5fan_ru_Классификация проводящих материалов, особенности тонкопл. Классификация проводящих материалов, особенности тонкоплёночных металлов, проводящие материалы в микроэлектронике
 Скачать 52.44 Kb.
|
Классификация проводящих материалов, особенности тонкоплёночных металлов, проводящие материалы в микроэлектроникеКлассификация проводящих материалов Проводящими называют материалы, имеющие удельное электрическое сопротивление от  . Валентная зона и зона проводимости проводников перекрываются. В настоящее время не существует однозначной классификации проводниковых материалов. В различных областях науки и техники проводниковые материалы классифицируются по разным признакам. Согласно одной из наиболее распространенной схем классификации проводниковые материалы можно разделить на три группы: Металлы металлические сплавы Неметаллические проводящие материалы. Металлы делятся на материалы высокой проводимости, металлы различного назначения и сверхпроводящие материалы. Металлические сплавы делятся на материалы высокой проводимости, сплавы различного назначения, сверхпроводящие материалы и сплавы высокого сопротивления. Неметаллические проводящие материалы делятся на материалы высокого сопротивления, сверхпроводящие материалы, проводящие модификации углерода, оксиднопроводящие материалы, контактолы и керметы. Материалы высокой проводимости Среди металлических проводниковых материалов необходимо выделить наиболее многочисленную группу металлов высокой проводимости, которые имеют удельное сопротивление не более  . Наиболее распространённые среди них медь Cu и алюминий Al. Алюминий используется для изготовления электрических проводов, в том числе для линий электропередач. Удельное сопротивление алюминия в 1,6 раза больше удельного сопротивления меди, но алюминий в 3,5 раза легче меди. Поэтому при одинаковом сопротивлении и одинаковой длине алюминиевые провода в 2 раза легче медных проводов, несмотря на большее поперечное сечение. По объёму производства среди цветных металлов медь уступает только алюминию. Это один из основных проводящих материалов, используемых в электронной технике. Она применяется для изготовления проводов, шин, обмоток трансформаторов, токоведущих деталей приборов и аппаратов. Медь используется в тонкоплёночной технологии для формирования коммутационных элементов интегральных схем. Она также применяется для производства фольгированного текстолита и стеклотекстолита, применяемых для изготовления печатных плат.Недостатками меди являются её подверженность атмосферной коррозии с образованием оксидных и сульфидных плёнок. Металлические сплавы Электросопротивление чистых металлов всегда ниже, чем сопротивление металлов с примесями и сплавов, и повышается с увеличением температуры. Например, электропроводность меди очень чувствительна к наличию примеси. Содержание в меди 0,5% никеля, олова или алюминия снижает электропроводность меди от 25% до 40%. Согласно правилу Маттиссена удельное сопротивление металлов и сплавов равно сумме сопротивления обусловленного рассеянием электронов на тепловых колебаниях узлов кристаллической решётки и остаточного сопротивления, обусловленного рассеянием электронов на дефектах структуры  .Наиболее существенный вклад в остаточное сопротивление вносит рассеяние на примеси, которая всегда присутствует в реальном проводнике, либо в виде загрязнений, либо в виде легирующих примесей. Некоторой вклад в остаточное сопротивление вносят дефекты структуры. Сплавы с легирующими элементами, как правило, используют, когда от проводникового материала требуется не только высокая проводимость, но и, например, повышенная механическая прочность и коррозионная стойкость. Сплавы высокого сопротивление имеют удельное сопротивление не ниже  . Они используются при изготовлении резистора, нагревательных элементов и т.д. Одним из самых известных сплавов алюминия является сплав алюминия, меди и марганца – дюралюминий. Широко используются следующие сплавы на медной основе: манганин, в который входят медь, марганец и никель, константан – сплав меди с никелем, сплавы хрома с никелем называются нихромами.Неметаллические проводящие материалы Наряду с металлами и металлическими сплавами в качестве резистивных контактных и токопроводящих элементов достаточно широко используются проводящие модификации углерода, различные композиционные материалы, некоторые оксиды. Как правило, эти материалы имеют узкоспециализированное назначение. Среди твёрдых неметаллических проводников наиболее широкое применение в электронной технике получил графит. Наряду с малым удельным сопротивлением важными свойствами графита являются значительная теплопроводность, стойкость ко многим химически агрессивным средам, высокая рабочая температура, лёгкость механической обработки. Графит используется в технологии полупроводниковых материалов для изготовления различного рода нагревателей, экранов, тиглей, кассет и т.