Мартынов_Сил-электЧ2(Инверторы). Учебное пособие санктПетербург 2012
 Скачать 4.69 Mb.
|
|
ПЧн с искусственной коммутацией вентилей выходная частота ПЧни может быть как меньше частоты питающей сети, таки больше ее. искусственная коммутация вентилей может осуществляться посредством применения в ПЧ специальных устройств для принудительного выключения тиристоров, например коммутирующих конденсаторов. в связи с этим многие схемы ПЧни имеют определенное сходство со схемами инверторов тока, которые были рассмотрены выше. схема ПЧни (рис. 55) содержит четыре тиристора Т1–Т4, трансформатор Т, конденсатор Си дроссель L. При положительной полу- волне напряжения питающей сети импульсы управления поочередно подают на тиристоры Т и Т. При открытии тиристора Т ток проходит через тиристор Т, полуобмотку трансформатора и дроссель. коммутирующий конденсатор заряжается, при этом на его левой обкладке появляется положительный потенциал. напряжение первичной полуобмотки трансформатора трансформируется во вторичную обмотку трансформатора. Через интервал времени, равный полупериоду выходного напряжения, поступает импульс управления на открытие тиристора Т. тиристор Т открывается, напряжение коммутирующего конденсатора С прикладывается к тиристору Т Рис. 55. однофазный преобразователь частоты с непосредственной связью и искусственной коммутацией вентилей (ПЧни 1/1) u 2 ; f 2 Z нг C L u 1 T3 f 1 T1 T2 T4 в обратном, те. запирающем, направлении. тиристор Т закрывается. ток начинает проходить через тиристор Т, вторую полуоб- мотку трансформатора и дроссель. коммутирующий конденсатор перезаряжается на обратную полярность и т. д. в качестве одного из недостатков этой схемы преобразователя следует указать на то, что амплитуда выходного напряжения непостоянна, а промодулирована с частотой, равной двойной частоте напряжения питающей сети рис. 56). кроме этого, зависимость устойчивости работы этого преобразователя от величины и характера нагрузки практически носит такой же характер, как и у инвертора тока параллельного типа. для уменьшения глубины модуляции амплитуды выходного напряжения ПЧни следует запитать преобразователь от трехфазной сети (рис. Рис. 56. временные диаграммы напряжений питающей сети (---) и выходного (–– ) напряжения ПЧни 1/1: u 1 – напряжения питающей сети u 2 – напряжения нагрузки Рис. 57. Преобразователь частоты с непосредственной связью и искусственной коммутацией вентилей (ПЧни 3/1) f ; u 1 1 А В С 0 T1 T3 T5 T4 T6 T2 Z нг u ; f 2 2 благодаря принудительной коммутации вентилей в ПЧни можно получить частоту выходного напряжения как меньше, таки больше частоты питающей сети. надежность работы ПЧни достаточно высока. например, при срыве коммутации на интервале положительного полупериода напряжения питающей сети открытые тиристоры автоматически будут закрыты на интервале отрицательного полупериода напряжения питающей сети. отметим и недостатки ПЧни: – отсутствует возможность регулировать величину выходного напряжения преобразователя в выходном напряжении ПЧни содержится большое количество высших