Главная страница

силлабус по электронике. силл_электрон_рус. Факультет инжиниринга и информационных технологий кафедра информационных технологии


Скачать 0.54 Mb.
НазваниеФакультет инжиниринга и информационных технологий кафедра информационных технологии
Анкорсиллабус по электронике
Дата28.03.2022
Размер0.54 Mb.
Формат файлаdocx
Имя файласилл_электрон_рус.docx
ТипУчебно-методический комплекс
#421078
страница2 из 4
1   2   3   4


5.2 Содержание модулей дисциплины

Модуль 1. Вспомогательные, пассивные элементы электронных схем

МЕ-1 Устройство и разновидности резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов.

МЕ-2 Применение пассивных элементов, как вспомогательных элементов электроники.

Модуль 2. Полупроводниковые приборы - основные базовые элементы электронных схем.

МЕ-1. Основы физики полупроводников. Электропроводимоcть полупроводников. Теория р-n перехода. Основные и неосновные носители заряда. Движение свободных носителей. Способы управления проводимостью в полупроводниках. Перенос и рассеяние носителей в полупроводниках

МЕ-2. Математическое моделирование р-n перехода. Уравнения, статические и динамические характеристики. Высокочастотные свойства, барьерная емкость р-n перехода. Пробой р-n перехода. Барьер Шоттки.

МЕ-3. Диоды. Вольтамперные характеристики (ВАХ). Диоды. Вольтамперные характеристики (ВАХ), динамические свойства основные справочные параметры. Эквивалентная схема замещения диода. Диод под внешним напряжением.

МЕ-4. Стабилитрон. ВАХ, эквивалентная схема замещения стабилитрона, справочные параметры. Применение стабилитронов. Туннельный диод.

МЕ-5. Транзисторы. Теория работы и принцип действия биполярного транзистора и полевого транзистора. ВАХ биполярного и полевого транзистора. Четыре режима работы биполярного транзистора (отсечки, насыщение, активный и инверсный). Схемы замещения транзисторов. параметры мало сигнальной модели биполярного транзистора и их определение.

МЕ-6. Высокочастотные свойства биполярного транзистора и полевого транзистора. Работа транзистора в схеме. Температурная стабильность каскадов па

биполярном транзисторе.

МЕ-7. Тиристоры. Принцип действия, основные характеристики и параметры, области применения тиристоров.

Модуль 3. Основной элементный базис аналоговых и цифровых устройств.

МЕ-1. Усилители. Классификация усилителей. Принципы построение

усилителей.

МЕ-2. Усилители с общим эмиттером. Входное и выходное сопротивление

схемы с общим эмиттером.

МЕ-3. Усилители с общим коллектором. Усилители с общей базой

МЕ-4. Дифференциальные усилители. Принцип действия и технические характеристики ДУ на биполярных транзисторах.

МЕ-5. Операционный усилитель. Принцип построения, характеристики н

параметры ОУ. Инвертирующий и неинвертирующий усилители.

МЕ-6. Принцип действия и технические характеристики ДУ на полевых МОП-транзисторах. Источники и питания. Выпрямители и стабилизаторы Классификация

выпрямителей.


5.3 Содержание занятий и контрольных мероприятий

№ недели

№ модуля и модульной единицы дисциплины

№ и название лекционных/лабораторных/ практических/ семинарских/студийных занятий с указанием форм проведения занятия

Обучение

Вид контрольного мероприятия

Рейтинг (баллы)

Традиц

ионное очное

Смеша

нное

с исполь

зованием ДОТ

Учебные занятия в режиме

очном

очном

online

online

offline




Модуль 1. Вспомогательные, пассивные элементы электронных схем



1

Лекция № 1. Устройство и разновидности резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов. (Лекция – дискуссия).







1







Посещение/активность

2

Лабораторная работа № 1. Ознакомление с программой моделирования электронных цепей на ПЭВМ “Electronics Workbench”.




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

5



1

Лекция № 2. Применение пассивных элементов, как вспомогательных элементов электроники.







1







Посещение/активность

2

Лабораторная работа № 2.

Построение электрических цепей в Electronics Workbench

Измерение токов в ветвях цифровым миллиамперметром.




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

5




Модуль 2. Полупроводниковые приборы - основные базовые элементы электронных схем.