д. В вакууме или в атмосфере защитных газов изделия из графита могут эксплуатироваться при температурах до  . Важное применение имеют проводящие материалы на основе оксидов. Подавляющее большинство чистых оксидов металлов в нормальных условиях являются хорошими диэлектриками, однако при неполном окислении проводимость некоторых оксидов резко повышается. Такие материалы можно использовать в качестве контактных резистивных слоёв. Наибольший практический интерес имеет диоксид олова  . Удельное сопротивление зависит от степени отклонения от стехиометрического состава, т.е. формульного состава и может составлять  . Такие плёнки обладают также высокой прозрачностью видимой и инфракрасной областей спектра. Сочетание этих свойств обуславливает применение плёнок в качестве проводящих покрытий ЖК экранов, предающих телевизионных трубок, солнечных батарей. Аналогичными свойствами также обладают оксид индия  , и твёрдый раствор и .ТСО и ИТО.Проводящие материалы в микроэлектронике, особенности тонкоплёночных проводников. В микроэлектронике наиболее часто используются не объёмные полупроводники, а плёнки на их основе. Такие плёнки используются в качестве межэлементных соединений с низким сопротивлением, контактных площадок, обкладок конденсатора, выпрямляющих и омических контактов. Электрические свойства тонких плёнок металлов и сплавов могут значительно отличаться от свойств объёмных образцов исходных полупроводниковых материалов. Одной из причин такого различия свойств является разнообразие структурных характеристик тонких плёнок. При изменении условий конденсации структура образующихся плёнок может изменяться от предельно неупорядоченного состояния до структуры совершенного монокристаллического слоя. Другая причина связана с появлением размерных эффектов и возрастающей роли поверхностных процессов. С  труктура плёнок претерпевает существенные изменения на различных стадиях осаждения. Это проявляется в зависимости удельного сопротивления тонкой проводящей плёнки от её толщины.Объясняется это тем, что тонкие плёнки на начальных стадиях осаждения имеют островковую структуру. Электропроводность плёнки имеет очень большую величину при некотором минимальном количестве осаждённого материала. С увеличением толщины плёнки возникают соединительные мостики между отдельными островками. При приложении электрического поля происходит переход электрона через узкие зазоры между соседними островками за счёт термоэлектронной эмиссии и туннелирования. При увеличении количества осаждённого материала зазоры между островками уменьшаются, и уменьшается удельное сопротивление плёнки. Постепенно удельное сопротивление приближается к удельному сопротивлению объёмного материала, но остаётся выше него из-за большей концентрации дефектов. Поскольку характер зарождения и рост плёнок зависит от множества случайных факторов. На практике трудно получить точное совпадение удельного сопротивления для плёнок одинаковой толщины, поэтому для сравнительной оценки проводящих свойств тонких плёнок используют удельное поверхностное сопротивление или сопротивление на безразмерный квадрат. Удельное поверхностное сопротивление численно равно сопротивлению участка плёнки, длина которого равна его ширине при прохождении тока через две его противоположные грани параллельно поверхности подложки.  ,  - удельное сопротивление материала, d – толщина плёнки.Удельное поверхностное сопротивление измеряется с помощью четырёхзондового метода, при этом не требуется измерение толщины плёнки, что сопряжено с определёнными трудностями. Поскольку удельное поверхностное сопротивление не зависит от величины квадрата, сопротивление тонкоплёночного резистора рассчитывается по следующим формулам.  ,  - длина резистора,  – ширина резистора.Алюминиевая металлизация Металлизация или проводящая разводка в интегральных схемах применяется для электрического соединения различных элементов схемы и представляет собой металлические тонкие плёнки необходимой конфигурации. Толщина таких плёнок, как правило, находится в диапазоне от 0,5 до 1 микрона. Наиболее распространёнными методами осаждения таких тонких плёнок являются метод электронно-лучевого испарения и магнитонного распыления. Основным материалом при формировании электрической разводки интегральных схем является алюминий. Алюминий имеет малое удельное сопротивление  в объёмном виде и приблизительно  в плёночном. Он обладает хорошей адгезией к  , он легко осаждается в виде тонкой плёнке, просто осуществляется контакт с алюминиевой или золотой проволокой, которые используются при формировании разводки в корпусе интегральной схемы, и имеет низкую стоимость. В изготовлении омических контактов алюминия к кремнию p-типа проводимости не вызывает проблем поскольку алюминий является акцептором по отношению к кремнию. В то же время может произойти образование выпрямляющего контакта алюминия к кремнию n-типа после отжига из-за диффузии алюминия в кремнии. Чтобы этого не происходило необходимо формировать контакт алюминия к высоколегированной области кремния  . В этом случае концентрация алюминия, возникающая в кремнии после операции отжига, оказывается недостаточна для перекомпенсации доноров и образования p-n перехода.