гармоник. для реализации возможности регулирования величины выходного напряжения ПЧни требуется существенное усложнение как силовой схемы, таки схемы управления. если вместо тиристоров (не полностью управляемых вентилей) применить полностью управляемые вентили – транзисторы или запираемые тиристоры, ПЧни можно выполнить и без коммутирующих конденсаторов. однако ив этом случае необходимы существенные дополнения силовой схемы и схемы управления для обеспечения возможности рекуперации реактивной энергии нагрузки в питающую сеть. Вопросы для самоконтроля. укажите способы управления преобразователей частоты без звена постоянного тока. Что означает понятие согласованное управление. в чем различие между совместными раздельным управлением. дайте оценку возможному диапазону регулирования частоты выходного напряжения ПЧне (по отношению к частоте питающей сети. как реализуется искусственная коммутация вентилей в преобразователях частоты без звена постоянного тока. Перечислите достоинства и недостатки ПЧне. 7. Перечислите достоинства и недостатки ПЧни. 8. укажите области применения ПЧне и ПЧни. 127 5. СПРАВОЧнЫе дАннЫе ПО эЛеМенТнОй БАЗе инВеРТОРОВ и ПРеОБРАЗОВАТеЛей ЧАСТОТЫ. Справочные данные по транзисторам Таблица Мощные транзисторы полевые, корпус ТО220 наименование технология U с-и max , в I с N , си, в P к max , вт IRF1104/IR N, NEX 40 100 2–4 170 IRF1405/IR N, NEX 55 169 2–4 330 IRF710/Its N, MOS 400 2 2–4 38 BUZ80A/Ph N, MOS 800 3 2,1–4 75 IRF620/STM N, MOS 200 6 2–4 70 IRF740/IR N, NEX 400 10 2–4 125 IRF6215/IR P, NEX –150 13 (–2)–(–4) 110 IRF9530N/IR P, NEX –100 14 (–2)–(–4) 110 IRF9540N/IR P, NEX –100 23 (–2)–(–4) 200 IRF5305N/IR N, NEX –55 31 (–2)–(–4) 200 IRF5210N/IR N, NEX –100 40 (–2)–(–4) 87 IRF3710/IR N, NEX 100 57 2–4 88 IRF3707/IR N, NEX 30 62 2–4 180 IRF3706/IR N, NEX 20 77 0,6–2 170 IRF1010N/IR N, NEX 55 85 2–4 330 STP80NF10/STM N, MOS 100 80 2–4 210 STP12NB30/STM N, MOS 300 12 3–5 125 STP80NF10/STM N, MOS 500 12 3–5 110 STP80NF10/STM N, MOS 600 6 2–4 125 STP80NF10/STM N, MOS 800 5,4 3–5 125 STP80NF10/STM N, MOS 1000 5 3–5 135 Таблица Мощные транзисторы полевые, корпус наименование с max , A U с-и.р , в P к max , вт R с-и.нас , мом I з-и max , мA R пер-корп , °с/мвт Θ max р , °с EFM119 15 100 1000 200 100 300 125 EFM109S 12 500 1000 400 100 300 125 EFM089S 24 100 1000 110 100 300 125 EFM079M113 32 100 960 140 100 300 150 EFM049 8 400 1000 800 100 300 125 BSM181F 34 800 700 320 100 180 150 BSM151F 56 500 700 110 100 180 150 BSM121AR 130 200 700 20 100 180 150 BSM111AR 200 100 700 8,5 100 180 150 EFM029S 7,0 500 1000 1,1 100 300 125 IRFPO64N 110 55 200 8,0 100 – 125 IRF540 28 110 150 52 100 – 125 IRF11010N 49 55 58 12 100 – 125 IRF3710 57 100 200 20 100 – 125 BUZ102S4 52 54 120 16 Таблица Мощные транзисторы полевые отечественные наимено- вание тип корпуcа U с-и max , в I с N , ив к max , вт t сп , нс t вкл , нс t расс , мкс кП946а то 500 15 0,7 40 55 80 0,7 кП948а то 800 5 0,3 20 100 80 1,3 кП948в то 700 5 0,3 20 100 80 1,3 кП953а то 800 15 0,45 50 150 150 2,0 кП953Г то218 600 15 0,45 50 150 150 2,0 кП954а то 150 20 0,3 40 50 50 0,3 кП954б то 100 20 0,3 40 50 50 0,3 кП954в то 60 20 0,25 40 50 50 0,5 кП955а то 500 25 0,6 50 100 100 1,5 кП958а то 150 30 0,2 70 60 80 0,5 Пе кт-97в 60 35 0,12 150 – – – Таблица Транзисторы IGBT, корпус ТО220 Производитель International Rectifier наименование U кэ max , в I к , а ΔU кэ.