Лабораторная работа 6 двухтактный бестрансформаторный

• Название: Лабораторная работа 6 двухтактный бестрансформаторный
• Дата: 22.04.2023
• Размер: 2.68 Mb.
• Имя файла: Laboratornaya_rabota_16 (1).docx
• Тип: Исследование; #1082099
• страница: 8 из 8

Приближенное изображение функциональной зависимости

Для оконечных каскадов является актуальной проблема стабилизации параметров вы- ходных каскадов (коэффициент усиления, уровень линейных и нелинейных искажений), определяющихся в основном поддержанием постоянства оптимально выбранного режима при изменении температуры. Чаще всего это достигается применением стабилизирован- ных цепей смещения использующих температурную компенсацию или отрицательную обратную связь.

При использовании для температурной компенсации полупроводникового диода (дио- дов, рис.6.44) повышение температуры вызывает уменьшение прямого сопротивления диода, что приводит к уменьшению смещения и возрастание коллекторного тока I _к0 тран- зисторов в исходной РТ компенсируется. Диодная температурная компенсация находит применение в выходных двухтактных каскадах, работающих в режиме В, для получения малого напряжения смещения. Такой способ стабилизации РТ находит широкое примене- ние в интегральной схемотехнике, когда роль диодов выполняют транзисторы в диодном включении, реализованные на одной полдложке. Диодная компенсация может обеспечить полную температурная компенсацию изменения положения РТ транзистора.

Применение терморезистора Rt, непроволочного сопротивления с отрицательным тем- пературным коэффициентом, так же возможно для температурной компенсации измене- ния коллекторного тока I _к0 . С ростом температуры сопротивление терморезистора Rt (рис.6.36,б) уменьшается, что уменьшает напряжение смещения U _бэ0 на каждом из тран- зисторов и, соответственно, коллекторных токов I _к0. Повышение температуры окружаю- щей среды вызвало увеличение коллекторного тока каждого из транзисторов и, в то же время, привело к уменьшению сопротивления терморезистора (уменьшению напряжения смещения U _бэ0) и, соответственно, к уменьшению коллекторного тока. Наибольшую сложность вызывает достижение компенсации изменения коллекторного тока под дейст- вием этих компонентов, имеющих различную природу изменения своего сопротивления (свойства p-n перехода и терморезистора) под действием температуры. Для полученной кривой изменения коллекторного тока I_к04 одного плеча оконечного каскада (рис.6.31) применим метод наилучшего приближения, чтобы получить на интервале температур - 40^оС….70^оС внешней среды, наилучшее совпадение аппроксимирующей зависимости I^*_к04 (линейной функции) и реальной кривой. Это происходит при условии, что максимум ве- личины | I _к04 — I^*_к04| на указанном интервале температур был наименьшим. Такое воз- можно, поскольку у функции I_к04 существует вторая производная, которая сохраняет знак на всем интервале температур. Линейная функция наилучшего линейного приближения на этом интервале находится следующим образом: на графике I_к04 (рис.6.31) проводится хор- да, соединяющая значения кривой на границах интервала MN (зависимость — а)); затем находится точка P (координаты 18.918, -85.551, на кривой — с)), в которой касательная параллельна зависимости а); проводится прямая, соединяющая середины хорд MP и NP (график — б) I_к04 = 0,00853t -0,023).

Реальная зависимость изменения сопротивления температуры терморезистора может быть задана таблично или в виде списка значений, что позволит полностью скомпенсиро- вать температурную зависимость тока коллектора I_к04. Однако это нецелесообразно пото- му, что технологически очень трудно реализовать противоположные законы изменения сопротивления p–n перехода и терморезистора. По этой причине терморезисторы не на- шли применения в интегральной технологии.

4. Литература

1. 
   Амелин М.А., Амелина С.А. Программа схемотехнического моделирования Micro- Cap8. М.: Горячая линия -Телеком, 2007. – 464 с.
   
2. 
   Усилительные устройства / под ред. Головина О.В. М.: Радио и связь, 1993. — 353
   

с.

3. 
   Фриск В. В., Логвинов В. В. Основы теории цепей, основы схемотехники, радио-
   

приемные устройства. Лабораторный практикум на персональном компьютере. – М.: СО- ЛОН-ПРЕСС, 2008. – 608 с.

4. 
   Павлов В.Г., Ногин В.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств. М.: Ра- дио и связь, 1997. – 367 с.
   
5. 
   Войшвилло Г.В. Усилительные устройства. М.: РиС, 1983. – 286 с.
   
6. 
   Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSpiсe для схемотехнического модели- рования на ПЭВМ, в 4-х вып. М.: Радио и связь, 1992.