КП Электроника В27. Проектирование измерительного усилителя
Скачать 0.65 Mb.
|
КУРСОВОЙ ПРОЕКТ по курсу «Электроника» на тему «Проектирование измерительного усилителя» Вариант 27 СОДЕРЖАНИЕСОДЕРЖАНИЕ 2 ВВЕДЕНИЕ 3 РАСЧЁТЫ 6 Техническое задание 6 1. Проектирование входной части 8 2. Проектирование выходной части 10 3. Проектирование промежуточной части 16 4. Оценка погрешности коэффициента усиления 18 5. Оценка влияния температуры 19 6. Проектирование источника питания 19 7. Оценка дополнительного фазового сдвига 22 ВЫВОДЫ 23 ЛИТЕРАТУРА 24 ПРИЛОЖЕНИЕ 25 ВВЕДЕНИЕРоль электроники в современной науке и технике трудно переоценить. Она справедливо считается катализатором прогресса. Спектр ее применения простирается от фундаментальных исследований до прикладного использования. Микроэлектроника влияет на все народное хозяйство, но не непосредственно, а через целый ряд специфических отраслей таких, как вычислительная техника, информационно-измерительные системы, робототехника, микропроцессоры. Микроэлектроника очередной исторически обусловленный этап развития электроники и одно из ее основных направлений, обеспечивает принципиально новые пути решения назревших задач. Электроника — это область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов и принципов их использования. Микроэлектроника — это раздел электроники, охватывающий исследования и разработку качественно нового типа электронных приборов — интегральных микросхем — и принципов их применения. В основе развития электроники лежит непрерывное усложнение функций, выполняемых электронными устройствами. На определенных этапах становится невозможным решать новые задачи старыми электронными средствами, или, как говорят, средствами на основе существующей элементной базы, например с помощью электронных ламп или дискретных транзисторов. Таким образом, появляются предпосылки для дальнейшего совершенствования элементной базы. Основными факторами, вызывающими необходимость разработки электронных устройств на новой элементной базе, являются повышение надежности, уменьшение габаритов, массы, стоимости и потребляемой мощности. В зависимости от применяемой элементной базы можно выделить четыре основных поколения развития промышленной электроники, а вместе с ней, соответственно, и электронных устройств. I поколение (1904—1950 гг.) характеризуется тем, что основу элементной базы электронных устройств составляли электровакуумные приборы, в которых пространство, изолированное газонепроницаемой оболочкой, имеет высокую степень разрежения или заполнено специальной рабочей средой (парами или газами) и действие которых основано на использовании электрических явлений в вакууме или газе. В соответствии с характером рабочей среды электровакуумные приборы подразделяют на электронные и ионные. Электронный электровакуумный прибор — прибор, в котором электрический ток создается только свободными электронами. Ионный электровакуумный прибор — прибор с электрическим разрядом в газе или парах. Этот прибор называют также газоразрядным. II поколение (1950—начало 60-х годов) характеризовалось применением в качестве основной элементной базы дискретных полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов и тиристоров). Сборка электронных устройств II-го поколения осуществлялась обычно автоматически с применением печатного монтажа, при котором полупроводниковые приборы и пассивные элементы располагались на печатной плате — диэлектрической пластине с металлизированными отверстиями (для подсоединения полупроводниковых приборов и пассивных элементов), соединенными между собой проводниками. Проводники выполнялись путем осаждения медного слоя на плату по заранее заданному печатному рисунку, соответствующему определенной электронной схеме. III поколение электронных устройств (1960—1980 гг.) связано с бурным развитием микроэлектроники — раздела электроники, охватывающего исследование и разработку качественно нового типа электронных приборов — интегральных схем — и принципов их применения. Основой элементной базы этого поколения электронных устройств стали интегральные схемы и микросборки. Интегральная схема представляет собой совокупность нескольких взаимосвязанных элементов (транзисторов, резисторов, конденсаторов и др.), изготовленных в едином технологическом цикле, т. е. одновременно, на одной и той же несущей конструкции (подложке), и выполняющих определенную функцию преобразования информации. Микросборка представляет собой ИС, в состав которой входят однотипные элементы (например, только диоды или только транзисторы). Широкое развитие находит блочная конструкция электронных устройств — набор печатных плат, на которые монтируют ИС и микросборки. IV поколение (с 1980 г. по настоящее время) характеризуется дальнейшей микроминиатюризацией электронных устройств на базе применения БИС и СБИС, когда уже отдельные функциональные блоки выполняются в одной интегральной схеме, представляющей собой готовое электронное устройство приема, преобразования или передачи информации. Такие электронные устройства, выполненные в виде СБИС, в ряде случаев позволяют полностью обеспечить требуемый алгоритм обработки исходной информации и существенно повысить надежность их функционирования. РАСЧЁТЫТехническое заданиеТребуется спроектировать измерительный усилитель, согласно следующим техническим параметрам:
