электроник. P и n слоями называется
 Скачать 1.65 Mb.
|
|
Тесты по электронике 1. Область полупроводника, расположенная вблизи металлургической границы между p и n слоями называется:  1. валентный слой 2. зона контакта 3. фазовый переход 4. p-nпереход 5. запирающий слой 2. Диффузионный ток через p-n переход обусловлен: 1. приложенным внешним электрическим полем 2. влиянием температуры 3. стремлением электронов занять энергетически устойчивое положение 4. разностью концентраций основных носителей заряда в p и n областях 5. отсутствием внешнего электрического поля 3. Дрейфовый ток через p-nпереход обусловлен: 1. приложенным внешним электрическим полем 2. влиянием температуры 3. стремлением электронов занять энергетически устойчивое положение 4. разностью концентраций основных носителей заряда в p и n областях\ 5. отсутствием внешнего электрического поля 4. Зона вблизи границы p и n областей, обедненная подвижными основными носителями заряда называется: 1. валентный слой 2. эмиттерный переход 3. запирающий слой 4. зона проводимости 5. фазовый переход 5. Напряжение, приложенное к двухслойному диоду, называется прямым, если реализуется подключением:   + 6. Для получения двухслойной структуры p-n типа, концентрации примесей в них выбираются следующим образом: 1. Nд >> Nа 2. Nд > Nа 3. Nд = Nа 4. Nд = 0 5. Nд < Nа 7. Для получения двухслойной структуры p-n типа, концентрации примесей в них выбираются следующим образом: 1. Nд > Nа 2. Nд = Nа 3. Nд << Nа 4. Nа = 0 5. Nд < Nа 8. Каждой из трех приведенных потенциальных диаграммp-nперехода соответствует режим, когда: 1  2  3  а) внешнее энергетическое поле отсутствует б) приложено обратное напряжение в) приложено прямое напряжение Ответ: 1а; 2в; 3б. 8. При подключении к полупроводнику прямого напряжения зона p-nперехода — 1. расширяется; 2. сужается; 3. не изменяется; 4. расширяется со стороны p-слоя; 5. сужается со стороны n-слоя; 9. При подключении к полупроводнику обратного напряжения зона p-nперехода — 1. сужается; 2. не изменяется; 3. расширяется; 4. p-nпереход имеет постоянную ширину; 5. расширяется со стороны n-слоя; 10. Диффузионный ток через p-nпереход, достигший равновесного состояния, определяется выражением: 1. Iдиф. = Iдиф. p – Iдрейф. n 2. Iдиф. = Iдиф. n + Iдрейф. p 3. Iдиф. = Iдиф. p + Iдиф. n 4. Iдиф. = Iдрейф. n – Iдрейф. p 5. Iдиф. = Iдиф. n – Iдрейф. p 11. Дрейфовый ток через p-n переход до достижения равновесия определяется выражением: 1. Iдрейф. = Iдрейф. p + Iдрейф. n 2. Iдрейф. = Iдиф. p – Iдиф. n 3.Iдрейф. = Iдрейф. p – Iдрейф. n 4.Iдрейф. = Iдиф. n + Iдрейф. p 5.Iдрейф. = Iдрейф. n + Iдиф. p 12. Для описания равновесного состояния p-nперехода справедливо следующее соотношение: 1. Iдиф. p – Iдиф. n = Iдрейф. p + Iдрейф. n 2. Iдрейф. p= Iдиф. + Iдрейф. n 3. Iдрейф. = Iдиф. n + Iдрейф. p 4. Iдиф. p= Iдрейф. – Iдиф. n 5. Iдрейф. = Iдрейф. p – Iдрейф. n 13. Для описания равновесного состояния p-nперехода справедливо следующее соотношение: 1. Iдиф. p – Iдиф. n = Iдрейф. p + Iдрейф. n 2. Iдрейф. p= Iдиф. + Iдрейф. n 3. Iдрейф. p= Iдиф. – Iдрейф. n 4. Iдрейф. = Iдиф. n + Iдрейф. p 5. Iдрейф. = Iдрейф. p – Iдрейф. n 14. Свойство диода пропускать ток, описывается следующим участком его ВАХ:  I II III IV 15. Для стабилизации напряжения в электронике используется участок ВАХ №: I II III IV 16. Участок IV на ВАХ полупроводникового диода называется __________(прил.) пробой Ответ: тепловой 17. Участок III на ВАХ полупроводникового диода называется __________(прил.) пробой Ответ: лавинный 18. Указанные элементы имеют следующие названия:
Ответ:1б; 2г; 3в; 4д; 5а 19. Биполярные транзисторы имеют ______ p-nперехода Ответ: 2, два 20. Электропроводность в полупроводниковом элементе обусловлена наличием ___________ (прил.) носителей заряда. Ответ: несвязанных, свободных 21. Неуказанным на рисунке химическим элементом является:  Si; P; B; Ge; C. 22. Неуказанным на рисунке химическим элементом является:  Si; P; B; Ge; C. 23. Неуказанным на рисунке химическим элементом является:  Si; P; B; Ge; C. 24. Приведена схема включения n-p-nтранзистора с общим эмиттером. Правильное направление токов указано на рисунке:
Ответ: 2 25. Приведена схема включения n-p-nтранзистора с общей базой. Правильное направление токов указано на рисунке:
Ответ: 1 26. Нормальный режим работы транзистор обеспечивается подключением источников напряжения, показанным на схеме:
Ответ: 1 27. Нормальный режим работы транзистор обеспечивается подключением источников напряжения, показанным на схеме:
Ответ: 3 28. Формула, описывающая полную величину тока через коллекторный переход, имеет вид: 1. Iк = Iэ + Iкб0 2. Iк = Iэ – Iкб0 3. Iк = (1–)Iэ – Iкб0 4. Iк = Iэ 5. Iк = Iэ + Iб 29. В биполярном p-n-p транзисторе коллекторный и базовый токи связаны следующим соотношением: 1. Iк = Iб 2.Iк = Iб 3. Iк = ( –1)Iб 4.  5. Iк = Iэ 30. В биполярном p-n-p транзисторе коллекторный и базовый токи связаны следующим соотношением: 1.  2.Iк = Iб 3. Iк = Iб 4. Iк = ( –1)Iб 5. Iк = Iэ 31. Для обеспечения работы p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером, в нормальном активном режиме, коллекторный и базовый переходы должны быть смешены в следующих направлениях: 1. Uбэв прямом; Uкэ в прямом 2. Uбэв обратном; Uкэ в прямом 3. Uбэв обратном; Uкэ в обратном 4. Uбэв прямом; Uкэ в обратном 32. Режим насыщения для p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером, осуществляется при смешении коллекторного и базового переходов в следующих направлениях: 1. Uбэв прямом; Uкэ в прямом 2. Uбэв обратном; Uкэ в прямом 3. Uбэв обратном; Uкэ в обратном 4. Uбэв прямом; Uкэ в обратном 33. Для обеспечения работы p-n-p транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером, в режиме насыщения, коллекторный и базовый переходы должны быть смешены в следующих направлениях: 1. Uбэв прямом; Uкэ в прямом 2. Uбэв обратном; Uкэ в прямом 3. Uбэв обратном; Uкэ в обратном 4. Uбэв прямом; Uкэ в обратном |