нас ,в P к max , вт t вкл , нс IRG4BC10к 600 9 2,39 38 11 IRG4BC10SD 600 14 1,58 38 76 IRG4BC20F 600 16 1,66 60 24 IRG4BC20SD 600 19 1,40 60 62 IRG4BC20UD 600 13 1,85 60 39 IRG4BC30FD 600 31 1,59 100 42 IRG4BC30FD 600 28 2,21 100 60 IRG4BC30S 600 34 1,40 100 22 IRG4BC30U 600 23 1,95 100 17 IRG4BC40F 600 49 1,50 160 26 IRG4BC30S 600 40 1,72 160 Таблица Высоковольтные IGBT транзисторы наименование U кэ I к max, A ΔU кэ.нас , в U упр , в P к max , вт t вкл + + t выкл , мкс f перекл max, кГц вUр213 1200 32 3,3 5,5 200 0,045 10 вUр309 1600 25 3,5 5,5 310 0,055 10 вUр314 1200 52 2,7 5,5 300 0,065 10 вUр314D 1200 52 2,7 5,5 300 0,065 10 вUр314S 1200 25 5,5 5,5 300 0,06 10 PM10CZF120 1200 10 2,7 6,0 62 2,1 10 PM15CZF120 1200 15 2,7 6,0 83 2,1 10 PM100CZA120 1200 100 2,3 6,0 593 2,9 10 PM300DSA120 1200 300 2,3 6,0 1790 2,9 10 PM300DSA120 1200 800 2,5 6,0 4630 3,4 10 Таблица Мощные транзисторы биполярные отечественные н аиме- нование тип корпуса U кэ.огр , в U кб0, проб, в I к max , A I к.имп max , а P к max , в т h 21Э , ед. ΔU кэ.нас , в t расс , мкс t сп , мкс кт704 кт-10 600 1000 2,5 4,0 15 10–100 ≤5,0 – – кт810а кт-28 500 850 5 7,0 70 10–50 ≤1,0 ≤4,0 ≤0,3 кт812а кт-9 350 700 10 12,0 50 5–30 ≤2,5 ≤3,5 ≤1,3 кт818а кт-28 400 700 4 8,0 50 10–60 ≤0,5 ≤1,8 ≤0,3 кт826б кт-9 600 1000 1 1,0 15 10–120 ≤2,5 ≤2,5 ≤0,7 кт838а кт-9 700 1500 5 7,5 56 6–35 ≤1,0 ≤10 ≤1,5 кт844а кт-9 250 250 10 20 50 10–50 ≤2,5 ≤2,0 ≤0,3 кт846а кт-9 700 1500 5 7,5 40 15–100 ≤1,5 ≤4,0 ≤0,3 кт847а кт-9 360 650 15 25,0 125 ≥8 ≤1,5 ≤3,0 ≤0,8 кт858а кт-28 200 400 7 10,0 60 ≥10 ≤1,0 ≤2,5 ≤0,7 кт935б кт-97 75 150 20 30,0 90 15–50 ≤1,0 ≤1,5 ≤0,2 кт997а кт-28 45 45 10 20,0 50 40 ≤1,0 ≤0,5 ≤0,1 2кт945а кт-9 150 150 15 25,0 50 12–60 ≤2,5 ≤1,1 ≤0,24 2кт998 кт-10 55 100 15 15,0 50 ≥30 ≤1,5 ≤0,2 ≤0,05 такт такт Таблица Мощные импортные транзисторы биполярные наименование iUiкэ.огр, в I к max , к max , в т h 21Э , ед. ΔU кэ.нас , в t расc , мкс t сп , мкс R пер -корп , см в т Θ max р , °с 1D200AO20 300 200 800 100 2,5 2,0 3,0 1D1200Z100 1000 200 1400 100 2,8 2,5 2,0 89 150 1D1300A000 400 300 800 150 2,0 2,5 1,2 156 150 1D1300Z100 1000 300 2000 100 2,8 2,5 2,0 63 150 1D130F050 600 30 200 100 2,0 3,0 4,0 620 150 1D1400A120 1200 400 3120 100 2,5 3,0 3,0 40 150 2SD915 650 30 300 100 2,0 3,0 4,0 410 150 B2TD019 600 10 150 20 2,5 2,5 15 300 125 B2TD039 400 20 150 40 2,5 0,5 1,8 300 125 B2TD059 800 20 150 50 2,5 1,8 1,8 300 125 B2TD109 400 40 150 50 2,5 1,2 0,9 300 125 B2TD139S 1000 50 150 100 2,5 3,0 3,0 300 125 B2TD149 250 60 150 750 2,5 1,0 0,5 300 125 SK75DB060D 600 75 500 75 2,5 2,5 3,0 350 150 SK75DB100D 1000 75 500 75 2,5 2,5 3,0 250 150 SK50DM060D 600 50 310 75 2,0 1,5 3,0 400 150 SK50DB100D 