Главная страница

Физика приборов наноэлектроники. РП 11.04.04++ Б1.0.11 Физика приборов нэ набор 2021 2021-2022. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования воронежский государственный университет


Скачать 377 Kb.
НазваниеФедеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования воронежский государственный университет
АнкорФизика приборов наноэлектроники
Дата15.12.2021
Размер377 Kb.
Формат файлаdoc
Имя файлаРП 11.04.04++ Б1.0.11 Физика приборов нэ набор 2021 2021-2022.doc
ТипРабочая программа
#304896

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

«ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

(ФГБОУ ВО ВГУ)

31.08.2021


РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ

Б1.О.11 Физика приборов наноэлектроники

________________________________________________________________________________
1. Шифр и наименование направления подготовки/специальности: 11.04.04

Э лектроника и наноэлектроника

2 . Профиль подготовки/специализации:

Интегральная электроника и наноэлектроника

3. Квалификация (степень) выпускника: магистр




4 . Форма образования: очная
5. Кафедра, отвечающая за реализацию дисциплины:

физики полупроводников и микроэлектроники




6 . Составители программы: Жукалин Дмитрий Алексеевич,

кандидат физико-математических наук




7. Рекомендована: НМС физического факультета протокол №6 от 24.06.2021




8. Учебный год: 2021-2022 Семестр: 1
9. Цели и задачи учебной дисциплины: цель дисциплины состоит в формировании систематических знаний и фундаментальных принципов, определяющих структуру квантовых низкоразмерных систем, а также в изучении явлений и процессов в наноструктурах, использующихся при разработке приборов наноэлектроники.

При изучении курса ставятся следующие основные задачи: получение представлений о физических идеях и принципах современной наноэлектроники; формирование комплекса теоретических знаний о физических свойствах низкоразмерных электронных систем, важнейших физических процессах и явлениях, составляющих фундаментальную основу наноэлектроники; знакомство с существующими моделями, теориями различных физических явлений и основными областями применения наноэлектронных структур.

Задачи учебной дисциплины:

  • получение у обучающихся представлений о физических идеях и принципах современной наноэлектроники, формирование комплекса теоретических знаний о физических свойствах низкоразмерных электронных систем, важнейших физических процессах и явлениях, составляющих фундаментальную основу наноэлектроники;

  • знакомство с существующими моделями, теориями различных физических явлений и основными областями применения наноэлектронных структур;

  • изучение явлений и процессов в наноструктурах, использующихся при разработке элементов и приборов наноэлектроники;

  • формирование навыков применения теоретических знания о физических свойствах наноэлектронных систем для исследования важнейших физических процессов и явлений, составляющих фундаментальную основу наноэлектроники;

  • овладение навыками расчета параметров и характеристик приборов и устройств наноэлектроники, выбора экспериментальных методов исследования, соответствующих поставленным задачам.



10. Место учебной дисциплины в структуре ОПОП: Дисциплина включена в число дисциплин обязательной части блока Б1 по направлению подготовки 11.04.04 Электроника и наноэлектроника.

Для ее усвоения требуются знания, формируемые при освоении ОПОП бакалавриата в рамках курсов математики, физики, компьютерного моделирования.

В результате прохождения данной дисциплины обучающийся должен приобрести знания, умения, навыки общепрофессиональных компетенций, необходимых для обеспечения трудовых функций В/02.7 «Разработка функционального описания цифровых блоков аппаратной части СнК» и Е/02.7 «Проектировка поведенческой модели аналоговой части проекта для моделирования в составе всей системы в целом» профессионального стандарта 40.016 «Инженер в области проектирования и сопровождения интегральных схем и систем на кристалле».
Знания, полученные при освоении дисциплины «Физика приборов наноэлектроники», необходимы при выполнении научно-исследовательских работ, учебной и производственных проектно-конструкторских практик написания магистерской выпускной квалификационной работы в области микро- и наноэлектроники.