Так как в техническом задании есть специальные требования для входной и выходной части, то следует ввести специальную входную и выходную части. Эти части могут быть самостоятельными усилителями, охваченными обратной связью, для получения необходимых заданных параметров. Произведение коэффициентов усиления входной и выходной частей усилителя обычно меньше требуемого. Для того чтобы обеспечить этот показатель необходимо ввести промежуточную часть. Необходимо также провести оценку частотных искажений вносимых усилителем. Эти искажения вносятся всеми частями усилителя. При проектировочных расчетах принято задавать частотные искажения на уровне 15-20%. Пусть: М = 1,15. Наибольшая часть частотных искажений приходится на выходную часть. Пусть для выходной части: Мвых = 1,1; Для промежуточной части: Мпром = 1,03. Тогда для входной части: . 1. Проектирование входной части1. 1. Выбор схемы включения операционного усилителя Т. к. входное сопротивление небольшое, выбираем инвертирующее включение операционного усилителя (рис. 1). uвх uвых Рис 1. Инвертирующее включение ОУ 1. 2. Выбор операционного усилителя Выбираем ОУ К140УД26. Его параметры: минимальный коэффициент усиления ; напряжение смещения мкВ; частота единичного усиления МГц; входной ток нА; скорость нарастания сигнала на входе В/мкс; коэффициент ослабления синфазного сигнала дБ; изменение напряжения смещения в зависимости от температуры мкВ/°С; максимальное выходное напряжение В; напряжение питания В; ток питания мА. 1.3. Выбираем резисторы 1.3.1. Сопротивление следует брать равным . Возьмём резистор номиналом 796 МОм. 1.3.2. Входное сопротивление при включении ОУ с инвертирующим входом можно определить следующим образом: . Тогда расхождение значения входного сопротивления: Согласно исходным данным: . Получили: кОм. Строим логарифмическую амплитудно-частотную характеристику для выбранного ОУ и определяем по ней коэффициенты усиления на нижней и верхней частоте Получили: кОм. Отсюда кОм. Возьмём резистор номиналом 2370 кОм. 1.3.3. Сопротивление рекомендуется брать согласно выражению: кОм. Возьмём резистор номиналом кОм. 1.4. Коэффициент обратной связи . 1.4. Рассчитаем частотные искажения. . 1.5. Коэффициент усиления входной части . 2. Проектирование выходной части2. 1. Рассчитаем ток на нагрузке мА; Ориентировочно рассчитаем ток на выходе ОУ мА. Так как ток на нагрузке больше тока на выходе ОУ, для выходной части проектируем усилитель мощности на эмиттерном повторителе, согласно схеме: Рис 2. Электрическая схема усилителя мощности Ориентировочное значение коэффициента передачи эмиттерного повторителя по току: . Выбираем транзисторы VT1 и VT2: VT1: КТ315Б; VT2: КТ361Б, для которых: максимально допустимый ток на коллекторе мА; коэффициент передачи по току ; граничная частота МГц. Выбираём диоды, которые обеспечат нам работу транзисторов VT1 и VT2 в режиме АВ. Для перехода транзисторов в режим АВ необходимо создать напряжение смещения, которое будет определяться как: В; Задаёмся ориентировочно током покоя коллектора транзистора: мА. Тогда ток покоя базы транзистора: мА. Определим значения сопротивлений и . Получаем: Ом. Выбираем резисторы номиналом Ом. Тогда: мВ. Получили: мВ. Ориентировочное значение токов, протекающих через диоды: мА. Выбираем диоды VD1 и VD2. Требуется, чтобы они при токе 0,25 мА обеспечивали напряжение 600 мВ. Подходят диоды МД226. Рассчитаем сопротивления резисторов и , которые обеспечивают требуемый ток через диоды. кОм. Выбираем резисторы номиналом кОм. 2. 2. Выбор операционного усилителя Для выходной части выбираем ОУ с высоким значением выходного напряжения. Подходит ОУ К1408УД1, у которого: минимальный коэффициент усиления ; напряжение смещения мВ; частота единичного усиления МГц; входной ток нА; скорость нарастания сигнала на входе 2 В/мкс; коэффициент ослабления синфазного сигнала дБ; изменение напряжения смещения под влиянием температуры мкВ/°С; максимальное выходное напряжение В; напряжение питания В. ток питания Iпит = 40 мА. 2. 