1000 50 400 75 2,5 2,5 3,0 310 150 SK30DB045D 450 45 189 40 3,0 – 0,7 660 150 SK15DB080D 800 23 189 15 3,0 – 1,5 660 150 SK30DB100D 1000 30 300 75 2,5 2,5 3,0 400 150 SK150DB060D 1000 150 1000 75 2,5 3,0 3,0 125 150 132 5.2. Справочные данные по тиристорам Таблица Тиристоры оптронные н аимено- вание U обр max , в ср , а I имп max , ка ср , а пр, в дин, · 10 –3 о м t выкл , мкс тип охладителя то 100–1000 10 0,40 8 1,6 – 100 то 100–1000 12,5 0,45 8,5 1,4 11,0 100 то 100–1000 10 0,40 8 1,75 13,0 50–150 то 100–1000 40 0,75 19 1,75 4,7 50–150 то 100–1200 25 0,60 13 1,85 – 50–150 то 100–1200 40 0,75 15 1,75 – 50–150 то 100–1200 50 0,80 17 1,85 – 50–150 то 100–1200 63 1,2 19 1,75 – 50–150 то 100–1200 80 1,35 20 1,75 – 50–150 Примечание I 0 V ср – это максимально допустимый средний ток оптотиристора с охладителем при естественном охлаждении и температуре окружающей среды 40 °с. Таблица Тиристоры запираемые н аиме- нование U обр max , в I V ср , а I имп max , ка V ср , а пр, в t выкл , мкс тип охладителя тз132-40 100–1200 100 3,1 72 2,2 12–63 0171 тз132-50 100–1200 100 3,1 72 2,2 12–63 0171 тз142-63 100–1200 100 3,1 72 2,2 12–63 0171 тз142-80 100–1200 100 3,1 72 2,2 12–63 0171 133 5.3. Справочные данные по диодам Таблица Быстродействующие выпрямительные диоды наименование U обр , в ср N , а пр, в I ут max , A I имп.пр , а t восст , нс 100 1,0 0,95 0,005 30 35 SF22 100 2,0 0,95 0,005 75 35 SF34 100 3,0 0,95 0,005 125 35 SF54 200 5,0 0,95 0,005 150 35 SF164 200 16,0 0,975 0,01 125 35 SF302 100 30,0 0,975 0,01 300 35 SF304 200 30,0 0,975 0,01 300 35 SF18 600 1,0 1,25 0,005 30 ее е 1200 12,0 0,95 0,005 30 Таблица диоды лавинные Параметр дЛ112-10 дЛ112-16 дЛ112-25 дЛ122-32 дЛ122-40 дЛ132-50 дЛ132-63 дЛ132-80 Максимальное обратное напряжение U в.обр max , в 400–1500 допустимый средний ток I в.ср , а 10, 16, 25 32, 40 50, 63, ударный неповторяющийся ток I уд max , а, 270, 300 440, 550 1100, 1200, действующий прямой тока, Пороговое напряжение, в 0,87 0,85 дифференцальное сопротивление диф , мом 15,2; 9,3; 5,7 5,3; 3,85 3,4; 2,6; время обратного восстановления Т обр.восст , мкс 6,3; 6,7 7,1; 7,2 9,3; 9,8; вероятность безотказной работы зач тип охладителя 0221-60 0231-80 134 5.4. Справочные данные по конденсаторам Таблица Конденсаторы электролитические с малым импедансом Производитель Jamicon емкость, мкф Максимальное допустимое действующее значение тока пульсаций, а, при п = 100 кГц внутреннее последовательное сопротивление · 10 –3 ом при f п = 100 кГц размер: диаметр мм × длина [мм] напряжение 16 В 0,43 180 8×14 330 0,57 144 10×16 470 0,71 118 10×18 680 0,92 93 10×21 1000 1,22 76 13×21 2200 1,96 43 13×31 3300 2,52 36 13×41 4700 2,70 31 напряжение 25 В 0,33 330 8×11 220 0,59 170 10×16 330 0,76 136 10×18 470 0,97 112 10×21 680 1,27 88 13×21 1000 1,69 72 13×26 2200 2,79 41 13×41 3300 3,11 34 напряжение 35 В 0,39 311 8×14 220 0,66 161 10×18 330 0,95 129 10×26 470 1,12 105 13×21 680 1,48 83 13×26 1000 1,94 68 13×31 2200 2,89 39 16×42 емкость, мкф Максимальное допустимое действующее значение тока пульсаций, а, при