|
силлабус по электронике. силл_электрон_рус. Факультет инжиниринга и информационных технологий кафедра информационных технологии
6. Перечень основной и дополнительной учебной литературы, необходимой для освоения дисциплины
6.1 Основная литература
Нәдіров, Е. Ғ. Электротехника және электроника негіздері [текст]. - Алматы: Бастау, 2012. - 588 б. - ISBN 978-601-7275-52-5 Бёрд, Дж.Электр және электроника негіздері мен технологиясы [Текст/Электронный ресурс]: оқулық. 2-бөлім: Electrical and electronic principles and technology. - Алматы: ҚР ЖООҚ, 2014. - 524 с. - ISBN 978-601-7427-57-3. - ISBN 978-601-7427-24-5 Ермағанбетов, Қ. Электротехника және электроника негіздері [текст]: Оқулық. - Алматы: Дәуір, 2012. - 592 б. - ISBN 978-601-217-370-3 Крученецкий, В.З. Основы нанотехнологии в электронике [Текст/Электронный ресурс]: учебное пособие. - Алматы: АТУ, 2015. - 346 с. - ISBN 978-601-263-343-6
6.2 Дополнительная литература:
Хартов, В.Я. Микропроцессорные системы [текст]: учебное пособие. - 2-е изд., испр. и доп. - M.: Академия, 2014. - 368 с. - ISBN 978-5-4468-0440-5 Крученецкий, В.З. Основы нанотехнологии в электронике [Текст/Электронный ресурс] : учебное пособие / В. З. Крученецкий. - Алматы : АТУ, 2015. - 346 с. - ISBN 978-601-263-343-6
6.3 Перечень ресурсов информационно-телекоммуникационной сети "Интернет"
1. Ковшов, А.И. Основы нанотехнологии в технике [Текст/Электронный ресурс]: Учебное пособие. - М Академия, 2009. - 240 с. - (Высшее профессиональное образование). - ISBN 978-5-7695-4741-6/http://library.atu.kz/files/15442.pdf
2. Крученецкий, В.З.Основы нанотехнологии в электронике [Текст/Электронный ресурс] : учебное пособие. - Алматы : АТУ, 2015. - 346 с. - ISBN 978-601-263-343-6/http://library.atu.kz/files/40277.pdf
3. Бёрд, Дж. Электр және электроника негіздері мен технологиясы [Текст/Электронный ресурс]: оқулық. 2-бөлім: Electrical and electronic principles and technology. - Алматы: ҚР ЖООҚ, 2014. - 524 с. - ISBN 978-601-7427-57-3. - ISBN 978-601-7427-24-5http://library.atu.kz/files/41808.pdf
4. Крученецкий, В.З.Основы нанотехнологии в электронике [Текст/Электронный ресурс] : учебное пособие. - Алматы : АТУ, 2015. - 346 с. - ISBN 978-601-263-343-6/http://library.atu.kz/files/40277.pdf
7 Контроль и оценка результатов обучения по учебной дисциплине
Процедура проведения оценочных мероприятий имеет следующий вид:
1) текущий контроль
Посещаемость и успеваемость (текущий и рубежный контроль по модулям) обучающихся фиксируется в электронном журнале.
В конце семестра выводится общая итоговая оценка – рейтинг, который является накопительным показателем работы обучающегося в течение всего семестра. Периоды Р1 – на 8 неделе, Р2 – на 15 неделе семестра.
Посещение и работа на лекционных занятиях, работа на практических/лабораторных/студийных занятиях, выполнение и сдача работ, выполнение и сдача заданий СРО оценивается следующим образом:
Оцениваемая позиция
| Недели
| 1
| 2
| 3
| 4
| 5
| 6
| 7
| 8
| 9
| 10
| 11
| 12
| 13
| 14
| 15
|
| Оценка в баллах
| Лекции (Посещаемость/ активность)
| 2
| 2
| 2
| 2
| 2
| 2
| 2
| 2
| 2
| 2
| 2
| 2
| 2
| 2
| 2
| Практические (семинарские) занятия
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Лабораторные (студийные) занятия
| 5
| 5
| 5
| 5
| 6
| 6
| 6
| 6
| 6
| 6
| 6
| 7
| 7
| 7
| 7
| Выполнение задания по СРО
| 2
| 2
| 2
| 8
| 2
| 2
| 10
| 2
| 3
| 3
| 3
| 4
| 4
| 10
| 3
| Индивидуальное задание
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Курсовая работа
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Семестровая работа
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Максимальный балл за неделю
| 9
| 9
| 9
| 15
| 10
| 10
| 18
| 10
| 11
| 11
| 11
| 13
| 13
| 19
| 12
| Рубежный контроль по модулю (РМ1,...РМn)
|
|
|
|
|
|
| РМ1
10
|
|
| РМ2
4
|
|
|
|
| РМ2
6
| Рейтинг
| Р1 =100
| Р2 =100
| Рейтинг допуска (Р)
| Р =(Р1+Р2)/2
| Экзамен (Э)
| 100
| Итоговая оценка (И)
| ИО = Р × 0,6 + Э × 0,4
|
2) промежуточная аттестация (итоговый контроль)
Допуск к итоговому контролю не менее 50 баллов.
