Главная страница
Навигация по странице:

  • 29. Импульсные стабилизаторы напряжения. Функциональные схемы. Принцип работы

  • 30.Структурная и принципиальная схемы импульсного стабилизатора напряжения

  • 31. Транзисторный однотактный инвертор с внешним возбуждением.

  • 32. Однотактный транзисторный инвертор с самовозбуждением.

  • 33. Двухтактный транзисторный инвертор с самовозбуждением.

  • Экзамен эпу. экзамен эпу. 1 Гальванические элементы. Классификация. Назначение. Основные характеристики. Принцип работы


    Скачать 3.47 Mb.
    Название1 Гальванические элементы. Классификация. Назначение. Основные характеристики. Принцип работы
    АнкорЭкзамен эпу
    Дата12.10.2022
    Размер3.47 Mb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаэкзамен эпу.docx
    ТипДокументы
    #729564
    страница7 из 9
    1   2   3   4   5   6   7   8   9

    28.Транзисторные (компенсационные) стабилизаторы напряжения

    В схемах простейших стабилизаторов последова­тельного типа с регулирующими транзисторами р-п-р и п-р-п структуры регулирующий транзистор VT1 включен по схеме усилителя с нагрузкой Rн в эмиттерной цепи (эмиттерный повторитель). R0и VD1 образуют пара­метрический стабилизатор напряжения и являются источником опорного напряжения Uст. Uвых определяется разностью опорного напряжения и напряжения участка база-эмиттер регулирующего транзистора Uн = UСТ — U. Т.к. Uбэ транзистора, работающего в активном режиме, составляет десятые доли вольта и мало зависит от тока эмиттера и напряжения UЭК, то напряжение на нагрузке будет близко к напряжению на стабилитроне.

    p-n-p (a), n-p-n (б)

    Достоинства: допускают большие токи нагрузки, имеют меньшее внутреннее сопротивление, выше коэффициент стабилизации. Однако достичь очень высоких значений коэффициента стабилизации в них не удается.



    Схемы стабилизатора с УПТ

    Введение УПТ в цепь ОС увеличивает коэффициент стабилизации. Увеличение Кствозможно за счет увеличения R1. Однако его нельзя выбрать очень большим, т.к. при этом ограничивается ток базы регули­рующего транзистора VТ1. Компенсационные стабилизаторы с составным транзистором обладают более высокими электрическими характеристиками. У них выше коэффициент стабилизации, меньшее выходное сопро­тивление, большие токи нагрузки. Мощность компенсационных стабилизаторов может быть значительно увеличена при параллельном включении транзисторов в регулирующем элементе.

    29. Импульсные стабилизаторы напряжения. Функциональные схемы. Принцип работы

    Основным элементом импульсных стабилизаторов напряжения является регулирующий элемент-транзистор, периодически пере­ключающийся из режима насыщения в режим отсечки. Если тран­зистор работает в таком режиме, то значительно снижается мощность, рассеиваемая на регулирующем элементе, что позволяет значительно повысить к. п. д. стабилизатора. В импульсных ста­билизаторах напряжения стабилизация осуществляется за счет изменения соотношения времени открытого и закрытого состояния регулирующего транзистора. При этом среднее значение выходного напряжения поддерживается неизменным с заданной степенью точности при воздействии дестабилизирующих факторов.

    Мощность, выделяемая в нагрузке, определяется входным напряжением, сопротивлением нагрузке и соотношением времени открытого и закрытого состояния регулирующего транзистора. Изменяя это соотношение, можно регулировать мощность, вы­деляемую на нагрузке без значительных потерь на регулирующем элементе. Пульсации выходного напряжения, вызванные замыка­нием и размыканием транзисторного ключа, снижаются сглажи­вающим фильтром, включаемым на выходе.

    При этом коэффициент сглаживания пульсаций будет тем больше, чем выще частота пульсаций по отношению к собственной частоте контура.

    В функциональной схеме силовой цепи компенсационного ста­билизатора с импульсным регулированием (рисунок 5.16, а) регулирующий элемент условно показан в виде ключа S. Индуктивность L, и конденсаторСявляются элементами сглаживающего фильтра.


    Рис.5.16. Функциональные схемы силовой цепи понижающего (а), повышающего (в) и полярно-инвертирующего (г) импульсных стабилизаторов напряжения; кривые изменения напряжений (б)
    При замыкании ключа S на вход фильтра будет подаваться входное напряжение Uвхв течение времени tп (рисунок 5.16, б) в виде импульса прямоугольной формы. Через катушку индуктивности потечет линейно возрастающий ток, так как э. д. с. самоиндукции ее будет противодействовать основному потоку, создаваемому вход­ным напряжением. Через нагрузку также потечет ток и будет заряжаться конденсатор С. В момент размыкания ключа S ток через индуктивность Lдостигнет максимального значения. Напряжение на катушке в этот момент, противодействуя пропаданию основного напряжения, поменяет полярность. Откроется диод VD и через нагрузку во время паузы tп потечет ток, замыкающийся по цепи LRHVD. При снижении потенциала катушки ниже потенциала заряженного конденсатора С диод закроется, и ток в нагрузке в этом интервале времени будет сохраняться за счет разряда конденсатора.

    Время разомкнутого состояния ключа tПможно подобрать таким, чтобы ток через катушку индуктивности не достигал нулевого значения. При следующем замыкании ключа процесс будет повторяться.

