электрические и магнитные цепи. 1 электротехнические устройства постоянного тока
Скачать 1.08 Mb.
|
ГЛАВА ВТОРАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО ТОКА 2.1. ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА СИНУСОИДАЛЬНОГО ТОКА Электротехнические устройства синусоидального (переменного) тока находят самое широкое применение в различных областях народного хозяйства: при генерировании, передаче и трансформировании электрической энергии, в электроприводе, бытовой технике, промышленной электронике, радиотехнике и т. д. Преимущественное распространение электротехнических устройств синусоидального тока обусловлено рядом причин. Современная энергетика основана на передаче энергии на дальние расстояния при помощи электрического тока. Обязательным условием передачи электроэнергии на дальние расстояния и ее распределения является возможность применения простого и с малыми потерями энергии преобразования тока. Такое преобразование осуществимо лишь в электротехнических устройствах переменного тока — трансформаторах. Вследствие громадных преимуществ трансформирования в современной электроэнергетике и применяется прежде всего синусоидальный ток. Исключение составляют лишь линии передачи постоянного тока сверхвысокого напряжения и некоторые технологические установки, но и они входят составной частью в систему цепей синусоидального тока. Большим стимулом для разработки и развития электротехнических устройств синусоидального тока является возможность получения источников электрической энергии большой мощности. У современных турбогенераторов тепловых электростанций мощность равна 100— 1500МВт на один агрегат. Большие мощности имеют и генераторы гидростанций. К наиболее простым и дешевым электрическим двигателям относятся асинхронные двигатели синусоидального тока, в которых отсутствуют движущиеся электрические контакты. Для электроэнергетических установок (в частности, для всех электрических станций) в РФ и в большинстве стран мира принята стандартная частота 50 Гц(в США — 60 Гц). Причины такого выбора простые: понижение частоты неприемлемо, так как уже при частоте тока 40 Гц лампы накаливания заметно для глаза мигают; повышение частоты нежелательно, так как пропорционально частоте растет ЭДС самоиндукции, отрицательно влияющая на передачу энергии по проводам и работу многих электротехнических устройств. 1.2. ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО ТОКА Электрическая цепь синусоидального тока содержит помимо электротехнических устройств, назначение которых совпадает с назначением функционально аналогичных устройств цепи постоянного тока (источники энергии, измерительные приборы, коммутационные аппараты и т. д.), также устройства, присущие только цепям синусоидального тока: трансформаторы, конденсаторы, катушки индуктивности и др. Всю совокупность электротехнических устройств в цепи синусоидального тока для наглядного и компактного отображения связей между ними можно представить принципиальной схемой, аналогичной показанной на рис. 1.2 Для расчета режима работы электротехнических устройств необходимо перейти от принципиальной схемы цепи к ее схеме замещения, которая является количественной моделью для описания процессов в цепи. Схема замещения цепи получается из принципиальной схемы цепи, если все электротехнические устройства представлены соответствующими схемами замещения, состоящими из идеализированных элементов, каждый из которых с достаточно хорошим приближением описывает процессы в той или иной части реального устройства. Напряжения и токи в электрических цепях синусоидального тока и в схемах замещения, соответствующие различным моментам времени, а также в других электрических цепях, в которых токи и напряжения зависят от времени, называются мгновенными значениями и обозначаются строчными буквами ( н и. Элементами схем замещения цепей синусоидального тока являются источники синусоидального тока, источники синусоидальной ЭДС, резистивные, индуктивные и емкостные элементы. Понятия об источниках тока и ЭДС, а также резистивных элементах уже были рассмотрены при анализе цепей постоянного тока. Индуктивные и емкостные элементы являются специфическими элементами при анализе электрических цепей синусоидального тока. Если параметры элементов не зависят от тока и приложенного к ним напряжения, то это линейные элементы. В противном случав элементы следует считать нелинейными. 