3. Проверка годности выбранного ОУ Определим коэффициент передачи эмиттерного повторителя по напряжению . Вычислим входное напряжение УМ В; Найдём входное сопротивление каждого плеча УМ Ом. Пусть кОм. Тогда выходное напряжение ОУ В. Выбранный ОУ обеспечивает такое выходное напряжение. Проверим выбранный ОУ на быстродействие. На верхней границе рабочего диапазона частот максимальное выходное напряжение, которое устанавливается без задержки: В > 17,537 В. Выбранный ОУ обеспечивает работу без задержек при наших условиях. 2. 4. Определение коэффициента обратной связи Коэффициент усиления выходной части усилителя можно определить по формуле . Строим логарифмическую амплитудно-частотную характеристику для выбранного ОУ и определяем по ней коэффициенты усиления на нижней и верхней частоте Тогда: ; . Рассчитаем коэффициент ОС, при котором частотные искажения не превысят допустимого значения. Можем записать: Отсюда . Примем: . 2.5. Выбираем резисторы и . Их нужно выбрать так, чтобы каскад не нагружался. Для этого должно выполняться условие: 2 кОм , где мкА Получаем: 2 кОм ; 2 кОм кОм; Выбираем резистор номиналом кОм; Тогда: кОм. кОм. Подбираем резистор номиналом R3 = 150 кОм. 3. Проектирование промежуточной части3. 1. Требуемый коэффициент усиления промежуточной части . 3. 2. Выбор операционного усилителя Для промежуточной части используем ОУ КР140УД26. минимальный коэффициент усиления ; частота единичного усиления МГц; входной ток нА; напряжение питания В. ток питания Iпит = 4,7 мА. 3. 3. Проверим, сможет ли один ОУ обеспечить требуемый коэффициент усиления. Требуемый коэффициент ОС для операционного усилителя ; Строим логарифмическую амплитудно-частотную характеристику для выбранного ОУ и определяем по ней коэффициенты усиления на нижней и верхней частоте Тогда частотные искажения промежуточной части = . Один каскад не может обеспечить требуемый коэффициент усиления. Спроектируем промежуточную часть из двух каскадов. Тогда требуемый коэффициент усиления каждого каскада: . Коэффициент ОС: . 3. 3. Оценка частотных искажений . 3. 3. Выбираем резисторы: Примем: кОм. Тогда: кОм. Выбираем резистор номиналом 316 кОм. кОм. Подбираем резистор номиналом R3 = 9,65 кОм. 4. Оценка погрешности коэффициента усиления4. 1. Действительное значение коэффициента усиления ОУ можно определить по формуле . Для входной части: ; Для промежуточной части: ; Для выходной части: . 4. 2. Относительная погрешность коэффициента усиления будет определяться по формуле . 5. Оценка влияния температуры5. 1. Предельная температура °С. 5. 2. Изменение выходного напряжения из-за влияния температуры можно определить по формуле 5. 2. Оценим влияние температуры для выходной части мкВ. Получили В. 6. Проектирование источника питания6. 1. Рассчитаем мощность, потребляемую каскадами ОУ входной части: мВт; ОУ промежуточной части: мВт; ОУ выходной части: мВт; Усилитель мощности: мВт. Тогда общая потребляемая мощность усилителя Вт; Габаритная мощность: Вт. 6. 2. Источник питания будем проектировать по следующей схеме: Рис 3. Упрощенная электрическая схема источника питания 6. 2. Выбираем трансформатор Tr1. Подходит Т17-220-50 (ШЛМ 10х25) Его параметры:
Но т.к. вторичная обмотка не обеспечивает требуемых параметров, то мы берем тот, же сердечник и первичную обмотку и у нас получится трансформатор с параметрами:
6. 3. Выбор диодов для мостов VDS1 и VDS2. Выбираем по току: мА. Подходят диоды КД521А. 6. 4. Подбираем стабилизаторы для источника питания Их параметры:
6. 5. Подбираем стабилизаторы для помещения между промежуточным и выходным частями усилителя мА. Их параметры:
7. Оценка дополнительного фазового сдвигаОбщий фазовый сдвиг на максимальной частоте равен 0° ВЫВОДЫВ результате выполнения этого курсового проекта мы научились самостоятельно проектировать многокаскадный измерительный усилитель на операционных усилителях, применять свои теоретические знания по электронике в практических целях. Сначала мы согласовали структуру будущего измерительного усилителя. Затем мы рассчитали каждую часть усилителя отдельно и выбрали элементы и микросхемы. После чего рассчитали и спроектировали источник питания для нашего усилителя. В заключении мы разработали принципиальные схемы усилителя и источника питания. ЛИТЕРАТУРАСидоров И. Н., Мукосеев В. В., Христинин А. А. Справочник. Малогабаритные трансформаторы и дроссели. М.: Радио и связь, 1985 Гусев В.Г. Электроника и микропроцессорная техника. М: Высшая школа, 2004. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги. Справочник. Том 1. М: Радиософт, 2001. Барибин Ю.Г., Федоров Л.Е., Зименков М.Г. и др. Справочник по проектированию электроснабжения. М.: Энергоатомиздат, 1990 Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. М.: Энергоатомиздат, 1988 Горюнов Н.Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. М: Энергоатомиздат, 1985. ПРИЛОЖЕНИЕПринципиальная электрическая схема измерительного усилителя |