электротехника 473RTF. Задача Последовательно с катушкой, активное сопротивление которой Rb и индуктивное X

• Название: Задача Последовательно с катушкой, активное сопротивление которой Rb и индуктивное X
• Дата: 06.02.2023
• Размер: 1.9 Mb.
• Имя файла: электротехника 473RTF.rtf
• Тип: Задача; #921972
• страница: 3 из 3

Вопрос 2 (вариант 1). Дырочная (типа р) проводимость полупроводников.

Дырочным полупроводником или полупроводником типа p ( от латинского positive - положительный) называется полупроводник, в кристаллической решетке которого (рис. 1.4) содержатся примесные трехвалентные атомы, называемые акцепторами. В такой кристаллической решетке одна из ковалентных связей остается незаполненной. Свободную связь примесного атома может заполнить электрон, покинувший одну из соседних связей. При этом примесный атом превращается в отрицательный ион, а на том месте, откуда ушел электрон, возникает дырка.

В дырочном полупроводнике, также как и в электронном, происходит тепловая генерация носителей заряда, но их концентрация во много раз меньше концентрации дырок, образующихся в результате ионизации акцепторов. Концентрация дырок в дырочном полупроводнике обозначается pp, они являются основными носителями заряда, а концентрация электронов обозначается np, они являются неосновными носителями заряда.

1.p-n - ПЕРЕХОД (электронно-дырочный переход) - слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n-область) и дырочной (р-область) проводимостью.



Рис. 1. Схематическое изображение р- n -перехода; чёрные кружки - электроны, светлые - дырки.

Свойства р-п-перехода 1. Образуется запирающий слой, образованный зарядами ионов примеси:

d=10-7 м, Dj = 0.4—0,8 В.



2. Направление внешнего поля (источника) совпадает с направлением контактного поля. Тока основных носителей заряда нет. Существует слабый токнеосновных носителей заряда. Такое включение называется обратным.

3. Прямое включение. Существует ток основных носителей заряда. p-n-переход пропускает электрический ток только в одном направлении (свойство односторонней проводимости).

4. Вольт-амперная характеристика идеального р—п-перехода

Зависимость тока через электронно-дырочный переход от приложенного к нему напряжения называют вольт-амперной ха­рактеристикой (ВАХ) перехода, график которой представлен на рис. 2.

Из графика следует, что при положительном смещении, когда ток через переход экспоненциально растет с ростом напряже­ния, переход обладает высокой проводимостью. При отрица­тельном смещении, когда обратный ток быстро достигает значе­ния тока насыщения, переход обладает очень низкой проводи­мостью. При напряжении внешнего источника, равном нулю, ток, протекающий через переход, также равен нулю. Вследствие резко выраженной нелинейности ВАХ р-n-переходы широко используют в качестве ключевых элементов в вентилях различ­ного типа, т. е. в полупроводниковых приборах, имеющих прак­тически два состояния — проводящее (вентиль открыт) и непро­водящее (вентиль закрыт).



Рис. 2. Вольт-амперная характеристика идеального р—п-перехода

Таким образом, изучены физические основы работы полупроводниковых приборов, позволяющие в дальнейшем осознанно изучать устройство и принцип работы конкретных электронных приборов.

К р- и n-областям подключаются (привариваются или припаиваются) металлические выводы. Диод заключается в керамический, металлокерамический, пластмассовый, стеклянный или металлический корпус.

Область кристалла, имеющая наибольшую концентрацию примесей, называется эмиттером. Область с меньшей концентрацией называют базой.

Список литературы.

1. Борисов Ю.М., Липатов Д.Н., Зорин Ю.Н. Электротехника. – М.: Энергоатомиздат, 1985. – 551 с.

2. Волынский Б.А., Зейн Е.Н., Шатерников В.Е. Электротехника. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 525 с. 3. Касаткин А.С., Немцов М.В. Электротехника. – М.: Высшая школа, 2000. – 542 с.

3. Сборник задач по электротехнике и основам электроники /Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Высшая школа, 1987. – 286 с.

4. Фёдоров А.А., Ристхейн Э.М. Электроснабжение промышленных предприятий. – М.: Энергия, 1980. – 336 с.

5. Федотов В.И. Основы электроники. М.: Высшая школа, 1990.

6. Электротехника и электроника. Кн. 1: Электрические и магнитные цепи. /Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Энергоатомиздат, 1996. – 288 с.

7. Электротехника и электроника. Кн. 2: Электромагнитные устройства и электрические машины/ Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Энергоатомиздат, 1997. – 272 с.

8.Электротехника и электроника. Кн. 3: Электрические измерения и основы электроники/ Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Энергоатомиздат, 1998. – 432 с.

9.Кравчик А.Э., Шлаф М.М., Афонин В.Н., Соболевская Е.А. Асинхронные двигатели серии 4А: Справочник. – М.: Энергоатомиздат, 1982. 503 – с.

10.Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник/ Под ред. А.В. Голомедова. – М.: КУбК-а, 1994. – 527 с.

11.Справочник по проектированию электроснабжения / Под ред. Ю.Г. Барыбина и др. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.

12.Лукутин А.В., Шандарова Е.Б. Электротехника и электроника: Учебное пособие. – Томск: ТПУ, 2010. – 198 с. (74847888)

13.Аристова Л. И., Лукутин А. В. Сборник задач по электротехнике: Учебное пособие. – Томск: ТПУ, 2010. – 107 с.