11. Планируемые результаты обучения по дисциплине/модулю (знания, умения, навыки), соотнесенные с планируемыми результатами освоения образовательной программы (компетенциями) и индикаторами их достижения:


Компетенции

Индикаторы

Планируемые

результаты обучения

Код

Наименование

компетенции

Код(ы)

Наименование

индикатора(ов)

ОПК-1

Способен представлять современную научную картину мира, выявлять естественнонаучную сущность проблем, определять пути их решения и оценивать эффективность сделанного выбора

ОПК-1.1

Способен выявлять естественнонаучную сущность проблем в профессиональной сфере

Знать:

- явления и процессы в наноструктурах, использующихся при разработке элементов и приборов наноэлектроники;

Уметь:

- выявлять естественнонаучную сущность проблем в профессиональной сфере;

Владеть:

- методологией системного и критического анализа проблемных ситуаций;

- методиками постановки цели, определения способов ее достижения, разработки стратегий действий

ОПК-1.2

Использует передовой отечественный и зарубежный опыт в профессиональной сфере деятельности для решения научно-технических задач

Знать:

- современные достижения в области микро- и наноэлектроники;

Уметь:

- анализировать и использовать передовой отечественный и зарубежный опыт в профессиональной сфере деятельности для решения научно-технических задач;

Владеть:

- навыками формулирования целей и задач научных исследований в соответствии с тенденциями и перспективами развития электроники и наноэлектроники, а также смежных областей науки и техники;

- навыками обоснованно выбирать современные теоретические и экспериментальные методы и средства решения сформулированных задач

ОПК-3

Способен приобретать и использовать новую информацию в своей предметной области, предлагать новые идеи и подходы к решению инженерных задач

ОПК-3.3

Предлагает на основе полученной информации новые идеи и оценивает возможность их реализации при решении инженерных задач в профессиональной сфере деятельности

Знать:

- явления и процессы в наноструктурах, использующихся при разработке элементов и приборов наноэлектроники;

- передовой отечественный и зарубежный опыт решения научно-технических задач в области наноэлектроники;

Уметь:

- выявлять естественнонаучную сущность проблем в профессиональной сфере;

- оценивать возможность реализации новых идей при решении инженерных задач в области наноэлектроники;

Владеть:

- методологией системного и критического анализа проблемных ситуаций;

- методиками постановки цели, определения способов ее достижения, разработки стратегий действий при разработке новых и модернизации существующих приборов наноэлектроники

12. Объем дисциплины в зачетных единицах/часах в соответствии с учебным планом — 3/108.

Форма промежуточной аттестации – экзамен

13 Трудоёмкость по видам учебной работы:

Вид учебной работы

Трудоемкость (часы)

Всего

По семестрам

1 сем.

Аудиторные занятия

30

30

в том числе: лекции

30

30

Самостоятельная работа

42

42

Экзамен

36

36

Итого:

108

108

13.1 Содержание разделов дисциплины:

п/п

Наименование

раздела дисциплины

Содержание

раздела дисциплины

1

Введение. Размерное квантование. Основные типы наноструктур и их квантово-механические модели

Размерное квантование. Квантовый конфайнмент и размерность электронной системы. Элементарные наноструктуры: квантовые ямы, квантовые нити, квантовые точки и полупроводниковые сверхрешетки.

2

Электронные свойства квантовых низкоразмерных систем

Энергетический спектр и волновые функции двумерного (2D), одномерного (1D) и нульмерного (0D) электронного газа. Распределение плотности состояний и равновесные концентрации электронов в системах пониженной размерности. Энергетический спектр сверхрешетки. Влияние на энергетический спектр магнитного поля. Эффективное понижение размерности системы. Движение электрона в однородном электрическом поле.

3

Двумерный электронный газ в МДП- и гетероструктурах

Основные типы композиционных гетероструктур. Описание электронных состояний методом огибающей. Условия образования 2D-электронного газа в инверсионном слое МДП-структуры. Размерные эффекты.

4

Кинетические эффекты в наноструктурах; Квантовый эффект Холла

Кинетические явления в двумерных структурах и сверхрешетках. Квантование Ландау и осцилляции Ванье - Штарка. Целочисленный квантовый эффект Холла (ЦКЭХ). Условия наблюдения и результаты эксперимента. Проявление мировых постоянных (е, h). Эффекты локализации и их роль в ЦКЭХ. Аргументы Лафлина. Дробный квантовый эффект Холла и его интерпретация. Структура квантовой жидкости как основного сильно коррелированного состояния двумерного электронного газа в сильном магнитном поле и свойства ее элементарных возбуждений. Дробные заряды и промежуточная статистика. Композитные фермионы.

5

Мезоскопические системы; баллистический транспорт

Модулированное легирование. Полевые транзисторы на электронах с высокой подвижностью. Баллистический транспорт. Приборы на основе баллистического транспорта.