Проблемы, связанные с использованием алюминия в качестве металлизации в интегральных схемах с невысоким уровнем интеграции При невысоком уровне интеграции можно выделить следующие основные проблемы, связанные с использованием алюминия: Алюминий проникает через p-n переход с малой глубиной залегания, что приводит к возникновению токов утечки через переход и даже закорачиванию перехода. При высоких плотностях тока и продолжительной эксплуатации происходит разрыв элементов алюминиевой разводки. Ухудшение изоляции между проводящими слоями интегральной схемы с многослойной разводкой и даже их закорачиванию. П   роникновение алюминия через p-n переход развивается следующим образом: после формирования слоя алюминия и проведения фотолитографии проводят операцию вжигания алюминиевой разводки при температуре  .Это операция необходима, поскольку на поверхности кремния всегда есть тонкий слой так называемого естественного оксида. Операция вжигания обеспечивает наилучшие и стабильные характеристики контакта Al-Si. Алюминий начинает взаимодействовать с оксидом кремния уже при  , и граница контакта смещается вглубь кремния. Однако при этом кремний хоть и слабо, но растворяется в алюминии. Растворимость кремния в алюминии составляет 0,8% при температуре Al-Si эвтектике  . Алюминий в свою очередь проникает в подложку, что может привести к проколу или закорачиванию мелкозалегающего p-n перехода. Этот эффект резко усиливается в области каких-то дефектов. Для устранения этого эффекта используются предварительное введение в алюминий добавок кремния в пределах  . Это, однако, приводит к увеличению удельного электрического сопротивления проводящего слоя и изменению вольтамперной характеристике выпрямляющего контакта Al-Si, если алюминий используется для формирования диода Шоттки.Явление разрыва элементов алюминиевой разводки, возникающее при высоких плотностях тока, повышенной температуре и после продолжительной работы интегральной схемы, обусловлены эффектом электромиграции. Электромиграция представляет собой масса перенос проводящего материала. Он происходит в результате передаче импульса от электронов, движущихся под действием электрического поля, к положительным ионам и атомам металла. В областях дефекта плёнки этот эффект усиливается и может происходить разрыв проводника, при этом в нём обнаруживается пора и расположенный рядом по направлению к положительному электроду наплыв м  еталла.Образование подобных дефектов очень сильно зависит от технологии формирования разводки. Сопротивление электромиграции проводящих алюминиевых плёнок может быть усилено за счёт введения в алюминий некоторых примесей, например, меди до 0,5%, однако медь – это одна из самых вредных примесей для кремния, поэтому в настоящее время наиболее распространено формирование тонкого слоя нитрида титана TiN сверху алюминиевой разводки. Ухудшение изоляции между слоями многоуровневой алюминиевой разводки связано с образованием шипов в алюминиевых слоях. Они образуются в результате многократных термообработок, используемых в технологии интегральных схем и из-за рассогласования температурных коэффициентов линейного расширения ТКЛР с примыкающими слоями, а также рассогласование ТКЛР зёрен алюминия с различной ориентацией и размерами. В алюминии наблюдается анизотропия температурного коэффициента линейного расширения. Преобладающей ориентацией зёрен в алюминии является ориентация (111), однако присутствуют и зёрна с ориентацией (110). В результате релаксации напряжений в плёнках алюминия зёрна алюминия с ориентацией (110) как бы выстреливают из основной массы плёнки с ориентацией (111). Даже небольшого количества зёрен с ориентацией (110) достаточно, чтобы произошло заметное увеличение шероховатости плёнки. В неоптимальных условиях могут образовываться шипы (hillock) размером до 5-7 микрон, которые просто прокалывают межслойный диэлектрик. В качестве контрмеры применяют сплавы алюминий медь AlCu, алюминий титан AlTi, алюминий тантал AlTa, алюминий неодим AlNd, однако при этом удельное сопротивление сплавов увеличивается до  .