Главная страница

Газизов - ЭСиУРС. Т. Р. Газизов Электромагнитная совместимость и безопасность радиоэлектронной аппаратуры Рекомендовано умо по образованию в области сервиса и туризма в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведени


Скачать 3.32 Mb.
НазваниеТ. Р. Газизов Электромагнитная совместимость и безопасность радиоэлектронной аппаратуры Рекомендовано умо по образованию в области сервиса и туризма в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведени
АнкорГазизов - ЭСиУРС.pdf
Дата27.04.2018
Размер3.32 Mb.
Формат файлаpdf
Имя файлаГазизов - ЭСиУРС.pdf
ТипДокументы
#18550
страница18 из 20
1   ...   12   13   14   15   16   17   18   19   20
Микрополосковые линии В разводке электрических соединений аппаратуры могут быть структуры из n последовательно соединенных отрезков проводной линии. Рассмотрим структуры из 2 последовательно соединенных отрезков 2, 3, 4 связанных микрополосковых линий. Поперечное сечение структуры для N=4 показано на рис. 4.8, где T и W – толщина и ширина проводников, S – расстояние между ними, D – расстояние от проводника до края структуры, H
d1
– толщина подложки. Матрицы [C] и [L] для N = 2, 3, 4 вычислялись при T/W=0,05; D/W=1; S/W=1; H
d1
/W=0,5 в программе LINPAR [199]. Относительная толщина покрывающего слоя
H
d2
/W=0 и H
d2
/W=0,1; 0,15; …; 1. Зависимость максимальной разности погонных задержек мод от H
d2
/W, полученная из вычисленных матриц, показана на рис. 4.9.
ε
r 1
= 3
ε
r 2
= 5
H
d 1
H
d 2 4
3 2
1
W
W
W
W S
S
S
D
D
T
T
T
T Рис. 4.8. Поперечное сечение исследуемой структуры
0 100 200 300 400 500 600 0
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
H
d 2
/W
max(
τ
i
) – min(
τ
i
), пс/м
Рис. 4.9. Зависимость максимальной разности погонных задержек мод от H
d
2
/W для N = 2 (—), 3 (– –), 4 (---)
При моделировании отклика параметры двух отрезков выбирались разными, но из условия, что их максимальные разности погонных задержек приблизительно равны отрезок 1 – без диэлектрического слоя
(H
d2
/W=0), а отрезок 2 – с покрывающим диэлектрическим слоем толщиной для N=2, 3, 4). Проводник 1 отрезка 1 возбуждается генератором импульса э.д.с. в форме трапеции (t
r
= t
f
= 100 пс, t
d
=200 пс. Результаты моделирования для N=2, 3, 4 представлены на рис. 4.10. Видно, что исходный импульс может разлагаться на стыке двух отрезков на N импульсов гораздо меньшей амплитуды и восстанавливаться в конце второго отрезка. Если на стыке отрезков включен между сигнальными общим проводником защитный прибор, закорачивающий цепь при превышении определённого напряжения на нм, то почтив раза большее напряжение вначале структуры может оказаться на нагрузке в конце структуры, а защитный прибор не сработает. Таким образом, есть основание полагать, что указанное явление разложения и восстановления импульса может иметь место в реальных структурах и быть одной из причин отсутствия срабатывания защитных приборов. Кроме того, если злоумышленнику известны параметры отрезка 2, ион контролирует параметры отрезка 1, то он может организовать кондуктивную ПЭМП. Поэтому важно сформулировать условия восстановления импульса. В общем случае, для n отрезков проводных линий длиной l
j
восстановление будет наиболее эффективным при одновременном приходе всех мод к концу структуры, те. при условии
,
1 2
1 где
τ
ij
– погонная задержка й моды го отрезка. Отметим, что при моделировании (рис. 4.10) длина отрезка 1 выбиралась из условия полного разложения импульса, а длина отрезка 2 подбиралась по наиболее полному восстановлению импульса в конце структуры. Подстановка длин и погонных задержек мод отрезков в условие (4.5) (табл. 4.1) и сопоставление её результатов с рис. 4.10 показывает, что чем строже выполняется условие (4.5), тем полнее восстанавливается импульс. Таблица Проверка выполнения условия (4.5), нс