6

Оптические свойства гетеро­структур; фотонные кристаллы; гетеролазеры на квантовых ямах и квантовых точках

Оптика квантовых структур. Вероятность перехода в поле электромагнитной волны. Правила отбора. Возможность управления оптическими параметрами в широких пределах. Фотонные кристаллы. Возможность реализации лазерной генерации в непрерывном режиме при комнатной температуре. Каскадные лазеры на междузонных переходах в системе квантовых ям.

7

Электронная структура и физические свойства фуллеренов и нанотрубок

Электронная структура и физические свойства фуллеренов, нанотрубок и мультиграфеновых систем. Размерные эффекты в углеродных наноматериалах и гибридных структурах на их основе.

8

Резонансное туннелирование; туннельно-резонансные приборы

Вывод условий для реализации туннелирования с единичной вероятностью. Эффект резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре с квантовой ямой и в многобарьерных квантовых структурах. ВАХ двух- и многобарьерных структур. Приборы на основе резонансного туннелирования.

9

Кулоновская блокада туннелирования; одноэлектроника

Запирание туннельного тока за счет увеличения кулоновской энергии системы при добавлении одного электрона. Условия наблюдения эффекта. ВАХ асимметричного туннельного контакта без затвора. Механизм образования ступеней. Кулоновская блокада туннелирования через две гранулы. Одноэлектронный транзистор. Устройства на основе одноэлектронных транзисторов. Новые типы электронных схем.

10

Магнитные наноструктуры; спинтроника

Гигантское магнетосопротивление наноструктур, состоящих из чередующихся магнитных и немагнитных слоев; элементы записи, хранения и считывания информации. Инжекция спиновых токов как основа нового класса приборов; квантовый компьютер.

13.2 Разделы дисциплины и виды занятий:

№ п/п

Наименование

раздела дисциплины

Виды занятий (часов)

Лекции

Самостоятельная работа

Всего

1

Введение. Размерное квантование. Основные типы наноструктур и их квантово-механические модели

2

2

4

2

Электронные свойства квантовых низкоразмерных систем

2

2

4

3

Двумерный электронный газ в МДП- и гетероструктурах

2

4

6

4

Кинетические эффекты в наноструктурах; Квантовый эффект Холла

4

4

8

5

Мезоскопические системы; баллистический транспорт

4

4

8

6

Оптические свойства гетеро­структур; фотонные кристаллы; гетеролазеры на квантовых ямах и квантовых точках

4

6

10

7

Электронная структура и физические свойства фуллеренов и нанотрубок

4

6

10

8

Резонансное туннелирование; туннельно-резонансные приборы

4

6

10

9

Кулоновская блокада туннелирования; одноэлектроника

2

4

6

10

Магнитные наноструктуры; спинтроника

2

4

6




Экзамен







36




Всего

30

42

108



14. Методические указания для обучающихся по освоению дисциплины:
Изучение дисциплины «Физика приборов наноэлектроники» предусматривает осуществление учебной деятельности состоящей из двух частей: обучения студентов преподавателем и самостоятельной учебной деятельности студентов по изучению дисциплины.

В учебном процессе используются следующие образовательные технологии по образовательным формам: лекции; индивидуальные занятия. По преобладающим методам и приемам обучения: объяснительно-иллюстративные (объяснение, показ–демонстрация учебного материала и др.); активные (анализ учебной и научной литературы, составление схем и др.) и интерактивные, в том числе и групповые (взаимное обучение в форме подготовки и обсуждения докладов); информационные; компьютерные; мультимедийные (работа с сайтами академических структур, научно-исследовательских организаций, электронных библиотек и др., разработка презентаций, сообщений и докладов, работа с электронными обучающими программами и т.п.). Дисциплина может реализовываться с применением электронного обучения и дистанционных образовательных технологий.

Подготовка к лекциям является одним из видов самостоятельной работы студентов-магистров. Студентам, чтобы хорошо овладеть учебным материалом, необходимо выработать навыки правильной и планомерной работы. Перед началом лекционных занятий надо просмотреть все, что было сделано в предыдущий раз. Это позволит сосредоточить внимание и восстановить в памяти уже имеющиеся знания по данному предмету. Кроме того, такой метод поможет лучше запомнить как старое, так и новое, углубит понимание того и другого, так как при этом устанавливаются связи нового со старым, что является не только обязательным, но и основным условием глубокого овладения материалом. Чем детальнее изучаемое ассоциируется с известным ранее, тем прочнее сохраняется в памяти и быстрее вспомнить, когда требуется.