Проблемы, связанные с использованием алюминия в качестве металлизации в интегральных схемах высокого уровня интеграции С  увеличением степени интеграции и уменьшением ширины линии разводки менее 0,5 микрон возникают новые проблемы, связанные с использованием алюминиевой металлизации в интегральных схемах. Во-первых, это обусловлено качеством заполнения окон и канавок алюминиевой металлизации, во-вторых, это связано со значительным увеличением времени задержки в RC-цепочке, где R – это сопротивление проводящей разводки, а C – ёмкость, обусловленная соседними линиями проводящей разводки. Оказывается, что при ширине линии менее 0,5 микрон сложно обеспечить равномерное осаждение алюминиевой плёнки в окнах и канавках, особенно с большим соотношением высоты к ширине с помощью обычных методов физического осаждения, к которым относятся электронно-лучевое испарение и магнетронное распыление.Равномерное покрытие стенок, окон и канавок даже с очень большим соотношением высоты к ширине возможно с помощью метода химического осаждения из газовой фазы. Однако удовлетворительного качества осаждаемых этим методом плёнок алюминия до настоящего времени достичь не удалось. В этом случае алюминиевые слои имеют неровную поверхность и сильно загрязнены углеродом, т.е. имеют высокое удельное сопротивление. Поэтому в настоящее время, активно используется химическое осаждение из газовой фазы вольфрама с использованием металлоорганических соединений вольфрама. Технология формирования таких слоёв хорошо отработана, однако удельное сопротивление вольфрама выше чем у алюминия порядка  для объёмного материала. Поэтому используют двухслойную металлизацию вольфрам-алюминий.Сначала осаждается вольфрам для обеспечения конформного (равномерного) заполнения окон и канавок, а затем алюминий для снижения сопротивления разводки металлизации. Это, однако, приводит к увеличению количества технологических операций. Вторая проблема использования алюминия в качестве проводящей разводки связана с ограничением быстродействия интегральных схем. Увеличение степени интеграции приводит к тому, что плотность упаковки чипов увеличивается, увеличивается и быстродействие микросхем за счёт уменьшения времени задержки транзисторов. При этом размеры элементов каждого последующего поколения интегральных схем уменьшается с масштабным множителем приблизительно 0,7. Следствием уменьшения поперечного сечения проводников и расстояния между ними возрастает сопротивление R и ёмкость C, обусловленные межсоединениями, т.е. металлической разводкой, соединяющие элементы, и, соответственно, увеличивается время задержки RC-цепочки. П    ри уменьшении ширины линии приблизительно до 0,25 микрон время задержки RC-цепочки становится сравнимым со временем задержки транзисторов. При дальнейшем уменьшении ширины линии время задержки RC-цепочки будет определять быстродействие интегральных схем. Возрастание R и C усугубляет также проблемы перекрёстных помех, электромиграции и рассеиваемой мощности. При сохранении тех же самых материалов, обеспечивающих систему межсоединений, т.е. алюминий в качестве проводящего материала и в качестве изолирующего диэлектрика. Единственным способом уменьшения времени задержки RC-цепочки является увеличение поперечного сечения проводников. Это, однако, приводит к уменьшению общей длины проводников, приходящихся на единицу площади чипа. Поэтому для сохранения плотности упаковки необходимо увеличивать число уровней металлизации. Для интегральной схемы с минимальным размеров элементов 0,13 микрон и применением  для формирования системы многоуровневой разводки необходимо формировать до 13 уровней металлизации. Увеличение уровней металлизации означает дополнительное число технологических операций, каждая из которых снижает выход годных интегральных схем.Современный уровень развития технологий позволяет формировать до 6-7 уровней проводящей разводки. Для уменьшения количества уровней проводящей разводки при уменьшении размеров проводников и расстояний между ними необходимо уменьшать R и C за счёт использования новых материалов. Такими материалами могут быть медь, удельное сопротивление которой меньше чем у алюминия, и диэлектрические материалы с меньшей, чем у , диэлектрической проницаемостью. Использование таких материалов позволит снизить количество уровней металлизации в интегральных схемах с минимальными размерами элементов 0,13 микрон до 6 уровней (до приемлемого количества).Технологические свойства меди Удельное электрическое сопротивление меди составляет  в объёмном виде и  в плёночном, т.е. на 35-40% меньше чем у алюминия. Медь имеет почти в два раза большую теплопроводность, чем алюминий, что очень важно при высоких плотностях тока и высоком уровне интеграции.