Экзамен, максимальный балл - 100 баллов.
Итоговая оценка по дисциплине включает оценки текущей успеваемости и итогового контроля (экзаменационной оценки): ИО = Р × 0,6 + Э × 0,4 8. Перечень вопросов для самостоятельного изучения
№ недели
| № модуля и модульной единицы
| Перечень рассматриваемых вопросов для самостоятельного изучения
| Количество часов
| Вид контрольного мероприятия
| Рейтинг (балл)
| Модуль 1. Вспомогательные, пассивные элементы электронных схем
| 1
| МЕ 1
| Устройство и разновидности резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов.
| 4
| Мультимедийная презентация
| 2
| 2
| МЕ 2
| Применение пассивных элементов, как вспомогательных элементов электроники.
| 4
| Мультимедийная презентация
| 2
| Модуль 2. Полупроводниковые приборы - основные базовые элементы электронных схем.
| 3
| МЕ 1
| Основы физики полупроводников. Электропроводимоcть полупроводников. Теория р-n перехода. Основные и неосновные носители заряда. Движение свободных носителей. Способы управления проводимостью в полупроводниках. Перенос и рассеяние носителей в полупроводниках
| 4
| Мультимедийная презентация
| 2
| 4
| МЕ 2
| Математическое моделирование р-n перехода. Уравнения, статические и динамические характеристики. Высокочастотные свойства, барьерная емкость р-n перехода. Пробой р-n перехода. Барьер Шоттки.
| 12
| Мультимедийная презентация
| 8
| 5
| МЕ 3
| Диоды. Вольтамперные характеристики (ВАХ), динамические свойства основные справочные параметры. Эквивалентная схема замещения диода. Диод под внешним напряжением.
| 5
| Видео- доклад
| 2
| 6
| МЕ 4
| Стабилитрон. ВАХ, эквивалентная схема
замещения стабилитрона, справочные параметры. Применение стабилитронов
Туннельный диод.
| 5
| Видео- доклад
| 2
| 7
| МЕ 5
| Транзисторы. Теория работы и принцип действия биполярного
транзистора и полевого транзистора. ВАХ биполярного и полевою
транзистора. Четыре режима работы биполярного транзистора (отсечки,
насыщение, активный и инверсный). Схемы замещения транзисторов. параметры малосигнальной модели биполярного транзистора и их определение
| 5
|
| 10
| 8
| МЕ 6
| Высокочастотные свойства биполярного транзистора и полевого транзистора
Работа транзистора в схеме. Температурная стабильность каскадов па
биполярном транзисторе.
| 11
| Видео- доклад
| 2
| 9
| МЕ 7
| Тиристор. Принцип действия, основные характеристики и параметры,
области применения тиристоров.
| 4
| Видео- доклад
| 3
| Модуль 3. Основной элементный базис аналоговых и цифровых устройств.
| 10
| МЕ 1
| Усилители. Классификация усилителей. Принципы построение
усилителей.
| 4
| Видео- доклад
| 3
| 11
| МЕ 2
| Усилители с общим эмиттером. Входное и выходное сопротивление
схемы с общим эмиттером.
| 5
| Презентация с ЦОР
| 3
| 12
| МЕ 3
| Усилители с общим коллектором.
Усилители с общей базой.
| 5
| Презентация с ЦОР
| 4
| 13
| МЕ 4
| Дифференциальные усилители. Принцип действия и технические характеристики ДУ на биполярных транзисторах.
| 5
| Презентация с ЦОР
| 4
| 14
| МЕ 5
| Операционный усилитель. Принцип построения, характеристики н
параметры ОУ. Инвертирующий и неинвертирующий усилители.
| 12
| Презентация с ЦОР
| 10
| 15
| МЕ 6
| Принцип действия и технические характеристики ДУ на полевых МОП-транзисторах.
Источники и питания. Выпрямители и стабилизаторы Классификация
выпрямителей.
| 5
| Презентация с ЦОР
| 3
|
| ВСЕГО:
|
| 90
|
| 60
|
|
|
|