Приступая к изучению нового материала, необходимо сосредоточиться, т.е. сконцентрировать внимание и не отвлекаться от выполняемой работы, помня, что желание запомнить является гарантией успешной работы, отсутствие же воли к запоминанию снижает эффект восприятия.

Следует помнить о том, что через лекцию передается не только систематизированный теоретический материал, но и постигается методика научного исследования и умение самостоятельно работать, анализировать различного рода явления.

Записывать на лекции необходимо главное, не стремясь зафиксировать все слово в слово. Выбрать же главное без понимания предмета невозможно. Наличие собственного конспекта лекций позволяет еще раз ознакомиться, продумать, разобраться в новом материале, так как недостаточно хорошо понятые во время лекции положения могут быть восстановлены в памяти, сопоставлены с другими, додуманы, дополнены, уяснены и расширены с помощью учебной литературы. Записи являются пособиями для повторения, дают возможность охватить содержание лекции и всего курса в целом.

При этом хорошо овладеть содержанием лекции – это:

- знать тему;

- понимать значение и важность ее в данном курсе;

- четко представлять план;

- уметь выделить основное, главное;

- усвоить значение примеров и иллюстраций;

- связать вновь полученные сведения о предмете или явлении с уже имеющимися;

- представлять возможность и необходимость применения полученных сведений.

Существует несколько общих правил работы на лекции:

- лекции по каждому предмету записывать удобнее в отдельных тетрадях, оставляя широкие поля для пометок;

- к прослушиванию лекций следует готовиться, что позволит в процессе лекции отделить главное от второстепенного;

- лекции необходимо записывать с самого начала, так как оно часто бывает ключом ко всей теме;

- так как дословно записать лекцию невозможно, то необходимо в конспекте отражать: формулы, определения, схемы, трудные места, мысли, примеры, факты и положения от которых зависит понимание главного, новое и незнакомое, неопубликованные данные, материал отсутствующий в учебниках и т.п.;

- записывать надо сжато;

- во время лекции важно непрерывно сохранять рабочую установку, умственную активность.

Изучение теоретического материала в данном курсе не ограничивается подготовкой к лекциям и работой на данном виде занятий. Лекционная часть курса органически взаимосвязана с иными видами работ: написанием рефератов, участием в семинарских и лабораторных занятиях, подготовкой и сдачей зачета по дисциплине, в структуре которых также большое значение имеет самостоятельная работа студента.

Самостоятельная работа обучающихся наряду с аудиторной представляет одну из форм учебного процесса и является существенной ее частью, что наиболее ярко представлено в процессе подготовки бакалавров. Последнее обусловлено тем, что самостоятельная работа предназначена для формирования навыков самостоятельной работы как вообще, так и в учебной, научной деятельности, формирование и развитие способности принимать на себя ответственность, самостоятельно решать проблему, находить конструктивные решения, выход из кризисной ситуации и т.д.

Самостоятельная работа формирует самостоятельность не только как совокупность умений и навыков, но и как черту характера, играющую существенную роль в структуре личности современного специалиста высшей квалификации. Никакие знания, полученные на уровне пассивного восприятия, не ставшие объектом собственной умственной или практической работы, не могут считаться подлинным достоянием человека.

Давая возможность расширять и обогащать знания, умения по индивидуальным направлениям, самостоятельная работа обучающегося позволяет создать разносторонних специалистов. В процессе самостоятельной работы развивают творческие возможности обучающегося, при этом самостоятельная работа завершает задачи всех видов учебной работы.

Самостоятельная работа - это планируемая работа обучающихся, выполняемая по заданию и при методическом руководстве преподавателя, но без его непосредственного участия. Преподаватель, ведущий занятия, организует, направляет самостоятельную работу обучающихся и оказывает им необходимую помощь. Однако самостоятельность обучающихся должна превышать объем работы, контролируемой преподавателем работы, и иметь в своей основе индивидуальную мотивацию обучающегося по получению знаний, необходимых и достаточных для будущей профессиональной деятельности в избранной сфере. Преподаватель при необходимости может оказывать содействие в выработке и коррекции данной мотивации, лежащей в основе построения самостоятельной деятельности обучающегося по изучению дисциплины, получению необходимых знаний и навыков.

