем 7.4 − 7.7. (рис. 2.1 – 2.4)



Рис 2.1.1.


Рис 2.1.2.


Рис 2.1.3.



Рис 2.1.4.

2.2. Заполненная таблица (таблица 2.1).

Таблица 2.1

V1	V2	(XSC1)	(XSC2)	(XSC3)
0	0	1	1	1
0	1	1	0	1
1	0	0	0	1
1	1	0	0	0

2.3. Скриншот экрана осциллографа XSC1 (рис. 2.3).



Рис. 2.3.
2.4. Скриншот экрана осциллографа XSC2 (рис. 2.4).



Рис. 2.4.
2.5. Скриншот экрана осциллографа XSC3 (рис. 2.5).



Рис. 2.5.

3. Исследование логических функций по варианту.

3.1. Скриншот схемы (рис. 3.1).



Рис. 3.1.
3.2. Заполненная таблица истинности (рис. 3.2).

V1	V2	(XSC1)
0	0	1
0	1	0
1	0	1
1	1	1

3.3. Скриншот экрана осциллографа (рис. 3.3).



Рис. 3.3.

Вывод
Мы задали рабочую точку транзисторных каскадов для работы в ключевом режиме, исследовали логические схемы НЕ, ИЛИ_НЕ, И_НЕ, построенные на биполярных транзисторах.