N=2, l
1
=1,5 мм мм мм 0,9 1
0 1
2 3
4 5
6 7
8 9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
V 1
V 3
a
V5
R 1
R 2
R 3
R 4
V 1
V 2
V 3
V 4
V 5
V 6
e
отрезок 1
отрезок 2
-0,1 0
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
0 2
4 6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34
V 4
V б 1
R 2
R 4
R 5
V 1
V 2
V 4
V 5
V 7
V 8
e
отрезок 1
отрезок 2
R 3
R 6
V 3
V 6
V 9
V 1
-0,1 0
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
0 2
4 6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 54 56 58
V 1
V 5
V в 1
R 2
R 5
R 6
V 1
V 2
V 5
V 6
V 9
V 10
e
отрезок отрезок 2
R 3
R 7
V 3
V 7
V 11
R 4
R 8
V 4
V 8
V Рис. 4.10. Структура и формы напряжения (В, нс) для N=2 (а, 3 (б, 4 (в)
Силовые кабели. Рассмотрим широко применяемые силовые кабели из трех одинаковых изолированных проводов в общей изолирующей оболочке, называемые далее круглыми плоским (риса б Рис. 4.11. Сечение кабеля круглого (а, плоского (б) В круглом кабеле максимальная разность погонных задержек близка к нулю, а в плоском – может быть существенной [192]. Для плоского кабеля выберем два варианта опорного проводника проводники проводник. Вычисление погонных задержек плоского кабеля с реальными размерами для диапазона значений относительной диэлектрической проницаемости оболочки кабеля при изоляции проводников с ε
r1
=2 выполнено в системе TALGAT [200]. Результаты вычисления показали, что погонные задержки соответствующих мод для вариантов 1 и 2 совпадают, а зависимость их разности отменяет знак, проходя через нуль (рис. 4.12).
3,5 4
4,5 5
5,5 1
2 3
4 5
6 7
8 9
10
τ, нс/м
ε
r Рис. 4.12. Зависимости погонных задержек мод от ε
r
2
:
τ
1
(
),
τ
2
(---)
Рассмотрим такую же, как на рис. 4.10 a, структуру из двух последовательно соединенных отрезков кабеля из рис. 4.11 б. Пусть параметры импульса t
r
=t
f
=50 пс, t
d
=0 пс. Предположим, что для отрезка 2 ε
r2
=3 (поливинилхлоридный пластикат. Тогда при ε
r2
=7 для отрезка 1 получим из условий разложения и восстановления импульсами м. Результаты моделирования отклика для варианта 1 (проводник 2 опорный, когда импульс подается на проводник 1, показаны на рис. 4.13. Видно, что на стыке отрезков происходит полное разложение исходного импульса, а на конце структуры – полное восстановление.
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0
1 2
3 4
5 6
7 8
9
V 1
V 3
V Рис. 4.13. Формы напряжения (В, нс) на активном проводнике 1 для варианта 1 Моделирование отклика для варианта 2 (проводник 3 опорный) выполнено для двух случаев подключения источника активен проводник 2 рис. 4.14); активен проводник 1 (рис. 4.15). Из рис. 4.14 видно, что разложение импульса происходит полностью, но амплитуды импульсов существенно различаются, а на рис. 4.15 разложения вовсе не происходит. Из этого следует, что сформулированные аналитические условия являются необходимыми, ноне достаточными для разложения импульса, поскольку оно может зависеть и от воздействия на проводники. Можно полагать, что в подобных структурах амплитуды импульсов разложения зависят и от собственных векторов, соответствующих погонным задержкам мода также от согласования на концах и стыках структуры. Более детальное исследование соответствующих зависимостей видится актуальными ведется авторами, но выходит за рамки данной работы.

234 0
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0
1 2
3 4
5 6
7 8
9
V 2
V 4
V Рис. 4.14. Формы напряжения (В, нс) на активном проводнике 2 для варианта 2 0
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0
1 2
3 4
5 6
7 8
9
V 1
V 3
V Рис. 4.15. Формы напряжения на (В, нс) активном проводнике 1 для варианта Таким образом, в структурах из отрезков многопроводных линий передачи, например микрополосковых линий и силовых кабелей, возможно разложение и восстановление импульса. Это явление может быть причиной отсутствия срабатывания защитных приборов на стыке таких отрезков. Оно же может использоваться ив целях электромагнитного терроризма. Поэтому актуально более глубокое исследование теории этого явления, а также потенциальных возможностей его возникновения и использования в конкретных приложениях. Однако несложное моделирование, аналогичное выполненному, и простые аналитические формулы, приведенные здесь, позволят сделать всем заинтересованным первые необходимые оценки.