2.2 ИНДУКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ Вокруг всякого проводника с током г существует, магнитное поле. В электротехнических устройствах синусоидального тока, например в трансформаторах, электрических двигателях, катушках измерительных приборов и т. д. необходимо создавать сильные магнитные поля. Свойства изменяющегося магнитного поля таких устройств рассмотрим на примере катушек индуктивности с различным направлением намотки и не будем учитывать сопротивление проводов обмотки. Если ток iаЬ = il . в катушке постоянный, то в окружающем витки пространстве постоянно и магнитное поле, которое можно характеризовать магнитным потоком Ф—совокупностью непрерывных магнитных линий, т. е. линий вектора индукции В через поверхность, ограниченную замкнутым контуром. Направление магнитных линий зависит от направления намотки витков и направления тока. Внутри катушки оно совпадаете направлением движения буравчика, если его рукоятку вращать в направлении тока (рис. 2.1, и и б). В общем случае конфигурация магнитного поля вокруг витков имеет сложную форму. Но для характеристики катушки индуктивности как элемента электрической цепи часто не требуется знать распределение магнитного поля в окружающем катушку пространстве. Достаточно вычислить потокосцепление ¥ магнитного потока со всеми w витками: ¥=Ф1+Ф2+…+ФR+…+Фw=∑wR=1 ФR где фR — магнитный поток, сцепленный с R-м витком. Основной единицей потокосцепления и магнитного потока в системе СИ служит вебер (Вб). Так как в рассматриваемом случае потокосцепление с витками катушки зависит от тока в этой же катушке, оно называется собственным потокосцеплением. Если со всеми витками катушки сцеплен одинаковый магнитный поток Ф, то собственное потокосцепление ¥=wФ Отношение собственного потокосцепления катушки к току (ай =-(Е катушки называется собственной индуктивностью или короче индуктивностью: L=¥/iL (2.1) Если собственное потокосцепление пропорционально току, то индуктивность I =-сопз1. В противном случае индуктивность зависит от тока /, (4). Зависимость индуктивности от тока проявляется, например, у катушек индуктивности с магнитопровбдом. Так как электрическому току всегда сопутствует магнитное поле, параметром каждой части электротехнического устройства, в которой есть ток, должна быть индуктивность. Конечно, в ряде случаев эта индуктивность может быть настолько мала, что ее влиянием можно пренебречь. Основной единицей индуктивности в системе СИ является генри (Гн), 1 Гн = 1 Вб/А. Индуктивность 1 Гн — достаточно большая единица, поэтому на практике часто применяют кратные единицы измерения индуктивности: миллигенри (мГн), 1 мГн = 1 -10-3 Гн. Если значение тока в витках 'катушки изменяется (увеличивается или уменьшается), то изменяется я собственное потокосцепление. При изменении потокосцепления в витках катушки согласно закону электромагнитной индукциинаводится ЭДС самоиндукции еLУсловное положительное направление ЭДС самоиндукции совпадаете направ^ лением вращения рукоятки буравчика, ввинчивающегося по направлению магнитных линий, и с выбранным положительным направлением тока (рис. 2.1, а и б). По определению эта ЭДС еL=-d¥/dt (2.2а) или с учетом (2.1) еL=-Ldil/dt (2.2б) Из (2.2) следует, что действительное направление ЭДС самоиндукции в данный момент времени может отличаться от выбранного положительного направления и определяется знаком производной тока по времени. Нетрудно видеть, что ЭДС самоиндукции всегда препятствует изменению тока (правило Ленца). Для того чтобы в катушке индуктивности был переменный ток, между