Главная страница
Навигация по странице:

  • 5 Тестовые вопросы. ПЗУ

    		•

    КОС Ржевск. Министерство образования тверской области гбпоу Ржевский колледж


    Скачать 0.59 Mb.
    НазваниеМинистерство образования тверской области гбпоу Ржевский колледж
    Дата18.03.2022
    Размер0.59 Mb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаКОС Ржевск.doc
    ТипДокументы
    #402518
    страница6 из 6
    1   2   3   4   5   6

    4 Тестовые вопросы. ОЗУ



    1. Чем отличается организация режима «Запись» от режима «Чтение»?

      1. Подачей записываемой информации

      2. Организацией обращения к адресу

      3. Порядком организации адреса


    2.Чем отличается организация режима «Чтение» от режима «Запись» ?

      1. Порядком организации адреса

      2. Отсутствием записываемой информации

      3. Организацией обращения к адресу


    3.Каков общий объем 16-разрядного ЗУ для хранения 32 слов?

    1. 512 Мбит

    2. 512 бит

    3. 512 кбит


    4. Сколько бит содержит 1 Кбит?

    1. 1024 бит

    2. 1000 бит

    3. 100 бит


    5.Сколько байт содержит 3 Кбайта?

    1. 3000 бит

    2. 3072 байт

    3. 3000 байт


    6.Из каких временных параметров складывается время обращения к ЗУ при записи?

    1. Время поиска ячейки памяти по опре­деленному адресу плюс время, затраченное на запись информации в найденную ячейку

    2. Время поиска ячейки памяти по опре­деленному адресу плюс время восстановления счи­танной информации в случае ее разрушения (по необходимости) плюс время, затраченное на запись информации в найденную ячейку

    3. Время поиска ячейки памяти по опре­деленному адресу плюс время, затраченное на считывание ин­формации из найденной ячейки плюс время, затраченное на запись информации в найденную ячейку


    7.Из каких временных параметров складывается время обращения к ЗУ при чтении?

    1. время поиска ячейки памяти по опре­деленному адресу плюс время, затраченное на считывание ин­формации из найденной ячейки плюс время восстановления счи­танной информации в случае ее разрушения (по необходимости).

    2. время поиска ячейки памяти по опре­деленному адресу плюс время, затраченное на считывание ин­формации из найденной ячейки плюс время восстановления счи­танной информации в случае ее разрушения (по необходимости) плюс время, затраченное на запись информации в найденную ячейку

    3. время поиска ячейки памяти по опре­деленному адресу плюс время, затраченное на считывание ин­формации из найденной ячейки плюс время на успокоение.


    8. Почему ЗУ на КМОП-транзисторах нашли наиболее широкое рас­пространение?

    1. Из-за малого энергопотребления

    2. Из-за малой времени выборки

    3. Из-за малой стоимости


    9.Какова плотно­сти размещения транзисторов КМОП-структур на подложке микросхемы?

    1. До 100 бит/см3

    2. До 200 бит/см3

    3. До 300 бит/см3


    10. Если адрес пятиразрядный, а количество разрядов равно восьми, то ЗУ при словарной организации может иметь ёмкость

    1. 256 бит

    2. 40 бит

    3. 128 бит


    11. По количеству запоминающих элементов на одной матрице можно судить

    1. О количестве ячеек памяти для хранения информации

    2. О разрядности хранимых слов

    3. О разрядности адреса


    12. Сколько запоминающих элементов должно быть на разрядной плате матричного ЗУ с объ­емом 1024x8?


    1. 8192

    2. 1024

    3. 8


    13 Какому типу ЗУ соответствуют обозначения RАM

    1. ОЗУ

    2. ПЗУ

    3. ДЗУ


    14.Какому типу ЗУ соответствуют обозначения ROM

    1. ОЗУ

    2. ПЗУ

    3. ДЗУ


    15. Какому типу ЗУ соответствуют обозначения PROM

    1. ОЗУ

    2. ППЗУ

    3. СОЗУ


    16. Сколько входов D (данные) имеет ЗУ емкостью 256 х 1?