п = 100 кГц внутреннее последовательное сопротивление · 10 –3 ом при f п = 100 кГц размер: диаметр мм × длина [мм] напряжение 50 В 0,28 453 8×11 68 0,37 352 8×14 100 0,49 292 10×16 220 0,82 151 10×21 330 1,09 121 13×21 470 1,43 99 13×26 680 1,86 78 13×31 1000 2,56 64 напряжение 100 В 0,45 368 10×26 68 0,53 286 13×21 100 0,71 238 Таблица Конденсаторы электролитические. Тип LFВ емкость, мкф Максимальное допустимое действующее значение тока пульсаций, а, при п = 100 кГц внутреннее последовательное сопротивление · 10 –3 ом при f п = 100 кГц размер: диаметр мм × длина [мм] напряжение 16 В 000 3,1 38 8×14 22 000 4,5 30 напряжение 25 В 6,8 30 25×36 10 000 8,0 26 30×36 22 000 10,6 23 35×50 33 000 13,2 18 35×66 47 000 14,5 17 Окончание табл. 18 емкость, мкф Максимальное допустимое действующее значение тока пульсаций, а, при п = 100 кГц внутреннее последовательное сопротивление · 10 –3 ом при f п = 100 кГц размер: диаметр мм × длина [мм] напряжение 40 В 3,9 90 25×36 4700 5,2 60 30×36 6800 6,8 45 30×50 10 000 8,2 38 35×50 15 000 10,5 29 35×66 22 000 11,7 26 напряжение 63 В 1,6 135 25×36 2200 2,2 75 30×36 4700 4,0 48 35×50 6800 4,9 45 35×66 10 000 5,5 32 напряжение 100 В 1,2 285 25×36 1000 1,8 120 30×36 2200 2,8 68 35×50 4700 3,7 53 35×66 6800 4,5 47 40×66 10 000 7,8 41 напряжение 500 В 0,2 1500 30×30 100 0,3 850 35×50 220 0,6 350 Окончание табл. 19 Таблица Конденсаторы фольговые и металлизированные высокочастотные полипропиленовые (для выходных фильтров инверторов) наименование емкость, мкф U cN , в к 0,001–2,2 к 0,01–22 к 0,001–15 к 0,001–10 к 0,01–22 к 1–68 к 0,1–68 к 1–100 к 0,001–68 стандартный ряд емкостей 0,22; 0,47; 0,68; 1,0; 2,2; 4,7; 6,8; 10; 22; 47; 68; 100 мкф. 5.5. Справочные данные по дросселям Таблица дроссели д высокочастотные двухобмоточные номинальные параметры дросселя при последовательном соединении обмоток при номинальной частоте р = 100 кГц наименование индуктивность, мГн I об.доп.д.з , а U доп.д.з.пер.сост.напр , в R об , ом д, д13-1б д, д13-2б д, д13-3б 0,315 0,08 0,005 0,5 1,0 4,0 58 33 12 0,9 0,25 д, д13-4б д, д13-5б д, д13-6б д, д13-7б д, д13-8б 0,20 0,0125 1,25 0,315 0,020 1,0 4,0 0,5 1,0 4.0 47 18 100 48 15 0,40 0,06 1,50 0,70 д, д13-9б д, д13-10б д, д13-11б д, д13-12б д, д13-13б 2,0 0,5 0,0315 3,15 0,80 0,5 1,0 4,0 0,5 1.0 132 34 16 200 120 1,60 0,60 0,05 1,50 0,80 наименование индуктивность, мГн I об.доп.д.з , а U доп.д.з.пер.сост.напр , в R об , ом д, д13-18б д, д13-19б д, д13-20б д, д13-21б д, д13-22б 0,125 5, 0,315 0,02 0,08 4,0 1,0 4,0 16,0 8,0 34 135 74 10 25 0,13 1,80 0,15 0,02 Внимание При параллельном соединении обмоток дросселя сопротивление и индуктивность уменьшаются в 4 раза, а ток увеличивается в 2 раза. Таблица дроссели типа д дроссели типа д, рассчитанные на рабочий диапазон частот переменной составляющей от 5 до 50 кГц, с индуктивностью от 0,0001 до 0,2 Гни постоянной составляющей тока подмагничивания от 0,07 до 50 а предназначены для работы в источниках питания напряжением до 250 в наименование индуктивность, Гн номинальный ток подмагничивания