ее выводами должно быть напряжение, равное по значению и в каждый данный момент времени противоположное по направлению ЭДС самоиндукции (рис. 2.1, в): uаь = u1 = — еL = L dil/dt=d¥/dt (2.3) Из выражения (2.3) следует, что основная единица потокосцепления и магнитного потока 1 Вб — 1 В -с, а основная единица индуктивности 1 Гн = 1В-с/А = 1 Ом-с. Если сопротивлением проводов катушки индуктивности пренебречь нельзя, то к ее схеме замещения по рис. 2.1, в необходимо добавить последовательно включенный резистив-ный элемент. Индуктивность L, является параметром линейных индуктивных элементов, а линейный индуктивный элемент — схемой замещения любой части электротехнического устройства, в которой собственное потокосцепление пропорционально току. Если зависимость собственного потокосцепления от тока нелинейна, то и схема замещения содержит нелинейный индуктивный элемент, который задается нелинейной вебер-амперной характеристикой ¥ (il). На рис. 2.2 приведены вебер-амперные характеристики линейного (а) и нелинейного (б) индуктивных элементов, а также условные обозначения таких элементов в схемах замещения соответствующих участков электротехнических устройств. Если за время t1 ток в индуктивном элементе изменится от нуля до 1ц, то в магнитном поле элемента (рис. 2.1, в) будет запасена энергия где ¥1— значение собственного потокосцепления при токе 11 = 1и(рис. 2.2). Как следует из (2.4), энергия, запасенная в магнитном поле индуктивного элемента при токе ilпропорциональна соответствующей площади, заключенной между вебер-амперной характеристикой и осью ординат (рис. 2.2), где заштрихована площадь, пропорциональная энергии магнитного поля нелинейного индуктивного элемента при токе (iL1). Из (2.4) с учетом (2.1) следует, что у линейного индуктивного элемента при токе iL энергия магнитного поля Wм = LiL2/2=¥iL /2. (2.5) При увеличении (уменьшении) тока энергия магнитного поля индуктивных элементов увеличивается (уменьшается). Следовательно, индуктивные элементы можно рассматривать как аккумуляторы энергии, которая может в них накапливаться. 2.3 ЕМКОСТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ Между различными частями электротехнических устройств существует электрическое поле электрических зарядов, находящихся на этих частях устройств. В различных электротехнических устройствах, например в изоляторах, конденсаторах и т. д.) возникают достаточно сильные электрические поля. На рис. 2.3, а изображен простейший плоский конденсатор с двумя параллельными обкладками площадью S, которые находятся в вакууме на расстоянии d друг от друга. Если между верхней и нижней обкладками конденсатора площадью S приложить напряжение Uаb > О, то на верхней и нижней обкладках конденсатора накопятся одинаковые положительный и отрицательный заряды ± q, которые называют свободными. Между обкладками плоского конденсатора электрическое поле будет однородным (если не учитывать краевого эффекта) с напряженностью ξ=Uab/d=q/ έ0S (2.6) где е0 = 8,854 -10-12 Ф/м — электрическая постоянная. Накопленный (в конденсаторе) заряд q пропорционален приложенному напряжению Uаb = Uс q=Cuab= Cuc (2.7) коэффициент пропорциональности С называется емкостью конденсатора. Решив совместно ««отношения (2.6) и (2.7), получим выражения для емкости плоского вакуумного конденсатора: С = έ0 S/d Для увеличения емкости плоского конденсатора пространство между обкладками заполняется каким-либо диэлектриком (рис. 2.3, б). Под действием электрического поля хаотически ориентированные в пространстве дипольные молекулы диэлектрика приобретают преимущественное направление ориентации. При этом внутри однородного диэлектрика положительные и отрицательные заряды дипольных молекул компенсируют друг друга, а на границах с обкладками плоеного конденсатора остаются нескомпенсированные слои связанных зарядов а на границе с обкладкой, заряженной положительно, располагается слой отрицательных связанных зарядов, а на границе с обкладкой, заряженной отрицательно, — слой