Медь гораздо более стойка к эффекту электромиграции. Электромиграция определяется коэффициентом самодиффузии материала, который значительно меньше у меди, чем у алюминия. Возможно также механизм диффузии по границам зёрен, которые у меди может быть довольно заметны. Перспективным решением этой проблемы является легирование меди кадмием и кальцием, что приводит к уменьшению диффузии в меди по границам зёрен. Эти примеси лишь незначительно увеличивают удельное сопротивление, диффундируют к границам зёрен и блокируют диффузию по ним. Однако использование меди в качестве проводящей разводки интегральных схем сопряжено с рядом серьёзных проблем. Во-первых, это связано с тем, что медь – это одна из самых вредных примесей в кремниевой электронике. Она оказывает заметное влияние на свойства кремния уже при концентрации  . Она обладает очень высоким коэффициентом диффузии в кремнии, что приводит к очень быстрому ухудшению свойств кремния. Кроме того медь обладает высоким коэффициентом диффузии и в , поэтому не является диффузионным барьером для меди.Медь может принимать три валентных состояния и создавать соответственно три примесных глубоких уровня в запрещённой зоне кремния: два акцепторных и один донорный с энергиями ионизации 0,24 эВ, 0,37 эВ, и 0,77 эВ соответственно. Глубокие уровни в полупроводнике являются ловушками для носителей заряда. Их наличие приводит к уменьшению концентрации носителей заряда их подвижности и времени жизни. Чаще всего это крайне нежелательно. Во-вторых, использование меди в качестве проводящей разводки затруднено вследствие невозможности использования плазмохимического травления при литографии. Это связано с отсутствием летучих соединений меди с галогенами и являются серьёзным препятствием, поскольку элементы интегральных схем с размером менее 1 микрона можно формировать только с помощью сухого плазмохимического травления. В-третьих, медь окисляется в воздушной атмосфере уже при температуре  , поэтому необходимо использовать низкотемпературные процессы и формировать защитные слои. Наконец, медь обладает плохими адгезионными свойствами ко многим материалам, в том числе и к .Технология формирования проводящей разводки интегральных схем на основе меди Технологические свойства меди таковы, что для формирования медной разводки интегральных схем потребовалось разработать специальную технологию damascene (наносить узор на сталь) – дамасский процесс. Различают одинарный и двойной дамасский процесс. При одинарном дамасском процессе сначала формируется рисунок сквозных отверстий в диэлектрике и заполнение их медью, а затем происходит формирование рисунков линий проводящей разводки и их заполнение медью. При двойном дамасском процессе эти две операции проводятся в одном технологическом цикле, что позволяет значительно сократить количество операций и на 20-30% снизить затраты. Двойной дамасский процесс состоит из следующих этапов: Нанесение слоя диоксида кремния и слоя нитрида кремния, который в дальнейшем будет играть роль стоп-слоя при травлении ещё одного слоя .Травление диэлектрика и формирование в нём рисунка сквозных отверстий для обеспечения контакта медной разводки к ниже лежащему слою. О  саждение второго слоя и его травление для формирования рисунка проводящей разводки.Формирование барьерного слоя для предотвращения диффузии атомов меди в прилежащем слое. Наилучшими барьерными свойствами при этом обладает тантал  и нитрид тантала  . Слой должен быть очень тонким, чтобы избежать заметного повышения сопротивления разводки, и непрерывным, чтобы исключить попадание меди в ниже лежащие слои. Толщина барьерного слоя не превышает 50 нм. Этот слой выполняет также функцию улучшения адгезии медного слоя.Осаждение меди. Этот этап связан с необходимостью решения ещё одной серьёзной проблемы. При формировании проводящей разводки с размерами элементов менее 0,25 мкм затруднено применение физических методов осаждения из-за плохого запыления окон и канавок. Применение метода химического осаждения из газовой фазы с использованием металлоорганических соединений меди в настоящее время не применяется из-за того, что металлоорганические соединения меди имеют слишком высокую температуру разложения, поэтому основным методом осаждения меди на данный момент является электрохимическое её осаждение из раствора медного купороса  .В результате разработана следующая технология осаждения меди. Вначале осаждается тонкий затравочный слой меди с использованием метода распыления. Слой позволяет использовать в дальнейшем электролитическое осаждение толстого слоя меди, поскольку для этого метода необходим непрерывный проводящий слой. Для осаждения затравочного слоя используется ионизированное магнетронное распыление или осаждение в ионизированной металлической плазме. Распылённые с обычного магнетронного катода-мишени атомы металла проходят через плазму в средней плотности между мишенью и подложкой и ионизируются. В этом случае угловым распределением поступающего на подложку материала можно управлять с помощью специально прикладываемого электрического поля между подложкой и мишенью. При этом удаётся значительно улучшить однородность осаждения плёнки в окнах и канавках. Д  алее осаждается толстый слой меди с помощью электролитического осаждения.