    1. 1

    2. 256

    3. 256 х 1


    17 . Для чего предназначены входы А запомина­ющих устройств

    1. Адрес данных

    2. Адрес записи

    3. Адрес чтения


    18. Для чего предназначены входы RD запомина­ющих устройств

    1. Запись

    2. Чтение

    3. Хранение


    19. Для чего предназначены входы, WR запомина­ющих устройств

    1. Запись

    2. Чтение

    3. Хранение


    20.Для чего предназначены входы CS запомина­ющих устройств

    1. Запрещение

    2. Разрешение

    3. Уведомление


    21.Для чего предназначены входы DI запомина­ющих устройств

    1. Выходные данные

    2. Данные хранения

    3. Входные данные


    22. Для чего предназначены входы DO запомина­ющих устройств

    1. Данные хранения

    2. Выходные данные

    3. Входные данные


    23. По какому адресу можно ли обратиться в ЗУ К155РУ1:

    1. 0110 0100;

    2. 0001 0000;

    3. 0100 0100


    24. Какие сигналы необходимы для обеспечения записи 0 в микросхеме К155РУ1?

    1. W0 = 0; W1=1

    2. W0 = 1; W1=0

    3. W0 = 0; W1=0


    25. Какие сигналы необходимы для обеспечения записи 1 в микросхеме К155РУ1?

    1. W0 = 0; W1=1

    2. W0 = 1; W1=0

    3. W0 = 1;W1=1


    25. Какие сигналы необходимы для считывания информации в микросхеме К155РУ1?

    1. W0 = 0; W1=1

    2. W0 = 1; W1=0

    3. W0 = 0; W1=0




    1. Какие сигналы необходимы для обеспечения записи в микросхеме К155РУ2?

    1. W = 0; V =0

    2. W = 0; V =1

    3. W = 1; V =0


    27. Какие сигналы необходимы для обеспечения чтение в микросхеме К155РУ2?

    1. W = 1; V =0

    2. W = 0; V =1

    3. W = 1; V =1


    28. Какие сигналы необходимы для обеспечения хранения в микросхеме К155РУ2?

    1. W = 1; V =0

    2. W = 0; V =1

    3. W = 1; V =1


    29. Какие сигналы необходимы для обеспечения обращения и запрета в микросхеме К155РУ2?

    1. W = 1; V =1

    2. W = 0; V =0

    3. W = 0; V =1


    30. Меняется ли потребление мощности в ЗЭ на биполярных транзисто­рах в режимах хранения и считывании?

    1. Потребление мощности зависит от режима

    2. Потребление мощности не зависит от режима

    3. Потребление мощности зависит от числа хранимых единиц


    31. Почему ЗЭ на КМОП-транзисторах получили широкое распростра­нение?

    1. Из-за малой потребляемой мощности

    2. Из-за сверхмалой потребляемой мощности

    3. Из-за сверхмалого времени обращения


    32. С помощью какого элемента удается хранить информацию в ЗУ динамического типа?

    1. Конденсатор

    2. Транзистор

    3. Позистор


    33. Процесс восстановления информации, разрушенной при чтении ЗЭ динами­ческого типа, называется

    1. Дегенерация

    2. Перезапись

    3. Регенерация


    34. Почему ЗЭ на КМОП-транзисторах получили широкое распростра­нение?

    1. Из-за низкой помехоустойчивости

    2. Из-за высокой помехоустойчивости

    3. Из-за сверхмалого времени обращения


    35. Где находится дешифратор адреса микросхемы К155РУ5?

    1. Внутри микросхемы

    2. Вне микросхемы

    3. В специальной микросхеме


    5 Тестовые вопросы. ПЗУ



    1. Чем отличается программирование ПЗУ на заводе-изготовителе?

    1. Нанесением перемычек на нужных участках по фотошаблону заказчика

    2. Нанесением перемычек на нужных участках по фотошаблону завода-изготовителя

    3. Нанесением перемычек на нужных участках по фотошаблону заказчика -изготовителя




    1. Чем отличается программирование ПЗУ пользователем?

    1. Микросхема поступает пользователю с полным набором возможных перемычек, а пользователь программирует перемычки на паяльных установках.

    2. Микросхема поступает пользователю с полным набором возможных перемычек, а пользователь программирует перемычки на специальных установках в соответствии со сво­ими задачами.

    3. Микросхема поступает пользователю с полным набором возможных перемычек, а пользователь программирует перемычки на тестере.




    1. Какой способ организации (или) использу­ется при построении ПЗУ?

    1. Словарный

    2. Матричный

    3. Матрично -словарный




    1. Какой вид ЗЭ используется для хранения информации в ПЗУ?

    1. ЗЭ накопителя выполняется на I2 L-транзисторе

    2. ЗЭ накопителя выполняется на МОП-транзисторе

    3. ЗЭ накопителя выполняется на МДП-транзисторе




    1. Для хранения каких видов информации используются ПЗУ?

    1. Для хранения оперативной информации

    2. Для хранения постоянной или редко меняющейся информации

    3. Для хранения конфиденциальной информации:




    1. Через какой элемент схемы ПЗУ происходит адресная выборка ячейки памяти?