оба, в, на частоте 5 кГц об, ом д 0,0004 1,6 2,52 д 0,0008 1,1 3,36 д 0,0004 2,2 3,1 д 0,0004 1,6 4,2 д 0,0004 3,2 3,82 д 0,0008 2,2 5,72 д 0,0004 4,5 6,02 д 0,0008 3,2 8,36 д 0,0004 6,3 7,92 д 0,0004 9 11,52 д 0,0008 6,3 15,84 д 0,006 2,2 48,8 д 0,0125 1,6 66,2 д 0,0004 12,5 20,0 д 0,0008 9,0 21,6 д 0,006 3,2 66,0 Окончание табл. 21 наименование индуктивность, Гн номинальный ток подмагничивания оба, в, на частоте 5 кГц об, ом д 0,0004 18,0 21,6 д 0,0008 12,5 30,2 д 0,006 4,5 94,0 д 0,0004 25,0 28,8 д 0,006 6,3 100,0 д 0,0125 4,5 100,0 д 0,112 1,6 100,0 д 0,00125 18,0 86,4 д 0,0025 18,0 0,864 д 0,02 6,3 2,4 д 0,04 4,5 3,5 д 0,3 1,6 10,82 д 0,6 1,1 14,9 д 5,0 0,4 37,4 Внимание При параллельном соединении обмоток дросселя сопротивление и индуктивность уменьшаются в 4 раза, а ток увеличивается в 2 раза. Окончание табл. 22 Библиографический список. Чиженко ИМ, Руденко В. С, Сенько В. И. основы преобразовательной техники учеб. пособие для специальности Промышленная электроника. – М высш. шк, 1974. – 430 с. Шукалов В. Ф. силовые преобразовательные устройства лекции ЛиаП. – Л, 1982. – 58 с. 3. Забродин ЮС. Промышленная электроника учебник для вузов М высш. шк, 1982. – 496 с. Герман-Галкин С. Г. силовая электроника лабораторные работы на Пк. – сПб.: учитель и ученик, корона принт, 2002. – 304 с. Мартынов А. А. трансформатор для вторичных источников питания учеб. пособие / сПбГуаП. – сПб., 2001. 6. Гречко Э. Н, Тонкаль В. Е. автономные инверторы модуляционного типа. – киев наук. думка, 1983. – 304 с. Розанов Ю. К. основы силовой электроники. – М Энергоатом- издат, 1988. – 320 с. 8. Сандлер АС, Сарбатов Р. С Электроприводы с полупроводниковым управлением. Преобразователи частоты для управления асинхронными двигателями. – МЛ Энергия, 1966 – 144 с. Бернштейн А. Я, Гусяцкий Ю. М, Кудрявцев А. В, Сарбатов Р. С. тиристорные преобразователи частоты в электроприводе / под ред. р. с. сарбатова. – М Энергия, 1980. – 328 с. Голландцев Ю. А, Мартынов А. А. Частотное управление двигателями переменного тока текст лекций / ЛиаП. – Л, 1985. – 45 с. Мартынов А. А силовая электроника. Ч. I: выпрямители и регуляторы переменного напряжения учеб. пособие. – сПб.: ГуаП, 2011. – 184. 141 СОдеРЖАние введение .................................................................... 3 1. однофазные инверторы напряжения .......................... 6 1.1. схемы и способы управления однофазных инверторов напряжения ................................................ 6 1.2. однофазный одноплечевой инвертор напряжения .. 10 1.3. Полумостовая схема однофазного инвертора ......... 13 1.4. однофазный инвертор напряжения с выводом нулевой точки первичной обмотки трансформатора ... 16 1.5. однофазный полномостовой (мостовой) инвертор напряжения .................................................... 21 1.6. однофазные инверторы напряжения с широтно- импульсной модуляцией выходного напряжения .. 24 1.7. основные показатели оценки качества формы кривой выходного напряжения ........................... 