235
4.3. Компьютерное моделирование оптимизация генетическими алгоритмами Полный контроль паразитных эффектов на всех уровнях интеграции чип, плата, корпус, комната, здание, реальная местность, при одновременном получении высоких функциональных характеристик с учётом всех возможных ЭМ воздействий, очень сложен и немыслим без тщательного компьютерного моделирования ЭМ эффектов. Использование результатов программной реализации моделей для анализа, синтеза и оптимизации позволяет ответить на многие вопросы, связанные с решением подобных задач. Для того чтобы работа оставалась открытой, в ней не приводятся результаты компьютерного моделирования конкретных задач обеспечения безопасности реальных объектов. Поэтому в данном разделе рассматриваются несколько примеров, имеющих лишь небольшое практическое значение. Тем не менее, они показывают, что использование разработанных средств компьютерного моделирования для решения реальных задач обеспечения безопасности вполне возможно. Отметим, что задачи, связанные с безопасностью, часто отличаются сложностью и произвольностью исследуемой структуры, большим числом её параметров и широким диапазоном их возможных значений. Кроме того, характер зависимости интересующих характеристик от этих параметров часто вообще неизвестен или отличается сложным поведением с многочисленными экстремумами (например, с резонансами частотных характеристик. Поэтому для решения этих задач хороша оптимизация генетическими алгоритмами. Прежде всего, надо выбрать программную систему своей или чужой разработки. Конечно, использование своей разработки, в общем случае, обладает рядом важных стратегических преимуществ, в частности оперативностью ил гкостью независимого развития программной системы в необходимом направлении. Однако создание своей программной системы, опережающей лучшие известные аналоги, весьма трудоёмко, и на конкретном этапе она может уступать им по определённым характеристикам. Между тем, существует ряд задач, которые можно решать и с помощью чужих программных систем, особенно если они доступны и уже имеются. Отметим, что использование известных программных систем невольно приводит и к их исследованию, хотя бы частичному, и учёт результатов этого исследования благотворно сказывается на своей разработке Одной из мощных систем известного семейства NEC является система, отличающаяся удобным графическим интерфейсом для ввода и электродинамического анализа произвольных проводных структур с возможностью их параметрической оптимизации посредством ГА. Примере использования будет показан в разд. 4.3.1. Однако в 4NEC2 реализована только параметрическая оптимизация, причём только по минимуму КСВ и максимуму коэффициента усиления антенны. В программной системе TALGAT реализована возможность не только параметрической оптимизации с задаваемой пользователем функцией качества, причём даже нескольких структурно и структурная оптимизация, а также струк- турно-параметрическая оптимизация, примеры которых будут показаны в разд. 4.3.2 и разд. 4.3.3.
4.3.1. Параметрическая оптимизация В данном разделе показывается возможность использования параметрической оптимизации генетическими алгоритмами для решения задач обеспечения безопасности на примере наихудшего расположения молниеотвода широкополосной проводной антенны [201]. В качестве основы для исследуемой структуры выбран вариант широкополосной проводной антенны, а в качестве влияющего элемента – проводящий штырь. Отметим, как минимум, три различных аспекта безопасности, существующих для этой структуры разработка широкополосных проводных антенн для излучения шумоподобных сигналов обеспечивает скрытную радиосвязь молниезащита антенны часто обеспечивается вертикальным проводящим заземлённым штырём, располагаемым так, чтобы обеспечить надёжную защиту от молнии без существенного ухудшения характеристик антенны проводящие структуры, преднамеренно или непреднамеренно расположенные около антенны, могут изменить её характеристики. Рассмотрим, например, влияние молниеотвода, выполненного в виде вертикального проводящего заземлённого штыря длиной 30 м определим расстояние, на котором должен быть расположен молниеотвод, при котором КСВ, одна из основных характеристик рассматриваемой антенны, например на частоте 21 МГц, максимально увеличится (рис. 4.16). Используем параметрическую оптимизацию с помощью ГА с параметрами максимальное число поколений 90; размер поколения 30; коэффициент кроссовера 0,6; коэффициент мутации 0,1. Оптимизируется координата Y молниеотвода (при X=0) в пределах от 0,5 дома б Рис. 4.16. Исследуемая структура и её диаграммы направленности
В итоге получена очень быстрая (в каждом из первых же поколений) сходимость решения к величине 3,6811 м. При этом КСВ стала без штыря был 4,128, те. максимальное влияние штыря на КСВ оказалось очень слабым, несмотря на то, что штырь находится вблизи почти вертикально направленных участков запитки антенны. Отметим, что этот факт был выявлен именно с помощью параметрической оптимизации и был не очевиден доне. Интересно выяснить, как в этом случае изменяется диаграмма направленности антенны. Рассмотрим излучение антенны в дальней зоне для угла азимута
ϕ=0 (совпадает с осью Охи направлением раскрыва антенны) при
θ=–90…+90. При этом составляющая электрического поля антенны без штыря полностью отсутствует, что видно из риса, на котором показана величина вертикального коэффициента усиления, нормированная к величине –999 dBi. (Выявлено, что такая же картина, те. полное отсутствие влияния, будет и при любом расположении штыря в плоскости, что объясняется полной взаимной компенсацией токов, наводимых в штыре полями от дифференциально запитываемых плеч антенны, расположенных симметрично плоскости XZ. Ясно, что не только в штыре, но ив любой проводящей структуре, произвольно расположенной в плоскости симметрии дифференциально запитываемой антенны, будут отсутствовать токи, наведённые токами этой антенны. Видимо, этот факт может иметь важные практические приложения) На рис. 4.16 б, показана величина вертикального коэффициента усиления, нормированная к величине для структуры со штырем в точке Y=3,6811 м, X=0 (ось О ортогональна плоскости страницы. Видно, что влияние штыря уже проявляется, причём различно для разных значений
θ. Однако даже максимальная величина вертикального коэффициента усиления в –23 dBi даёт очень малый вклад в общий коэффициент усиления антенны, составляющий несколько dBi. Впрочем, при необходимости возможен и более тщательный поиск максимального влияния по ряду других параметров. Очевидно, что параметрическая оптимизация с помощью ГА применима к решению реальных задач обеспечения безопасности, поскольку ГА позволяет оптимизировать любые характеристики по любым параметрам
4.3.2. Структурная оптимизация В данном разделе [202] показан пример структурной оптимизации посредством ГА. Исходная структура представляет собой 15 стержней пом каждый, расположенных в 5 м друг от друга (по 5 на каждом из трёх рядов) в вертикальной плоскости ZX (рис. 4.17).
Рис. 4.17. Исходная структура (5
×3 стержней, центральный запитывается) и точка (10; 100; 12,5), в которой минимизируется и максимизируется поле Положение стержней полагается фиксированным, но каждый стержень в структуре может быть или не быть, что кодируется в ГА одним битом. Условия симметрии структуры намеренно не накладываются, так что общее число возможных комбинаций 2 14
. Центральный стержень не убирается и запитывается источником синусоидального напряжения частотой МГц. Результаты оптимизации структуры по критерию минимизации и максимизации поля в точке дальней зоны напротив запитываемо- го стержня приведены в табл. 4.2 и 4.3 соответственно. Из таблиц видно, что ГА за довольно малое число решений задач анализа (размер популя- ции*число поколений) даёт неочевидные структуры, которые трудно синтезировать по интуиции, но эти структуры показывают существенное изменение поля уменьшение – дои увеличение – до 20%. Отметим, что неочевидность структур, генерируемых с помощью ГА, (но при этом удовлетворение ими заданных характеристик) может с успехом использоваться в целях маскировки или повышения скрытности структур специального назначения. Таким образом, структурная оптимизация с помощью ГА может быть полезной для повышения эффективности решения реальных задач обеспечения безопасности
Таблица Результаты структурной оптимизации по минимуму поля Структура Размер популяции*число поколений Время, с |E
Z
| / |E
Z
исх
|
Исходная –