положительных связанных зарядов. Наличие связанных зарядов уменьшает напряженность $ электрического поля внутри конденсатора: откуда следует, что при той же напряженности электрического поля, а следовательно, и напряжении Uаb = Uс заряд q должен быть больше. Поэтому увеличится, как следует из (2.7), и емкость плоского конденсатора по сравнению с емкостью такого же вакуумного конденсатора: С = έr έ0S/d, (2.8) где έr — относительная диэлектрическая, проницаемость заполняющего конденсатор диэлектрика (безразмерная величина). Произведение относительной диэлектрической проницаемости έr на электрическую постоянную έ0 называется абсолютной диэлектрической проницаемостью. έа = έr έ0. (2.9) В табл. 2.1 приведены параметры некоторых диэлектриков. Если свободный заряд (на пластинах конденсатора) пропорционален напряжению между пластинами, то емкость конденсатора постоянна: С = const. В противном случае емкость конденсатора зависит от напряжения С (uс). Основной единицей емкости в системе СИ является фарой (Ф), 1 Ф = 1 Кл/В = 1 А-с/В. Емкость 1 Ф очень велика. В электротехнической практике обычно используются дольные единицы емкости: микрофарад (мкФ), I мкФ =1 *10-6 Ф, нанофарад (нФ), 1 нФ = 1*10-9Ф, и пнкофарад (пФ), 1 пФ = 1 -10-12 Ф. На рис. 2.3, в приведена схема замещения конденсатора (рис. 2.3, о и б) в виде линейного емкостного элемента с параметром С. Такую схему замещения имеет идеальный конденсатор, т. е. конденсатор, у которого можно пренебречь приводящими к нагреванию потерями диэлектрике и изоляции вводов, металле обкладок и т. д. В противном случае в схеме замещения должен быть и резистивнын элемент. Таблица 2.1. Диэлектрическая проницаемость (относительная), электрическая прочность и удельное объемное сопротивление некоторых материалов
* Электрическая прочность всех материалов указана для действующего значения переменного напряжения (си. 5 2.6). Так как электрическое поле всегда существует между различными деталями электротехнических устройств, находящихся под напряжением, между этими деталями есть емкость. Конечно, в ряде случаев эта емкость настолько мала, что ее влиянием можно пренебречь. Линейный емкостный элемент (рис. 2.3, в) является схемой замещения любой части электротехнического устройства, если значение заряда пропорционально напряжению. Если же заряд не пропорционален напряжению, то схемой замещения будет нелинейный емкостный элемент, который задается нелинейной кулон-вольтной характеристикой q (uc). На рис. 2.4 приведены кулон-воль-тные характеристики линейного (а) и нелинейного (б) емкостных элементов, а также условные обозначения таких элементов на схемах замещения. Если напряжение, приложенное к емкостному элементу, будет изменяться (увеличиваться или уменьшаться), то будет изменяться и заряд, т. е. в емкостном элементе появится ток. Положительное направление тока в емкостном элементе выберем совпадающим с.положительным направлением напряжения, приложенного к емкостному элементу. При этом ток Iab=ic=dq/dt (2.10) В линейном емкостном элементе с учетом (2.7) ток Ic=Cduc/dt (2.11) Если за время t1напряжение на емкостном элементе изменится от нуля до uc1то в электрическом поле элемента будет накоплена энергия Или с учетом (2.10) (2.12) где q1 — свободный заряд при напряжении uс = uс1 (рис. 2.4). Как следует из (2.12), энергия, запасенная в электрическом поле емкостного элемента при напряжении uс, пропорциональна соответствующей площади, заключенной между кулон-вольтной характеристикой и осью ординат (рис. 2.4, где заштрихована площадь, пропорциональная энергии электрического поля нелинейного емкостного элемента при напряжении ис,). Из (2.12) с учетом (2.7) следует, что у линейного емкостного элемента при напряжении uс энергия электрического поля Wи=Cu2c/2=quc/2 (2.13) Приведенный анализ показывает, что емкостные элементы электрических цепей можно, как и индуктивные элементы, рассматривать в качестве аккумуляторов энергии, в которых может накапливаться энергия. |