Получение образования предполагает обучение решению задач определенной сферы деятельности. Однако, как бы хорошо не обучались обучающиеся способам решения задач в аудитории, сформировать средства практической деятельности не удастся, так как каждый случай практики особый и для его решения следует выработать особый профессиональный стиль мышления.

Основой самостоятельной работы служит научно-теоретический курс, комплекс полученных обучающимся знаний. Основной, наиболее экономичной формой получения и усвоения информации, теоретических знаний в вузе является лекция, позволяющая воспринять значительную сумму основных знаний и потому способствующая повышению продуктивности всех других форм учебного труда.

Результат обучения и самостоятельной работы обучающегося предполагает наличие следующих составляющих:

- понимание методологических основ построения изучаемых знаний;

- выделение главных структур учебного курса;

- формирование средств выражения в данной области;

- построение методик решения задач и ориентации в проблемах (ситуациях).

Самостоятельная работа обучающихся при изучении «Физика приборов наноэлектроники» включает в себя: подготовку и участие в изучении теоретической части курса, подготовку к экзамену.

Самостоятельная работа студента при изучении «Физика приборов наноэлектроники» включает в себя:

изучение теоретической части курса - 42 часа

итого - 42 часа

13. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины:

а) основная литература:


№ п/п

Источник

1

Драгунов В.П. Микро- и наноэлектроника / В.П. Драгунов ; Остертак Д. И. — Новосибирск : НГТУ, 2012 .— 38 с. // Электронно-библиотечная система. — URL : http://biblioclub.ru

2

Троян П.Е. Наноэлектроника / П.Е. Троян ; Сахаров Ю. В. — Томск : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2010 .— 88 с. // Электронно-библиотечная система. — URL : http://biblioclub.ru


3

Щука А.А. Наноэлектроника / А.А. Щука .— 2-е изд. (эл.) .— Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012 .— 349 с. // Электронно-библиотечная система. — URL : http://biblioclub.ru

4

Борисенко В.Е. Наноэлектроника: теория и практика / В.Е. Борисенко .— 3-е изд. (эл.) .— Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2013 .— 371 с. — (Учебник для высшей школы) . // Электронно-библиотечная система. — URL : http://biblioclub.ru

5

Шишкин, Г.Г. Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства / Г.Г. Шишкин ; Агеев И. М. — 2-е изд. (эл.) .— Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012 .— 413 с. // Электронно-библиотечная система. — URL : http://biblioclub.ru




Сергеев В. А. Элементы и устройства наноэлектроники: учебное пособие / В.А. Сергеев. - Ульяновский государственный технический университет, 2016. – 137 с. [Электронный ресурс. ЭБС Лань] (неограниченный доступ). https://e.lanbook.com/book/165019.



б) дополнительная литература:

№ п/п

Источник

6

Кардона М., Ю П. Основы физики полупроводников. Пер. с англ. - М.: Физматлит, 2002. - 560 с. (5)

7

Широкозонные полупроводники : Учебное пособие для студ. вузов, обуч. по направлению "Техн. физика" / Ю. Г. Шретер, Ю. Т. Ребане, В. А. Зыков, В. Г. Сидоров; Под ред. В. И.Ильина, А. Я. Шика .— СПб. : Наука, 2001 .— 123, [1] с. (5)

8

Драгунов, Валерий Павлович. Основы наноэлектроники : учебное пособие для студ. вузов, обуч. по направлению "Электроника и микроэлектроника",специальностям "Микроэлектроника и твердотельная электроника" и "Микросистемная техника" / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин .— М. : Физматкнига : Логос, 2006 .— 494 с. : (4)

9

Драгунов, Валерий Павлович. Основы наноэлектроники : Учебное пособие для студ. вузов, обуч. по спец. "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы" / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин .— Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2000 . (10)

10

Физика низкоразмерных систем : Учебное пособие для студ. вузов, обуч. по направлению "Техн. физика" / А. Я. Шик, Л. Г. Бакуев, С. Ф. Мусихин, С. А. Рыков; Под общ.ред. В.И.Ильина, А. Я. Шика .— СПб. : Наука, 2001 .— 154, [1] с. (5)

11

Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур. - М.: Логос, 2000. - 248 с. (4)

12

Овсюк, Виктор Николаевич. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / В.Н. Овсюк ; АН СССР, Институт физики полупроводников; Отв. ред. А.В. Ржанов .— Новосибирск : Наука, 1984 .— 252,[1] с. (5)

