|
|
силлабус по электронике. силл_электрон_рус. Факультет инжиниринга и информационных технологий кафедра информационных технологии
6. Перечень основной и дополнительной учебной литературы, необходимой для освоения дисциплины
6.1 Основная литература
Нәдіров, Е. Ғ. Электротехника және электроника негіздері [текст]. - Алматы: Бастау, 2012. - 588 б. - ISBN 978-601-7275-52-5
Бёрд, Дж.Электр және электроника негіздері мен технологиясы [Текст/Электронный ресурс]: оқулық. 2-бөлім: Electrical and electronic principles and technology. - Алматы: ҚР ЖООҚ, 2014. - 524 с. - ISBN 978-601-7427-57-3. - ISBN 978-601-7427-24-5
Ермағанбетов, Қ. Электротехника және электроника негіздері [текст]: Оқулық. - Алматы: Дәуір, 2012. - 592 б. - ISBN 978-601-217-370-3
Крученецкий, В.З. Основы нанотехнологии в электронике [Текст/Электронный ресурс]: учебное пособие. - Алматы: АТУ, 2015. - 346 с. - ISBN 978-601-263-343-6
6.2 Дополнительная литература:
Хартов, В.Я. Микропроцессорные системы [текст]: учебное пособие. - 2-е изд., испр. и доп. - M.: Академия, 2014. - 368 с. - ISBN 978-5-4468-0440-5
Крученецкий, В.З. Основы нанотехнологии в электронике [Текст/Электронный ресурс] : учебное пособие / В. З. Крученецкий. - Алматы : АТУ, 2015. - 346 с. - ISBN 978-601-263-343-6
6.3 Перечень ресурсов информационно-телекоммуникационной сети "Интернет"
1. Ковшов, А.И. Основы нанотехнологии в технике [Текст/Электронный ресурс]: Учебное пособие. - М Академия, 2009. - 240 с. - (Высшее профессиональное образование). - ISBN 978-5-7695-4741-6/http://library.atu.kz/files/15442.pdf
2. Крученецкий, В.З.Основы нанотехнологии в электронике [Текст/Электронный ресурс] : учебное пособие. - Алматы : АТУ, 2015. - 346 с. - ISBN 978-601-263-343-6/http://library.atu.kz/files/40277.pdf
3. Бёрд, Дж. Электр және электроника негіздері мен технологиясы [Текст/Электронный ресурс]: оқулық. 2-бөлім: Electrical and electronic principles and technology. - Алматы: ҚР ЖООҚ, 2014. - 524 с. - ISBN 978-601-7427-57-3. - ISBN 978-601-7427-24-5http://library.atu.kz/files/41808.pdf
4. Крученецкий, В.З.Основы нанотехнологии в электронике [Текст/Электронный ресурс] : учебное пособие. - Алматы : АТУ, 2015. - 346 с. - ISBN 978-601-263-343-6/http://library.atu.kz/files/40277.pdf
7 Контроль и оценка результатов обучения по учебной дисциплине
Процедура проведения оценочных мероприятий имеет следующий вид:
1) текущий контроль
Посещаемость и успеваемость (текущий и рубежный контроль по модулям) обучающихся фиксируется в электронном журнале.
В конце семестра выводится общая итоговая оценка – рейтинг, который является накопительным показателем работы обучающегося в течение всего семестра. Периоды Р1 – на 8 неделе, Р2 – на 15 неделе семестра.
Посещение и работа на лекционных занятиях, работа на практических/лабораторных/студийных занятиях, выполнение и сдача работ, выполнение и сдача заданий СРО оценивается следующим образом:
Оцениваемая позиция
|
Недели
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
11
|
12
|
13
|
14
|
15
|
|
Оценка в баллах
|
Лекции (Посещаемость/ активность)
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
2
|
Практические (семинарские) занятия
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Лабораторные (студийные) занятия
|
5
|
5
|
5
|
5
|
6
|
6
|
6
|
6
|
6
|
6
|
6
|
7
|
7
|
7
|
7
|
Выполнение задания по СРО
|
2
|
2
|
2
|
8
|
2
|
2
|
10
|
2
|
3
|
3
|
3
|
4
|
4
|
10
|
3
|
Индивидуальное задание
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Курсовая работа
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Семестровая работа
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Максимальный балл за неделю
|
9
|
9
|
9
|
15
|
10
|
10
|
18
|
10
|
11
|
11
|
11
|
13
|
13
|
19
|
12
|
Рубежный контроль по модулю (РМ1,...РМn)
|
|
|
|
|
|
|
РМ1
10
|
|
|
РМ2
4
|
|
|
|
|
РМ2
6
|
Рейтинг
|
Р1 =100
|
Р2 =100
|
Рейтинг допуска (Р)
|
Р =(Р1+Р2)/2
|
Экзамен (Э)
|
100
|
Итоговая оценка (И)
|
ИО = Р × 0,6 + Э × 0,4
|
2) промежуточная аттестация (итоговый контроль)
Допуск к итоговому контролю не менее 50 баллов.
