Териалы электронной техники
 Скачать 2.56 Mb.
|
6.2. Описание установкиСвойства сегнетоэлектриков исследуются осциллографическим методом на промышленной частоте. Схема измерительной установки приведена на рис. 7.3, где использованы следующие обозначения: Gl – регулируемый генератор переменного напряжения; PV1 – вольтметр для измерения входного напряжения; Rl, R2 – делитель напряжения; С01 – образцовый конденсатор для градуировки осциллографа; C02 – образцовый конденсатор большой емкости; PV3 –милливольтметр для измерения падения напряжения на C02; /\/ – осциллограф; Сх – испытуемый сегнетоэлектрический конденсатор; C – разделительный конденсатор, G2 – регулируемый генератор постоянного напряжения смещения; PV2 – вольтметр для измерения постоянного напряжения смещения или температуры испытуемого сегнетоэлектрического конденсатора; T - термопара.  Рис. 6.3. Схема установки для исследования сегнетоэлектриков Для исследования сегнетоэлектриков по петлям гистерезиса на горизонтальный вход осциллографа (вход X) подается напряжение с резистора R2, пропорциональное полному напряжению на входе схемы, измеряемому вольтметром PV1. Приложенное напряжение падает в основном на испытуемом образце, так как его емкость Сх много меньше емкости последовательно соединенного образцового конденсатора С02, с которого снимается напряжение на вертикальный вход осциллографа (вход У). В переменном поле заряды последовательно включенных конденсаторов равны, поэтому падение напряжение на конденсаторе С02 пропорционально заряду на нелинейном конденсаторе Сх: Q02 = C02U3 = Qx= CxU1 Таким образом, на экране осциллографа можно видеть зависимость заряда сегнетоэлектрического конденсатора от напряжения на его обкладках. Для исследования реверсивной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков используются регулируемые генераторы Gl и G2. Падение напряжения на образцовом конденсаторе C02, пропорциональное заряду на Сх, измеряется с помощью милливольтметра PV3. Постоянное напряжение генератора G2, измеряемое вольтметром PV2, управляет реверсивной емкостью сегнетоэлектрического конденсатора Сх. 6.3. Проведение испытаний6.3.1. Градуировка горизонтальной и вертикальной осей Включить осциллограф в сеть и дать ему прогреться в течение 5 мин. Ключ S2 поставить в положение 1. Добиться четкого изображения пятна в центре экрана. С помощью ключа S1 подключить образцовый конденсатор известной емкости C01. Подать на измерительную схему питание от генератора переменного напряжения Gl и по вольтметру PV1 установить напряжение U1, равное 142 В. Ручкой «Горизонтальное усиление» развернуть луч на экране осциллографа по горизонтали на 3 дел. (считая от центра), которым соответствует амплитуда приложенного напряжения. В дальнейшем ручку «Горизонтальное усиление» не трогать! Ручкой «Вертикальное усиление» развернуть луч по вертикали на 3 дел. (считая от центра), которым соответствует амплитуда напряжения на конденсаторе C02. В дальнейшем ручку «Вертикальное усиление» не трогать! Зарисовать полученное изображение на кальку. 6.3.2. Исследование петель диэлектрического гистерезисасегнетоэлектрического конденсатораС помощью ключа S1 подключить к схеме сегнетоэлектрический конденсатор Сх. Задавая различные значения напряжения с выхода генератора переменного напряжения Gl, которые устанавливаются через каждые 0,5 дел. по горизонтальной оси на экране осциллографа (от нуля до максимального значения), зарисовать на кальку с экрана осциллографа семейство петель гистерезиса при различных напряжениях. Таблица 6.1
Занести в табл.6.1 координаты вершин (X и Y) полученных петель гистерезиса с экрана осциллографа. Выключить осциллограф. |