29 1.8. способы улучшения качества выходного напряжения инверторов напряжения ............................... 33 1.9. Методика расчета выходного фильтра .................. 36 1.10. Пример расчета однофазного мостового инвертора напряжения с выходным фильтром ..................... 38 2. трехфазные инверторы напряжения .......................... 47 2.1. силовая схема трехфазного инвертора напряжения 47 2.2. Широтно-импульсное регулирование напряжения трехфазного инвертора ...................................... 57 2.3. Гармонический состав выходного напряжения трехфазного инвертора напряжения при Шир выходного напряжения ......................................... 60 2.4. Широтно-импульсная модуляция при синусоидальной форме модулирующего напряжения ........ 62 2.5. Гармонический состав выходного напряжении трехфазного инвертора напряжения при синусоидальной ШиМ выходного напряжения ................. 69 2.6. основные характеристики инверторов напряжения с широтно-импульсным способом регулирования напряжения ............................................... 71 3. инверторы тока ....................................................... 73 3.1. инверторы тока параллельного типа .................... 73 3.2. инверторы тока последовательного типа .............. 81 3.3. Последовательно-параллельные инверторы тока ... 88 142 3.4. резонансные инверторы ..................................... 90 3.5. однофазная полумостовая схема резонансного инвертора. Пример расчета резонансного инвертора .............. 93 3.7. регулирование напряжения в инверторах тока ...... 99 3.8. задания для промежуточного контроля знаний студентов по теме инверторы .......................... 101 4. Преобразователи частоты ......................................... 104 4.1. Преобразователи частоты со звеном постоянного тока ................................................................ 105 4.2. Пример расчета преобразователя частоты со звеном постоянного тока .............................................. 109 4.3. Преобразователи частоты без звена постоянного тока ................................................................ 114 5. справочные данные поэлементной базе инверторов и преобразователей частоты .......................................... 127 5.1. справочные данные по транзисторам ................... 127 5.2. справочные данные по тиристорам ..................... 132 5.3. справочные данные по диодам ............................ 133 5.4. справочные данные по конденсаторам ................. 134 5.5. справочные данные по дросселям ........................ библиографический список .......................................... 140 Для заметок учебное издание Мартынов александр александрович сиЛовая ЭЛектроника Часть II инверторЫ и ПреобразоватеЛи ЧастотЫ учебное пособие редактор А. Г. Ларионова компьютерная верстка Н. Н. Караваевой сдано в набор 27.03.12. Подписано к печати 24.05.12. формат 60×84 1/16. бумага офсетная. усл. печ. л. 8,37. уч.-изд. л. 8,9. тираж 200 экз. заказ № 266. редакционно-издательский центр ГуаП 190000, санкт-Петербург, б. Морская ул, 67 |