    1. Считывающая шина

    2. Разрядная шина

    3. Адресная шина




    1. Какую роль играет дополнительное напыление диэлектрика в МОП- транзисторах ПЗУМ?

    1. Транзистора

    2. Перемычки

    3. Диода




    1. Из чего состоит матрица ЗЭ ПЗУ КР556РТ4?

    1. МОП-транзистор

    2. МДП-транзистор

    3. Многоэмиттерный транзистор




    1. Каков объем матрицы памяти микросхемы КР556РТ4?

    1. 1024 бит

    2. 1024 кбит

    3. 1024 Мбит




    1. Какие разряды адреса микросхемы КР556РТ4 используются для непосредственного обраще­ния к матрице памяти?

    1. А0-А2

    2. А3-А6

    3. А3-А7


    11.Из чего он складывается объем матрицы памяти микросхемы КР556РТ4?

    1. Число адресов -32, разрядность данных-32

    2. Число адресов -256, разрядность данных -4

    3. Число адресов -128, разрядность данных -8




    1. Для чего предназначен дополнительный дешифратор микросхемы КР556РТ4, на вход кото­рого подаются младшие разряды адреса?

    1. Для управления выходным сумматором 4-х разрядного с лова

    2. Для управления адресом 4-х разрядного с лова

    3. Для управления выходным 4-х разрядным с ловом




    1. Сколько слов содержится в выбранной строке микросхемы КР556РТ4?

    1. Одно

    2. Два

    3. Три




    1. Чему равна разряд­ность каждого слова микросхемы КР556РТ4?

    1. 2

    2. 4

    3. 8




    1. Для чего предназначены сигналыCS1 иCS21 микросхемы КР556РТ4?

    1. Разрешают чтение

    2. Разрешают выборку

    3. Разрешают запись




    1. Каковы достоинства РПЗУ по сравнению с ПЗУ?

    1. Программирование БИС ПЗУ возможно только один раз, а РПЗУ- много раз.

    2. Программирование БИС ПЗУ возможно много раз, а РПЗУ- только один раз.

    3. Программирование БИС ПЗУ возможно только один раз при изготовлении, а РПЗУ- один раз при эксплуатации.




    1. Каковы недостатки РПЗУ по сравнению с ПЗУ?

    1. Низкая надёжность

    2. Высокая стоимость

    3. Высокие эксплуатационные расходы




    1. Какие преимущества дает использование РПЗУ с электрическим сти­ранием информации по сравнению с РПЗУ с ультрафиолетовым стира­нием?

    1. Простота стирания информации

    2. Сложная структурная организация

    3. Большее число циклов перепрограммирования




    1. Какие преимущества дает использование РПЗУ с электрическим сти­ранием информации по сравнению с РПЗУ с ультрафиолетовым стира­нием?

    1. Быстрота стирания информации

    2. Сложная структурная организация

    3. Простота стирания информации




    1. Как влияет на пороговое напряжение появление электронов на пла­вающем затворе МОП-транзистора n-типа?

    1. Стабилизируют пороговое напряжение

    2. Значительно увеличивают пороговое напряжение

    3. Значительно уменьшают пороговое напряжение




    1. Какие преимущества обеспечивает использование РПЗУ на МОП- транзисторах с двойным затвором по сравнению с МОП-транзисторами с одним плавающим затвором?

    1. Большее значение программирующего напряжения

    2. Отсутствие программирующего напряжения

    3. Меньшее значение программирующего напряжения




    1. Какие преимущества обеспечивает использование РПЗУ на МОП- транзисторах с двойным затвором по сравнению с МОП-транзисторами с одним плавающим затвором?

    1. Наличие дополнительного МОП-транзистора в запоминающем элементе

    2. Отсутствие дополнительного МОП-транзистора в запоминающем элементе

    3. Отсутствие дополнительного МНОП-транзистора в запоминающем элементе




    1. Какой запоминающий элемент РПЗУ позволяет суще­ственно уменьшить потребляемую ими мощность в режиме хранения?

    1. Запоминающий элемент на RS-триггерах

    2. Запоминающий элемент на ТТЛ – транзисторе

    3. Запоминающий элемент на МОП – транзисторе


    24 Как маркируются микросхема ПЗУ


    1. КР556ПЗ4

    2. КР556 РТ4

    3. КР556ТР4


    25 В каком корпусе выполнена микросхема КР556РТ4


    1. 238.16-2

    2. 239.24-2

    3. 402.16-21
    1   2   3   4   5   6

    написать администратору сайта