Главная страница
Навигация по странице:

  • КОЛЛЕДЖ СВЯЗИ УТВЕРЖДАЮДиректор КС ПГУТИ____________Р.В. Андреев«__12___» ____01_______2019г.Сборник лабораторных работ

  • Основы электроники и цифровой схемотехники для специальности 09.02.03 – Программирование в компьютерных системахНомера работ: № 1–7

  • Получить допуск к работе, выполнив тест для допуска

  • сборник лаб к вашим услугам. Сборник лаб раб (1). Колледж связи


    Скачать 468.5 Kb.
    НазваниеКолледж связи
    Анкорсборник лаб к вашим услугам
    Дата23.10.2021
    Размер468.5 Kb.
    Формат файлаdoc
    Имя файлаСборник лаб раб (1).doc
    ТипПротокол
    #253879
    страница1 из 4
      1   2   3   4


    Федеральное агенТство связи

    Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение


    высшего образования

    «Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики»

    КОЛЛЕДЖ СВЯЗИ

    УТВЕРЖДАЮ

    Директор КС ПГУТИ

    ____________Р.В. Андреев

    «__12___» ____01_______2019г.


    Сборник лабораторных работ

    по МДК.04.02

    Основы электроники и цифровой схемотехники
    для специальности 09.02.03 – Программирование в компьютерных системах
    Номера работ: № 1–7

    Сборник рассчитан на 14 часов



    Составили преподаватели:

    Славкина Т.А.




    Некрылова Т.Б.


    Рассмотрен на заседании П(Ц)К

    «Информационные системы и технологии»

    Протокол №__5__ от__10.01________2017.

    Председатель ____________ Шомас Е.А.


    Самара

    2017

    Перечень компетенций


    Код

    Наименование результата обучения

    ПК 4.1

    Подготавливать к работе, настраивать и обслуживать аппаратное обеспечение и операционную систему персонального компьютера

    ПК 4.2

    Подготавливать к работе, настраивать и обслуживать периферийные устройства персонального компьютера и компьютерную оргтехнику

    ПК 4.3

    Осуществлять ввод и обмен данными между персональным компьютером и периферийными устройствами и ресурсами локальных компьютерных сетей

    ОК 1.

    Понимать сущность и социальную значимость своей будущей профессии, проявлять к ней устойчивый интерес

    ОК 2.

    Организовывать собственную деятельность, выбирать типовые методы и способы выполнения профессиональных задач, оценивать их эффективность и качество

    ОК 3.

    Принимать решения в стандартных и нестандартных ситуациях и нести за них ответственность

    ОК 4.

    Осуществлять поиск и использование информации, необходимой для эффективного выполнения профессиональных задач, профессионального и личностного развития

    ОК 5.

    Использовать информационно-коммуникационные технологии в профессиональной деятельности

    ОК 6.

    Работать в коллективе и в команде, эффективно общаться с коллегами, руководством, потребителями

    ОК 7.

    Брать на себя ответственность за работу членов команды (подчиненных), за результат выполнения заданий

    ОК 8.

    Самостоятельно определять задачи профессионального и личностного развития, заниматься самообразованием, осознанно планировать повышение квалификации

    ОК 9.

    Ориентироваться в условиях частой смены технологий в профессиональной деятельности


    ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1

    НАИМЕНОВАНИЕ: Измерение характеристик полупроводниковых приборов

    1. Цель работы

      1. Снять вольт-амперную характеристику полупроводникового диода.

      2. Научиться определять по ВАХ параметры полупроводниковых приборов.

      3. Формирование ОК 4,5,6; овладение знаниями и умениями, необходимыми для освоения ПК4.1-4.3

    1. Подготовка к работе

      1. Повторить тему «Полупроводниковые диоды» по указанной литературе.

    1. Литература

      1. Славкина Т.А. Основы электроники и цифровой схемотехники. Учебное пособие. КС ПГУТИ, 2019. Электронная версия

      2. Некрылова Т.Б. Электронная техника. Учебное пособие. КС ПГУТИ, 2018. Электронная версия.

    2. Перечень необходимых материалов

      1. Описание лабораторной работы.

      2. ПЭВМ.

    3. Задание

      1. Получить допуск к работе, ответив на вопросы для допуска:

        1. Из каких полупроводников (собственных или примесных) изготавливаются полупроводниковые приборы и почему?

        2. При каком включении p-n перехода (прямом или обратном) через него проходит большой ток?

        3. Записать определение полупроводникового диода.

        4. Что называется вольтамперной характеристикой диода?

        5. Привести соотношение А – мА, А – мкА, Мом – Ом, кОм – Ом, В – мВ, В – мкВ.

