Курсовая транзисторный ключ. Транзисторный ключ. Содержание Введение 1 Теоретическая часть Характеристика транзисторного ключа Статические режимы работы транзисторного ключа Включение транзисторного ключа Выключение
 Скачать 99.77 Kb.
|
|
Формирование фронта. Когда в момент времени t1 эмиттерный переход открывается, начинается процесс нарастания коллекторного тока, сопровождающийся снижением коллекторного напряжения. Коллекторный ток увеличивается до момента времени t2 , когда транзистор входит в режим насыщения. В интервале времени t1 …t2 . происходит формирование фронта импульса тока. Длительность фронта tф=t1 + t2 можно определить из уравнения (1.6). Так как начальный объемный заряд q(0) = 0, а  (1.9)Таким образом, и объемный заряд неосновных носителей в базе, и коллекторный ток во время формирования фронта изменяются по экспоненциальному закону. Когда iк (t2 ) = Iк и заряд неосновных носителей в базе достигает значения q(t2) = Iк нас /h21э, формирование фронта заканчивается. Воспользовавшись соотношением (7.9), получим формулу для расчета длительности фронта  (1.11)Из полученного соотношения следует, что увеличение базового тока включения приводит к уменьшению длительности фронта импульса коллекторного тока. Если при формировании фронта емкостный ток соизмерим с коллекторным током транзистора, то для расчета tф в формуле (1.11) необходимо заменить t на tэкв из (1.8). После того как транзистор войдет в режим насыщения, ток iк и напряжение uкэ перестают изменяться, но процесс накопления заряда продолжается по экспоненциальному закону в соответствии с выражением (1.9), однако постоянная времени здесь другая: tнас = (0,8. . .0,9). Поскольку процесс накопления носит экспоненциальный характер, то время, в течение которого заряд неосновных носителей достигает стационарного значения, можно вычислить по формуле tнас = (0,8. . .0,9)tнас . На этом процесс включения транзисторного ключа заканчивается. 1.4 Выключение транзисторного ключа Когда в момент времени t3 происходит переключение входного напряжения с Uб+ на Uб- (см. рис. 7.3), начинается процесс выключения транзисторного ключа. При переключении входного напряжения ток базы меняет направление и становится равным  Стадия рассасывания. В результате изменения направления базового тока начинается процесс рассасывания неосновных носителей. Несмотря на уменьшение заряда, транзистор некоторое время находится в режиме насыщения и коллекторный ток остается равным Iк нас В момент времени t4 (см. рис. 7.5) концентрация неосновных носителей около коллекторного перехода уменьшается до нуля и на коллекторном переходе восстанавливается обратное напряжение. Таким образом, интервал времени tрас = t4 – t3 определяет задержку среза импульса коллекторного тока. Время tрас, которое называется временем рассасывания, можно определить из уравнения (1.6), положив   Переходя от изображения к оригиналу, получим  Этап рассасывания заканчивается, когда транзистор входит в активный режим, и если положить, что в момент времени t4объемный заряд q(t4) = tнас Iк нас /h21э , то получим  (1.12)Иногда зарядом q(t4 ) пренебрегают, и формула для расчета времени рассасывания принимает вид  |