1 30*10 270 0,433 30*30 818 0,413 Та же 30*100 2588 0,413 Таблица Результаты структурной оптимизации по максимуму поля Структура Размер популяции*число поколений Время, с |E
Z
| / |E
Z
исх
|
Исходная –

1 30*10 271 1,185 Та же 30*30 811 1,185 30*100 2649 1,187

241
4.3.3. Структурно-параметрическая оптимизация Известно использование ГА для параметрической оптимизации иго- раздо реже – для структурной, а о структурно-параметрической оптимизации посредством ГА в задачах безопасности автору неизвестно. В данном разделе показана возможность использования ГА для структурно- параметрической оптимизации в задачах безопасности [203]. В качестве тестового примера задачи безопасности рассмотрим оптимизацию структуры из антенны и проводящих стержней с целью такого их расположения, которое бы максимально уменьшало излучение антенны в заданной точке. Используем в качестве инструмента для электродинамического анализа и структурно-параметрической оптимизации систему. Структура представляет собой вертикальный полуволновой диполь, окруженный такими же стержнями. В центре диполя расположен источник напряжения 1 В. Целью оптимизации поставим снижение напряженности поля в заданной точке дальней зоны изменением количества структурная оптимизация) и перемещением в пространстве (параметрическая оптимизация) стрежней. Введем ограничения максимальное количество стержней – 10; все элементы структуры расположены на одной высоте стержни перемещаются в пределах заданной квадратной площадки. В результате каждому стержню соответствует три переменных признак существования (определяет, будет ли учитываться данный стрежень при анализе) и координаты центра стержня на плоскости
1   ...   12   13   14   15   16   17   18   19   20


написать администратору сайта