Экзамен, максимальный балл - 100 баллов.
Итоговая оценка по дисциплине включает оценки текущей успеваемости и итогового контроля (экзаменационной оценки): ИО = Р × 0,6 + Э × 0,4
8. Перечень вопросов для самостоятельного изучения
№ недели
|
№ модуля и модульной единицы
|
Перечень рассматриваемых вопросов для самостоятельного изучения
|
Количество часов
|
Вид контрольного мероприятия
|
Рейтинг (балл)
|
Модуль 1. Вспомогательные, пассивные элементы электронных схем
|
1
|
МЕ 1
|
Устройство и разновидности резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов.
|
4
|
Мультимедийная презентация
|
2
|
2
|
МЕ 2
|
Применение пассивных элементов, как вспомогательных элементов электроники.
|
4
|
Мультимедийная презентация
|
2
|
Модуль 2. Полупроводниковые приборы - основные базовые элементы электронных схем.
|
3
|
МЕ 1
|
Основы физики полупроводников. Электропроводимоcть полупроводников. Теория р-n перехода. Основные и неосновные носители заряда. Движение свободных носителей. Способы управления проводимостью в полупроводниках. Перенос и рассеяние носителей в полупроводниках
|
4
|
Мультимедийная презентация
|
2
|
4
|
МЕ 2
|
Математическое моделирование р-n перехода. Уравнения, статические и динамические характеристики. Высокочастотные свойства, барьерная емкость р-n перехода. Пробой р-n перехода. Барьер Шоттки.
|
12
|
Мультимедийная презентация
|
8
|
5
|
МЕ 3
|
Диоды. Вольтамперные характеристики (ВАХ), динамические свойства основные справочные параметры. Эквивалентная схема замещения диода. Диод под внешним напряжением.
|
5
|
Видео- доклад
|
2
|
6
|
МЕ 4
|
Стабилитрон. ВАХ, эквивалентная схема
замещения стабилитрона, справочные параметры. Применение стабилитронов
Туннельный диод.
|
5
|
Видео- доклад
|
2
|
7
|
МЕ 5
|
Транзисторы. Теория работы и принцип действия биполярного
транзистора и полевого транзистора. ВАХ биполярного и полевою
транзистора. Четыре режима работы биполярного транзистора (отсечки,
насыщение, активный и инверсный). Схемы замещения транзисторов. параметры малосигнальной модели биполярного транзистора и их определение
|
5
|
|
10
|
8
|
МЕ 6
|
Высокочастотные свойства биполярного транзистора и полевого транзистора
Работа транзистора в схеме. Температурная стабильность каскадов па
биполярном транзисторе.
|
11
|
Видео- доклад
|
2
|
9
|
МЕ 7
|
Тиристор. Принцип действия, основные характеристики и параметры,
области применения тиристоров.
|
4
|
Видео- доклад
|
3
|
Модуль 3. Основной элементный базис аналоговых и цифровых устройств.
|
10
|
МЕ 1
|
Усилители. Классификация усилителей. Принципы построение
усилителей.
|
4
|
Видео- доклад
|
3
|
11
|
МЕ 2
|
Усилители с общим эмиттером. Входное и выходное сопротивление
схемы с общим эмиттером.
|
5
|
Презентация с ЦОР
|
3
|
12
|
МЕ 3
|
Усилители с общим коллектором.
Усилители с общей базой.
|
5
|
Презентация с ЦОР
|
4
|
13
|
МЕ 4
|
Дифференциальные усилители. Принцип действия и технические характеристики ДУ на биполярных транзисторах.
|
5
|
Презентация с ЦОР
|
4
|
14
|
МЕ 5
|
Операционный усилитель. Принцип построения, характеристики н
параметры ОУ. Инвертирующий и неинвертирующий усилители.
|
12
|
Презентация с ЦОР
|
10
|
15
|
МЕ 6
|
Принцип действия и технические характеристики ДУ на полевых МОП-транзисторах.
Источники и питания. Выпрямители и стабилизаторы Классификация
выпрямителей.
|
5
|
Презентация с ЦОР
|
3
|
|
ВСЕГО:
|
|
90
|
|
60
|
|
|
|
Скачать 0.54 Mb.