Химико-механическая шлифовка меди и барьерного слоя до диэлектрика. Выпрямляющие контакты металл-полупроводник Применение диодов с p-n переходом в быстродействующих интегральных схемах оказывается недостаточно эффективным из-за сравнительно больших времён переключения и занимаемой площади. Во многих случаях предпочтение отдается диодам Шоттки. Д   иод Шоттки – это выпрямляющий контакт металл-полупроводник. Такие устройства находят широкое применение в качестве ограничительных элементов логических и запоминающих матриц. Наиболее важным параметром диодов Шоттки является падение напряжения на диоде при некотором определённом уровне прямого тока. Требуемое падение напряжения достигается изменением высоты барьера диода. Вольтамперная характеристика диода Шоттки имеет следующий вид  ,  , A – это постоянная Ричардсона.Для изменения вольтамперной характеристики диодов Шоттки изменяют высоту барьера за счёт изменения подбора определённого металла. Для формирования диодов Шоттки используют большой набор металлов таких как  и их силицидов (химическое соединение металлов с кремнием). Наибольшей высотой барьера обладает силицид платины  0,84 эВ.Диоды с гораздо меньшими высотами барьеров получают при использовании титана 0,53 эВ и вольфрама 0,59 эВ. Алюминий также применяют для изготовления диодов Шоттки. Высота барьера в этом случае 0,7 эВ. Однако воспроизводимость параметров такого диода Шоттки довольна низка. Основная проблема технологии диодов Шоттки заключается в том, что его электрические характеристики очень чувствительны в состоянии границы раздела металл-полупроводник. Загрязнения или оксидные слои вызывают существенные изменения характеристик диода. Диффузионные барьерные слои П  ри использовании алюминия в качестве проводящей разводки возникает проблема стабилизации контакта алюминиевой металлизации другим металлом и силицидом, используемым для формирования диодов Шоттки. Это связано с тем, что алюминий образует интерметаллические соединения со многими металлами (соединения между металлами). Например, при нагреве уже при  начинается взаимодействие алюминия с силицидом платины и образуется интерметаллическое соединение  . В результате характеристики диодов Шоттки совершенно изменяются. Для исключения этого явления вводят диффузионные барьерные слои между алюминием и диодом Шоттки. Чаще всего используется сплав вольфрам 90%, титан 10%. Титан вводится для улучшения адгезии барьерного слоя, поскольку вольфрам обладает низкими адгезионными свойствами ко многим материалам.Резисторы Для изготовления металлоплёночных резисторов используют металлы с высоким удельным сопротивлением, например, тантал, рений, хром, вольфрам, молибден (  ). Сопротивление тантала может быть увеличено в результате насыщения плёнки тантала азотом. Однако процесс получения танталовых резисторов плохо согласуется с другими технологическими операциями. Использование в качестве плёночных резисторов хрома, вольфрама, молибдена позволяет получать удельное поверхностное сопротивление до  Однако такие сопротивления обладают более высоким температурным коэффициентом сопротивления, чем из тантала и рения. Широко используются резистивные сплавы никеля и хрома, так называемые нихромы, и содержащие приблизительно 80% никеля и 20% хрома. Резисторы на основе нихрома обладают высокими значениями сопротивления и стабильностью характеристик.Обкладки конденсаторов Для формирования обкладок конденсаторов обычно используются алюминий или тантал. В первом случае диэлектриком служит  , во втором -  .Контактные площадки интегральных схем Это металлизированные участки, которые служат для присоединения внешних выводов и контроля электрических параметров в интегральных схемах. Их изготавливают обычно из алюминия или золота. Существенным преимуществом золота является его коррозионная стойкость. Разводка в корпусе интегральной схемы Она используется для соединения контактных площадок интегральных схем с внешними выводами корпуса интегральных схем. Для этого применяются проволока из алюминия или золота диаметром 25-50 мкм. Соединение с золотой проволокой более надёжно благодаря высокой пластичности золота. При этом необходимо избегать формирования контакта между алюминиевой контактной площадкой и золотой проволокой и наоборот, поскольку может произойти образование интерметаллического соединения  пурпурная сурьма, что приведёт к полному разрушению контакта. Если всё-таки такой контакт формируется необходимо понижать температуру и сводить к минимуму время, в течение которого золото и алюминий находятся в контакте при повышенной температуре. |