13

Бормонтов, Е.Н. Физика и метрология МДП-структур : учеб. пособие для студ. вузов, обуч. по специальностям 200.100 "Физика и технология материалов и компонентов электронной техники" и 200.200 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы" / Воронеж. гос. ун-т .— Воронеж, 1997 .— 183,[1]c. (19)

14

Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. М.: Мир, 1985. - 416 с. (3)


в) информационные электронно-образовательные ресурсы:


№ п/п

Источник

15

http://www.lib.vsu.ru – ЗНБ ВГУ

16

Электронная библиотека учебно-методических материалов ВГУ

http://www.lib.vsu.ru/cgi-bin/zgate?Init+lib.xml,simple.xsl+rus

17

Сайт www.aiportal.ru Портал искусственного интеллекта


16. Учебно-методическое обеспечение для организации самостоятельной работы:


№ п/п

Источник

1

Яковенко Н.В. Самостоятельная работа студентов : методические рекомендации / Н. В. Яковенко, О.Ю. Сушкова .— Воронеж, 2015 .— 22 с.

2

АСМ-микроскопия нанообъектов [Электронный ресурс] : учебно-методическое пособие : [для студ. физ. фак. очной формы обучения по программам бакалавриата и магистратуры для направлений : 11.03.04 (бакалавриат), 11.04.04 (магистратура) - Электроника и наноэлектроника]. Ч. 1. Тестироание. Обработка и анализ изображения / Воронеж. гос. ун-т ; [сост.: М.В. Гречкина и др.] .— Электрон. текстовые дан. — Воронеж : Издательский дом ВГУ, 2018 .— Загл. с титула экрана .— Свободный доступ из интрасети ВГУ .— Текстовый файл .— .


17. Образовательные технологии, используемые при реализации учебной дисциплины:
Метод преподавания – проблемный, форма обучения – групповая, форма общения – интерактивная. В учебном процессе используются следующие образовательные технологии по образовательным формам: лекции; индивидуальные занятия. По преобладающим методам и приемам обучения: объяснительно-иллюстративные (объяснение, показ–демонстрация учебного материала и др.); активные (анализ учебной и научной литературы, составление схем и др.) и интерактивные, в том числе и групповые (взаимное обучение в форме подготовки и обсуждения докладов); информационные; компьютерные; мультимедийные (работа с сайтами академических структур, научно-исследовательских организаций, электронных библиотек и др., разработка презентаций, сообщений и докладов, работа с электронными обучающими программами и т.п.). Дисциплина может реализовываться с применением электронного обучения и дистанционных образовательных технологий.

18. Материально-техническое обеспечение дисциплины:
Для обеспечения освоения дисциплины необходимо наличие учебной аудитории, снабженной мультимедийными средствами для представления презентаций лекционного материала. Для лекций разработаны слайды презентаций в программе PowerPoint. Используется ноутбук Samsung X11 с мультивидеопроектором EpsonEM-62 LCD с проекционным экраном Consul. Учебный фильм «На пути к нанотехнологиям».

Реализация дисциплины с применением электронного обучения и дистанционных образовательных технологий осуществляется через образовательный портал "Электронный университет ВГУ".


19. Оценочные средства для проведения текущей и промежуточной аттестаций

Порядок оценки освоения обучающимися учебного материала определяется содержанием следующих разделов дисциплины:


№ п/п

Наименование

раздела дисциплины

Компетенция

Индикаторы достижения компетенции

Оценочные

средства

1

Введение. Размерное квантование. Основные типы наноструктур и их квантово-механические модели

ОПК-1 ОПК-3

ОПК-1.1

ОПК-1.2

ОПК-3.3

Опрос

2

Электронные свойства квантовых низкоразмерных систем

ОПК-1 ОПК-3

ОПК-1.1

ОПК-1.2

ОПК-3.3

Опрос

3

Двумерный электронный газ в МДП- и гетероструктурах

ОПК-1 ОПК-3

ОПК-1.1

ОПК-1.2

ОПК-3.3

Опрос

4

Кинетические эффекты в наноструктурах; Квантовый эффект Холла

ОПК-1 ОПК-3

ОПК-1.1

ОПК-1.2

ОПК-3.3

Опрос

5

Мезоскопические системы; баллистический транспорт

ОПК-1 ОПК-3

ОПК-1.1

ОПК-1.2

ОПК-3.3

Опрос

6

Оптические свойства гетеро­структур; фотонные кристаллы; гетеролазеры на квантовых ямах и квантовых точках

