|
|
КР ФОЭТ. Учебнометодическое пособие для студентов специальности 136 04 02 Промышленная электроника
Физические основы электронной техники
Рабочая учебная программа,
методические указания и контрольные работы
Учебно-методическое пособие
для студентов специальности 1-36 04 02
«Промышленная электроника»
вечерней и заочной форм обучения
Минск 2010
Учреждение образования
«Белорусский государственный университет
информатики и радиоэлектроники»
УТВЕРЖДАЮ
Проректор по учебной работе БГУИР
______________ (Живицкая Е.Н.)
Регистрационный № УД-____/
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА
по дисциплине Физические основы электронной техники
для специальности 360402 «Промышленная электроника»
факультет компьютерных технологий
кафедра ИСиТ
курс - второй
семестр – третий
лекции - 6 часов
практических занятий - 4 часа
лабораторных занятий - 4 часа
самостоятельная работа - 106 часов
контрольная работа – 3 семестр
зачет – 3 семестр
всего - 116 часа
Минск 2010
Составитель программы:
А.П. Казанцев, кандидат технических наук, доцент кафедры Информационных систем и технологий Института информационных технологий Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники».
Рассмотрена и рекомендована к утверждению на заседании кафедры
_ Информационных систем и технологий _________
протокол № __ от _____ ____
Заведующий кафедрой (В.И. Пачинин)
Одобрена и рекомендована к утверждению Советом Института информационных технологий Учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»
протокол № __ от _____ ___
Председатель (В.Г. Назаренко)
СОГЛАСОВАНО
Начальник ОМОУП______________Ц.С.Шикова
ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ
Цель преподавания дисциплины.
Дисциплина «Физические основы электронной техники» обеспечивает изучение дисциплины: «Электронные приборы».
1.2. Задачи изучения дисциплины
В результате изучения дисциплины «Физические основы электронной техники» студенты должны:
знать:
- электрические характеристики полевых и биполярных транзисторов, туннельных параметрических , обращенных диодов и диодов Шоттки;
уметь характеризовать:
- причины, приводящие к уменьшению коэффициента усиления по току в мощных транзисторах;
- причины, вызывающие ограничения величин частоты отсечки мощных биполярных и МОП- транзисторов;
уметь анализировать:
- физические процессы, влияющие на выбор структуры кремниевых и арсенид-галлиевых транзисторов ВЧ и СВЧ диапазонов ;
- компромиссы в выборе предельных электрических параметров мощных НЧ и СВЧтранзисторов;
приобрести навыки:
- в расчете основных электрических параметров биполярных и полевых транзисторов;
в расчете основных электрических параметров СВЧ диодов
1.3. Перечень дисциплин, усвоение которых необходимо студентам для изучения данной дисциплины:
Название дисциплины
|
Разделы (темы)
| Высшая математика |
Дифференциальное и интегральное исчисление, комплексные числа, специальные функции
|
Физика
|
Электричество, электромагнетизм
|
СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
Название тем лекционных занятий, их содержание,
объем в часах.
Название темы
|
Содержание
|
Объем в часах
|
СУРС
|
Тема 1
Основы физики твердого тела
|
Энергетические зонные диаграммы. Собственные примесные полупроводники. Генерация и реко мбинация. Основные аналитические выражения физики полупроводников.
|
1
|
|
Тема 2
Электронно-дырочный переход
|
Типы электронно-дырочных p-n переходов. Инжекция и экстракция. Распределение и концентрация местных носителей в базе. Импульсные свойства. Пробой.
|
2
|
|
Тема 3
Омический контакт
|
Требование к омическому контакту. Параметры и энергетическая зонная диаграмма, контакты.
|
0,5 часа
|
|
Тема 4
Биполярные транзисторы
|
Общие сведения. Коэффициенты передачи тока эмиттера и базы. Статические параметры и ВАХ , частотно-импульсные свойства. Пробой транзистора
|
2
|
|
Тема 5
Полевые транзисторы
|
Идеализированные МДП структуры. МОП транзисторы. Пороговое напряжение и пути ее регулирования. Параметры. Частотные свойства.
|
2
|
|
Тема 6
Лавинный пробой p-n перехода и пути увеличения напряжения пробоя
|
Полевая обкладка. Эквипотенциальное кольцо. Резистивная полевая обкладка. Влияние геометрических размеров на величину напряжения лавинного пробоя диодов.
|
0,5 часа
|
|
Тема 7
Мощные биполярные и полевые транзисторы
|
Структура мощных биполярных и полевых транзисторов. Пути увеличения коэффициента усиления в мощных биполярных транзисторах. Эффект Кирка. Полевой транзистор как усилитель мощности.
|
1
|
|
Тема 8
СВЧ диоды
|
Туннельные, обращенные и параметрический диоды. Диоды на пролетных эффектах. Диоды Шоттки.
|
1
|
|
Тема 9
Мощные СВЧ биполярные и полевые транзисторы.
|
Физические эквивалентные схемы мощных СВЧ биполярных и полевых транзисторов. Пути увеличения мощности граничной частоты. Топология.
|
1
|
|
Тема 10
Полевые транзисторы с затвором Шоттки (ПТШ)
|
Принцип работы. Статические ВАХ, параметры. Модель идеализированного ПТШ. Эквивалетная схема. Частотные свойства.
|
1
|
|
Лабораторные занятия и их объем в часах
Название темы
|
Содержание
|
Объем в часах
|
1.Исследование электрических параметров биполярных транзисторов
|
Измерение коэффициента передачи тока эмиттера, выходной проводимости, сопротивления базы и обратных токов коллектора.
|
2
|
2.Исследование электрических параметров МОП транзисторов.
|
Измерение порогового напряжения, крутизны и коэффициента влияния подложки.
|
2
|
Лабораторные занятия и их объем в часах
Название темы
|
Содержание
|
Объем в часах
|
1. Электрические параметры биполярных транзисторов
|
Расчет коэффициента передачи тока эмиттера, выходной проводимости, сопротивления базы и обратных токов коллектора.
|
2
|
2. Электрические параметры МОП транзисторов.
|
Расчет порогового напряжения и крутизны ВАХ.
|
2
| |
|
|
Скачать 451.5 Kb.