      2. Выполнить измерения и построить вольт-амперную характеристику стабилитрона.

      3. Определить параметры стабилизации и дифференциальное сопротивление стабилитрона.

      4. Ответить на контрольные вопросы.

    4. Порядок выполнения работы

      1. П ривести схему исследования стабилитрона (рисунок 1).


    Рисунок 1

      1. Изменяя Iобр, определить Uобр и занести значения в таблицу 1.

    Таблица 1

    Iобр, мA

    0

    5

    10

    15

    20

    Uобр, В
















      1. По результатам измерений построить ВАХ стабилитрона.

      2. Р
        12
        ассчитать дифференциальное сопротивление стабилитрона.

      3. По вольт-амперной характеристике определить Iст.min, Iст.max, Uст.

      4. Оформить отчёт о проделанной работе.

    1. Содержание отчёта

      1. Наименование и цель работы.

      2. Выполненное задание.

      3. Ответы на контрольные вопросы

    2. Контрольные вопросы

    Вопрос

    Ответ

    1. Укажите назначение варикапа

    1. Выпрямление переменного тока

    2. Электрически управляемая емкость

    3. Стабилизация напряжения

    4. Усиление сигнала

    2. Выберите условное графическое обозначение стабилитрона




    1 2 3 4

    3. Укажите тип диода АИ305А

    1. Выпрямительный диод

    2. Туннельный диод

    3. Варикап

    4. Стабилитрон

    4. Укажите материал, из которого изготовлен диод 1Д217А

    1. Германий

    2. Кремний

    3. Карбид кремния

    4. Арсенид галлия

    5. Укажите, какое напряжение подается на стабилитрон в рабочем состоянии

    1. Прямое

    2. Обратное

    3. Большое

    4. Малое

    6. Какое физическое явление положено в основу работы стабилитрона?

    1. Зависимость барьерной емкости от Uобр

    2.Односторонняя проводимость p-n перехода

    3.Электрический пробой

    4. Тепловой пробой



    3
    ПРИЛОЖЕНИЕ

    Полупроводниковым диодом называется прибор, содержащий p-n переход и имеющий два вывода. Выпрямительным диодом называется диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный. Стабилитроном называется кремниевый диод, работающий в режиме электрического пробоя и предназначенный для стабилизации напряжения. Варикапом называется диод, применяемый в качестве электрически управляемой емкости. Туннельным диодом называется диод, имеющий на ВАХ участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

    На рисунке 2 изображена вольт-амперная характеристика стабилитрона. АВ – рабочий участок, участок электрического пробоя. По характеристике видно, что при значительных изменениях Iобр, напряжение практически не меняется. На ВАХ показаны параметры стабилитрона:

    Iст min – минимальный ток стабилизации

    Iст max – максимальный ток стабилизации

    Uст – напряжение стабилизации, которое определяется на оси Uобр при проведении перпендикуляра из середины участка электрического пробоя АВ.

    Дифференциальное сопротивление стабилитрона определяется по формуле:

    Riст = ∆Uст / ∆Iст

    Это сопротивление можно определить графически по вольт-амперной характеристике.


    Рисунок 2

    ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2

    НАИМЕНОВАНИЕ: Исследование выпрямительного диода

    1. Цель работы:

      1. Снять вольт-амперную характеристику выпрямительного диода.

      2. Научиться определять по ВАХ параметры выпрямительного диода.

      3. Формирование ОК 4,5,6; овладение знаниями и умениями, необходимыми для освоения ПК4.1-4.3

    1. Подготовка к работе

      1. Повторить тему «Полупроводниковые диоды» по указанной литературе.

    1. Литература

      1. Славкина Т.А. Основы электроники и цифровой схемотехники. Учебное пособие. КС ПГУТИ, 2019. Электронная версия

      2. Некрылова Т.Б. Электронная техника. Учебное пособие. КС ПГУТИ, 2018. Электронная версия.

    2. Перечень необходимых материалов

      1. Описание лабораторной работы.

      2. ПЭВМ.

    3. Задание

      1. Получить допуск к работе, выполнив тест для допуска:

        Вопрос

        Ответ

        1.Выберите условно-графическое обозначение выпрямительного диода



        1 2 3 4

        2.Укажите дифференциальное сопротивление диода.

        1. Кв = Iпр

        Iобр

        2. Ri = U

        ∆I

        3. Rо = U

        I

        3.Выберите кремниевый выпрямительный диод

        1. ГИ401Б

        2. КВ104Г

        3. КД903А

        4. ГД402А

        4.Укажите назначение прибора ГД508Б

        1. Для стабилизации напряжения

        2. Для преобразования переменного тока в постоянный

        3. Для применения в качестве электрически управляемой емкости

        4. Для применения в качестве генератора.