ОПК-1 ОПК-3

ОПК-1.1

ОПК-1.2

ОПК-3.3

Опрос

7

Электронная структура и физические свойства фуллеренов и нанотрубок

ОПК-1 ОПК-3

ОПК-1.1

ОПК-1.2

ОПК-3.3

Опрос

8

Резонансное туннелирование; туннельно-резонансные приборы

ОПК-1 ОПК-3

ОПК-1.1

ОПК-1.2

ОПК-3.3

Опрос

9

Кулоновская блокада туннелирования; одноэлектроника

ОПК-1 ОПК-3

ОПК-1.1

ОПК-1.2

ОПК-3.3

Опрос

10

Магнитные наноструктуры; спинтроника

ОПК-1 ОПК-3

ОПК-1.1

ОПК-1.2

ОПК-3.3

Опрос

Промежуточная аттестация: форма контроля - экзамен

Комплект КИМ



20.1 Текущий контроль успеваемости
Текущий контроль успеваемости по дисциплине осуществляется с помощью опроса на занятиях
Перечень вопросов


  1. Основные принципы теории познания.

  2. Системный анализ.

  3. Общие методы научного познания.

  4. Природа естественнонаучных методов познания.

  5. Анализ, синтез, индукция, дедукция и абдукция в научном исследовании.

  6. Экспериментальные и теоретические методы исследования.

  7. Системные методы исследования.

  8. Понятие технологического уклада по Кондратьеву.

  9. Инфраструктура V и VI технологических укладов постиндустриального общества.

  10. История и методология формирования научных основ современной электроники: волновой механики, квантовой механики, волновой механики систем.

  11. Микроскопическая теория необратимых процессов.

  12. Неравновесная термодинамика.

  13. Научно-методологические аспекты современных электронных технологий.

  14. Технические аспекты современных электронных технологий.

  15. Технологические аспекты современных электронных технологий.



20.2 Промежуточная аттестация
Промежуточная аттестация по дисциплине осуществляется с помощью следующих оценочных средств - КИМ
Комплект КИМ
Контрольно-измерительный материал № 1
1. Размерное квантование. Квантовый конфайнмент и размерность электронной системы.

2. Гигантское магнетосопротивление наноструктур, состоящих из чередующихся магнитных и немагнитных слоев; элементы записи, хранения и считывания информации.
Контрольно-измерительный материал № 2
1. Элементарные наноструктуры: квантовые ямы, квантовые нити, квантовые точки и полупроводниковые сверхрешетки.

2. Инжекция спиновых токов как основа нового класса приборов; квантовый компьютер..
Контрольно-измерительный материал № 3
1. Энергетический спектр и волновые функции двумерного (2D), одномерного (1D) и нульмерного (0D) электронного газа.

2. Запирание туннельного тока за счет увеличения кулоновской энергии системы при добавлении одного электрона. Условия наблюдения эффекта.

Контрольно-измерительный материал № 4
1. Распределение плотности состояний и равновесные концентрации электронов в системах пониженной размерности. Энергетический спектр сверхрешетки. Влияние на энергетический спектр магнитного поля.

2. ВАХ асимметричного туннельного контакта без затвора. Механизм образования ступеней.
Контрольно-измерительный материал № 5
1. Эффективное понижение размерности системы. Движение электрона в однородном электрическом поле.

2. Кулоновская блокада туннелирования через две гранулы. Одноэлектронный транзистор.
Контрольно-измерительный материал № 6
1. Основные типы композиционных гетероструктур. Описание электронных состояний методом огибающей.

2. Устройства на основе одноэлектронных транзисторов. Новые типы электронных схем.
Контрольно-измерительный материал № 7
1. Условия образования 2D-электронного газа в инверсионном слое МДП-структуры. Размерные эффекты..

2. Вывод условий для реализации туннелирования с единичной вероятностью.
Контрольно-измерительный материал № 8
1. Кинетические явления в двумерных структурах и сверхрешетках. Квантование Ландау и осцилляции Ванье - Штарка.

2. Эффект резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре с квантовой ямой и в многобарьерных квантовых структурах. ВАХ двух- и многобарьерных структур.
Контрольно-измерительный материал № 9
1. Целочисленный квантовый эффект Холла (ЦКЭХ). Условия наблюдения и результаты эксперимента..