2

Лекция № 3. Основы физики полупроводников. Электропроводимоcть полупроводников. Теория р-n перехода. Основные и неосновные носители заряда. Движение свободных носителей. Способы управления проводимостью в полупроводниках. Перенос и рассеяние носителей в полупроводниках. (Лекция – дискуссия)







1







Посещение/активность

2

Лабораторная работа № 3.

Исследование характеристик биполярного транзистора, транзисторный ключ




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

5



2

Лекция № 4. Математическое моделирование р-n перехода. Уравнения, статические и динамические характеристики. Высокочастотные свойства, барьерная емкость р-n перехода. Пробой р-n перехода. Барьер Шоттки.

(Лекция – дискуссия)







1







Посещение/активность

2

Лабораторная работа №4.

Исследование входных и выходных характеристик биполярного транзистора




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

2



2

Лекция № 5. Диоды. Вольтамперные характеристики (ВАХ), динамические свойства основные справочные параметры. Эквивалентная схема замещения диода. Диод под внешним напряжением. (Лекция -конференция)







1







Посещение/активность

2

Лабораторная работа № 5. Исследование характеристик биполярного транзистора в ключевом режиме.




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

6



2

Лекция № 6. Стабилитрон. ВАХ, эквивалентная схема

замещения стабилитрона, справочные параметры. Применение стабилитронов

Туннельный диод. (Лекция -конференция)







1







Посещение/активность

2

Лабораторная работа №6. Изучение зависимостей между током, напряжением и мощностью в электрических цепях постоянного тока.




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

6



2

Лекция № 7.

Транзисторы. Теория работы и принцип действия биполярного

транзистора и полевого транзистора. ВАХ биполярного и полевою

транзистора. Четыре режима работы биполярного транзистора (отсечки,

насыщение, активный и инверсный). Схемы замещения транзисторов. параметры малосигнальной модели биполярного транзистора и их определение







1







Посещение/активность

2

Лабораторная работа №7. Снятие и анализ характеристик полупроводниковых диодов




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

6



2

Лекция № 8.Высокочастотные свойства биполярного транзистора и полевого транзистора

Работа транзистора в схеме. Температурная стабильность каскадов па

биполярном транзисторе. (Лекция – дискуссия)







1







Текущая аттестация. Тестирование

2

Лабораторная работа №8. Снятие и анализ вольт – амперной характеристики тиристора




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

6



3

Лекция № 9. Тиристор. Принцип действия, основные характеристики и параметры,

области применения тиристоров. (Проблемная лекция).







1







Посещение/активность

2

Лабораторная работа №9. Снятие и анализ характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

6




Модуль 3. Основной элементный базис аналоговых и цифровых устройств.



3

Лекция № 10. Усилители. Классификация усилителей. Принципы построение

усилителей.

(Лекция – дискуссия)







1







Посещение/активность

2

Лабораторная работа №10. Построения логических элементов.





2










Отчет о выполненных лабораторных работах

6



3

Лекция № 11. Усилители с общим эмиттером. Входное и выходное сопротивление

схемы с общим эмиттером. (Лекция – дискуссия)







2







Посещение/активность

2

Лабораторная работа №11. Расчет электрических цепей постоянного тока




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

6



3

Лекция № 12. Усилители с общим коллектором.

Усилители с общей базой. (Проблемная лекция)







1







Посещение/активность

2

Лабораторная работа №12. Расчет электрических цепей постоянного тока




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

7



3

Лекция № 13. Дифференциальные усилители. Принцип действия и технические характеристики ДУ на биполярных транзисторах. (Лекция – дискуссия).







1







Посещение/активность

2

Лабораторная работа №13.

Расчет неизвестных токов в ветвях, используя законы Кирхгофа.




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

7



3

Лекция №14. Операционный усилитель. Принцип построения, характеристики н

параметры ОУ. Инвертирующий и неинвертирующий усилители (Лекция – дискуссия).







1







Посещение/активность

2

Лабораторная работа №14. Определение токов во всех ветвях схемы методом контурных токов




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

7



3

Лекция № 15. Принцип действия и технические характеристики ДУ на полевых МОП-транзисторах.

Источники и питания. Выпрямители и стабилизаторы Классификация

выпрямителей.

(Лекция – дискуссия).







1







Текущая аттестация. Тестирование

2

Лабораторная работа №15. Расчет баланса мощностей устройства




2










Отчет о выполненных лабораторных работах

7







ВСЕГО:




30

15







0

140
1   2   3   4


написать администратору сайта