      2. Выполнить измерения и построить вольт-амперную характеристику выпрямительного диода.

      3. По снятой ВАХ определить дифференциальное сопротивление выпрямительного диода.

      4. Ответить на контрольные вопросы.

    Порядок выполнения работы

      1. Привести схему исследования выпрямительного диода в прямом включении (рисунок 1) и в обратном включении (рисунок 2).



    Рисунок 1 Рисунок 2

      1. Изменяя прямое Uпр и обратное Uобр напряжения, определить соответствующие токи, протекающие через диод и значения занести в таблицу 1 и таблицу 2.

    Таблица 1

    Uпр, В

    0

    0,1

    0,2

    0,3

    0,4

    0,5

    Iпр, мA



















    Таблица 2

    Uобр, В

    0

    10

    20

    30

    40

    50

    Iобр, мкA






















      1. По результатам измерений построить вольт-амперную характеристику диода, правильно выбрав масштаб по каждой оси.

      2. Рассчитать дифференциальное сопротивление диода в прямом и обратном включениях (см. Приложение).

      3. Сравнить полученные значения сопротивлений и сделать выводы.

      4. Оформить отчёт о проделанной работе.

    1. Содержание отчёта

      1. Наименование и цель работы.

      2. Выполненное задание.

      3. Ответы на контрольные вопросы

    2. Контрольные вопросы

      1. Укажите преимущество кремниевых диодов по сравнению с германиевыми.

      2. Расшифруйте обозначение диода 2Д101А.

    ПРИЛОЖЕНИЕ

    Выпрямительным диодом называется диод, предназначенный для выпрямления переменного тока, т.е. для преобразования переменного тока в постоянный.

    Простейшая схема выпрямления приведена на рисунке.


    Uвх С Rн Uвых


    Если подать переменное напряжение на вход схемы, то при положительной полуволне напряжения («+» на p-область, «-» на n-область), диод оказывается включенным в прямом направлении, через него и сопротивление нагрузки Rн протекает ток, конденсатор заряжается. При отрицательной полуволне («-» на p-область, «+» на n-область) диод находится под обратным напряжением и ток не пропускает, а конденсатор разряжается через Rн. Таким образом, в нагрузке протекает постоянный ток с небольшими пульсациями.

    Вольт-амперная характеристика выпрямительного диода аналогична ВАХ р-n – перехода.

    В АХ выпрямительного диода имеет две ветви: прямую – зависимость прямого тока от прямого напряжения Iпр=f(Uпр) и обратную – зависимость обратного тока от обратного напряжения Iобр=f(Uобр).

    Как видно из ВАХ, прямой ток большой по величине и возрастает при увеличении напряжения, а обратный ток мал по величине и при возрастании обратного напряжения изменяется незначительно.


    К основным параметрам выпрямительного диода относятся:

    Дифференциальное сопротивление: Ri = ΔU / ΔI, оно может определяться как в прямом, так и в обратном включении диода.

    Коэффициент выпрямления: К = Iпр / Iобр, который показывает во сколько раз прямой ток больше обратного.

    Дифференциальное сопротивление можно определить графически по ВАХ.

    В ыбирается небольшой линейный участок прямой ветви ВАХ и проводятся линии до пересечения с осями тока и напряжения. На осях определяются значения тока и напряжения и вычисляются приращения тока и напряжения:

    Δ Uпр = U2 – U1

    Δ Iпр = I2 – I1

    Затем по формуле Riпр = ΔUпр / ΔIпр определяется значение дифференциального сопротивления диода в прямом включении.

    Значения напряжения и тока подставляются в формулу в Вольтах и Амперах, соответственно.

    Выполнив аналогичные построения на обратной ветви ВАХ можно определить дифференциальное сопротивление диода в обратном включении.
    ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3

    НАИМЕНОВАНИЕ: Исследование биполярного транзистора

    1. Цель работы

      1. Снять статические характеристики биполярного транзистора.

    1.2 Научиться определять параметры биполярного транзистора

    1.3 Формирование ОК 4,5,6; овладение знаниями и умениями, необходимыми для освоения ПК4.1-4.3

    1. Подготовка к работе

      1. Повторить тему «Биполярные транзисторы» по указанной литературе.

    1. Литература

      1. Славкина Т.А. Основы электроники и цифровой схемотехники. Учебное пособие. КС ПГУТИ, 2019. Электронная версия

      2. Некрылова Т.Б. Электронная техника. Учебное пособие. КС ПГУТИ, 2018. Электронная версия.