2. Приборы на основе резонансного туннелирования.
Контрольно-измерительный материал № 10
1. Дробный квантовый эффект Холла и его интерпретация.

2. Электронная структура и физические свойства фуллеренов, нанотрубок и мультиграфеновых систем.
Контрольно-измерительный материал № 11
1. Структура квантовой жидкости как основного сильно коррелированного состояния двумерного электронного газа в сильном магнитном поле и свойства ее элементарных возбуждений.

2. Размерные эффекты в углеродных наноматериалах и гибридных структурах на их основе.
Контрольно-измерительный материал № 12
1. Модулированное легирование. Полевые транзисторы на электронах с высокой подвижностью. 2. Оптика квантовых структур. Вероятность перехода в поле электромагнитной волны. Правила отбора. Возможность управления оптическими параметрами в широких пределах.

Контрольно-измерительный материал № 13
1. Баллистический транспорт. Приборы на основе баллистического транспорта.

2. Каскадные лазеры на междузонных переходах в системе квантовых ям.
Контрольно-измерительный материал № 14
1. Проявление мировых постоянных (е, h). Эффекты локализации и их роль в ЦКЭХ. Аргументы Лафлина.

2. Фотонные кристаллы. Возможность реализации лазерной генерации в непрерывном режиме при комнатной температуре.

Описание технологии проведения промежуточной аттестации
Промежуточная аттестация по дисциплине – экзамен. В приложение к диплому вносится оценка отлично/хорошо/удовлетворительно.

Оценка уровня освоения дисциплины «Физика приборов наноэлектроники» осуществляется по следующим показателям:

- качество ответов при опросе на занятиях;

- полнота ответов на вопросы контрольно-измерительного материала;

- полнота ответов на дополнительные вопросы.

Критерии оценки освоения дисциплины «Физика приборов наноэлектроники»:

– оценка отлично выставляется при полном соответствии работы студента всем вышеуказанным показателям. Соответствует высокому (углубленному) уровню сформированности компетенций: компетенции сформированы полностью, проявляются и используются систематически, в полном объеме. Данный уровень превосходит, по крайней мере, по одному из перечисленных выше показателей повышенный (продвинутый) уровень;

– оценка хорошо выставляется в случае, если работа студента при освоении дисциплины не соответствует одному из перечисленных показателей или в случае предоставления курсовых работ и отчетов по лабораторным работам позже установленного срока. Соответствует повышенному (продвинутому) уровню сформированности компетенций: компетенции в целом сформированы, но проявляются и используются фрагментарно, не в полном объеме. Данный уровень превосходит, по крайней мере, по одному из перечисленных выше показателей пороговый (базовый) уровень;

– оценка удовлетворительно выставляется в случае, если работа студента при освоении дисциплины не соответствует любым двум из перечисленных показателей. Соответствует пороговому (базовому) уровню сформированности компетенций: компетенции сформированы в общих чертах, проявляются и используются ситуативно, частично. Данный уровень обязателен для всех осваивающих основную образовательную программу;

– оценка неудовлетворительно выставляется в случае несоответствия работы студента всем показателям, его неорганизованности, безответственности и низкого качества работы при выполнении лабораторных работ, предусмотренных программой дисциплины.

Факт невыполнения требований, предъявляемых к студенту при освоении дисциплины «Физика приборов наноэлектроники» и отраженных в вышеперечисленных критериях, фиксируется в ведомости оценкой неудовлетворительно.

Если студент не осваивает дисциплину в установленном программой объеме и в сроки, определенные графиком учебного процесса, он не допускается к промежуточной аттестации по данному виду учебной работы.
Оценка знаний, умений и навыков, характеризующая этапы формирования компетенций в рамках изучения дисциплины осуществляется в ходе текущей и промежуточной аттестаций.

Текущая аттестация проводится в соответствии с Положением о текущей аттестации обучающихся по программам высшего образования Воронежского государственного университета. Текущая аттестация проводится в форме выполнения практических заданий. Критерии оценивания приведены выше.

Промежуточная аттестация проводится в соответствии с Положением о промежуточной аттестации обучающихся по программам высшего образования.

Контрольно-измерительные материалы промежуточной аттестации включают в себя теоретические вопросы, позволяющие оценить уровень полученных знаний.

При оценивании используются качественные шкалы оценок. Критерии оценивания приведены выше.


написать администратору сайта