    2. Перечень необходимых материалов

      1. Описание лабораторной работы.

      2. ПЭВМ.

    3. Задание

      1. Получить допуск к работе, ответив на вопросы для допуска:

        1. Записать определение биполярного транзистора.

        2. Привести УГО биполярного транзистора типа n-p-n и p-n-p. Обозначить выводы.

        3. Перечислить схемы включения биполярного транзистора.

        4. Перечислить режимы работы биполярного транзистора.

        5. В каком режиме работы транзистор усиливает сигнал?

      2. Выполнить измерения и построить входные и выходные характеристики биполярного транзистора.

      3. По характеристикам определить коэффициент усиления тока (параметр h21).

      4. Ответить на контрольные вопросы.

    4. Порядок выполнения работы

      1. Привести схему исследования биполярного транзистора (рисунок 1).



    Рисунок 1

      1. Изменяя входное и выходное напряжения транзистора, определить входной и выходной токи транзистора и занести значения в таблицу 1 и таблицу 2, соответственно.

    Таблица 1

    Uбэ, В

    0,2

    0,3

    0,4

    0,5

    0,6

    0,7

    0,8




    Iб, мА






















    Uк = 0

    Iб, мА






















    Uк = -5 В

    Таблица 2

    Uкэ, В

    0

    2

    4

    6

    8

    10

    12

    14

    16




    Iк, мА




























    Iб = 0,1 мА

    Iк, мА




























    Iб = 0,05 мА

      1. По результатам измерений построить входные и выходные характеристики биполярного транзистора.

      2. На выходных характеристиках выбрать рабочую точку и рассчитать коэффициент усиления тока h21=∆Iк / ∆ Iб.

      3. Сделать вывод по результатам работы.

      4. Оформить отчёт о проделанной работе.

    1. Содержание отчёта

      1. Наименование и цель работы.

      2. Выполненное задание.

    2. Контрольные вопросы

      1. Почему схема с общим эмиттером получила наибольшее применение?

      2. Привести устройство биполярного транзистора n-p-n и p-n-p. Укажите полярность напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах в активном режиме.


    ПРИЛОЖЕНИЕ

    Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером приведена на рисунке 2.



    Рисунок 2

    Входные параметры: Iвх=Iб

    Выходные параметры: Iвых=Iк

    Uвх=Uбэ

    Uвых=Uкэ

    Достоинства схемы: усиливает сигнал по току и напряжению, то есть дает наибольшее усиление по мощности:

    β=∆Iк / ∆Iб >1 (десятки)

    При выполнении лабораторной работы необходимо снять два семейства характеристик: входные и выходные.

    В ходные характеристики в схеме с ОЭ – это зависимость Iб=f(Uбэ) при Uкэ=const (рисунок 3). При изменении напряжения Uкэ входные характеристики очень мало смещаются, поэтому в справочниках приводится обычно одна характеристика, снятая при запирающем напряжении Uкэ (активный режим) и одна при Uкэ=0 (режим насыщения).
    Рисунок 3

    Выходные характеристики в схеме с ОЭ – это зависимость Iк = f(Uкэ) при Iб = const (рисунок 4). В этих характеристиках есть участок с большой крутизной и с малой.



    Рисунок 4

    По выходным характеристикам определяется коэффициент усиления тока h21 (рисунок 4). Сначала определяются приращения токов коллектора и базы:

    ΔIК = IК2 – IК1 = 0,32 – 0,22 = 0,1 А

    ΔIБ = IБ2 – IБ1 = 10 – 8 = 2 мА

    Затем вычисляется коэффициент усиления тока h21по формуле:

    h21 = ΔIК / ΔIБ = 0,1 / (2·10-3) = 50

    ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №4

    НАИМЕНОВАНИЕ: Исследование полевого транзистора

    1. Цель работы

      1. Снять стоковые и стоко-затворную характеристики полевого транзистора.

      2. Научиться определять по статическим характеристикам дифференциальные параметры полевого транзистора.

      3. Формирование ОК 4,5,6; овладение знаниями и умениями, необходимыми для освоения ПК4.1-4.3

    1. Подготовка к работе

      1. Повторить тему «Полевые транзисторы» по указанной литературе.

    1. Литература

      1. Славкина Т.А. Основы электроники и цифровой схемотехники. Учебное пособие. КС ПГУТИ, 2019. Электронная версия.

      2. Некрылова Т.Б. Электронная техника. Учебное пособие. КС ПГУТИ, 2018. Электронная версия.

    2. Перечень необходимых материалов

      1. Описание лабораторной работы.

      2. ПЭВМ.

    3. Задание
      1.   1   2   3   4


    написать администратору сайта