    30.Структурная и принципиальная схемы импульсного стабилизатора напряжения

    В схеме импульсного стабилизатора напряжения (рисунок 5.17, а) ключевым транзистором (ключом S) управляет регулирующий элемент непрерывного действия РИД. Часть выходного напряжения с делителя ДН поступает на вход усилителя постоянного тока УПТ, где сравнивается с опорным напряжением источника ИОН. Сигнал с выхода УПТ подается на регулятор непрерывного действия РНД, который управляет работой импульсного регулирующего элемента S. При воздействии выходного напряжения сигнал на выходе УПТ достигает верхнего порогового значения, срабатывает РИД и выключает регулирующий транзистор S. Напряжение на выходе стабилизатора начинает уменьшаться, так как снижается ток, протекающий через катушку индуктивности iL. Сигнал на выходе УПТ снижается до нижнего порога срабатывания РИД. На выходе РНД появляется импульс, включающий ключ S. Ток через индуктивность возрастает, увеличивается и напряжение на выходе стабилизатора.

    Рис. 5.17. Структурная (а), принципиальная (б) схемы импульсного стабилизатора напряжения

    Кроме формирования импульсов управления ключом, РНД осуществляет непрерывную регулировку выходного напряжения. Ток в катушке индуктивности совершает периодические колебания относительно среднего значения с частотой, равной частоте переключения. При замкнутом ключе ток iLнарастает, а при разомкнутом уменьшается. Так как РНД управляется по цепи обратной связи, то при увеличении тока iLснижается ток iр. Вследствие этого колебания выходного напряжения, вызванные прерывистым характером регулирования, оказываются в значи­тельной мере скомпенсированными регулятором непрерывного действия.

    В схеме импульсного стабилизатора напряжения с дополни­тельным регулятором непрерывного действия (рисунок 5.17, 6) тран­зистор VT1(ключ) является импульсным регулирующим элементом. Усилитель УПТ выполнен на транзисторе VTЗ. Выходной делитель R4R5и источник опорного напряжения VD2 выполняют те же функции, что и в стабилизаторах с непрерывным регулированием.

    Блокинг-генератор, формирующий импульсы управления клю­чом, выполнен на транзисторе VT2. Цепь перезаряда конденсатора С через транзистор VТ2 подключена к выходу стабилизатора. Скорость перезаряда конденсатораСопределяет скважность им­пульсов блокинг-генератора. При замкнутом (открытом) положе­нии транзистора VT1часть его базового тока ответвляется в коллек­торную цепь транзистора VT1. Значение тока, протекающего через транзистор VТ2, зависит от сигнала, поступающего с выхода УПТ (транзистор VT3). Наряду с формированием импульсов управления для VT1транзистор VT2 играет роль элемента непрерывного дейст­вия.

    Импульсные стабилизаторы имеют значительные преимущества перед стабилизаторами непрерывного регулирования. В них умень­шается мощность рассеивания на регулирующем транзисторе, снижаются масса и габаритные размеры, значительно повышается к. п. д. Эти стабилизаторы являются наиболее перспективными вторичными источниками питания и находят все более широкое применение.

    31. Транзисторный однотактный инвертор с внешним возбуждением.

    Однотактная схема инвертора с внешним возбуждением (рисунок 6.2, а) состоит из транзистора VTи дросселя L. Коллекторный ток транзистора VТ определяется управляющим напряжением uэб, приложенным между базой и эмиттером, и имеющим форму прямоугольных импульсов (рисунок 6.2, б).

    При положительной полярности управляющего напряжения транзистор VТ открыт, и все напряжение источника постоянного тока U0 приложено к нагрузке. Ток дросселя iLвозрастает почти линейно. Ток, отдаваемый источником iH, равен сумме токов, протекающих через дроссель и нагрузку.


    Рис. 6.2. Схема однотактного инвертора с внешним возбуждением (а) и временные диаграммы напряжений и токов (б)

    После поступления управляющего импульса отрицательной полярности транзистор закрывается, но ток в нагрузке Iн будет существовать за счет энергии, запасенной в дросселе. Направление тока изменяется, а его значение будет уменьшаться по экспоненци­альному закону. Так как среднее значение напряжения на дросселе и нагрузке равно нулю, то среднее значение напряжения на нагрузке при закрытом транзисторе равно U0. Следовательно, максимальное напряжение на нагрузке UHmax превышает среднее значение на U. Изменение напряжения Uэк зависит от индуктивности дросселя. Чем больше индуктивность, тем меньше Uи форма кривой напряже­ния на нагрузке ближе к прямоугольной. Напряжение на закрытом транзисторе Uэк больше чем в 2 раза превышает напряжение источника тока U0. Достоинством рассматриваемой схемы инвер­тора является ее простота, а к недостаткам относятся: несиммет­ричность формы кривой выходного напряжения и зависимость ее от нагрузки; небольшая мощность в нагрузке - доли или единицы ватт.

    32. Однотактный транзисторный инвертор с самовозбуждением.


    Рис. 6.3. Схема однотактного транзисторного инвертора с самовозбуждением (а) и выходные характеристики транзистора (б)

    Однотактная схема инвертора с самовозбуждением (рисунок 6.3, а) состоит из транзистора VТ и трансформатора Т с тремя обмотками, первичной I, вторичной II и обмоткой обратной связи III. В схеме возникают колебания при выполнении двух условий: баланса фаз и баланса амплитуд. Условие баланса фаз заключается в том, что напряжение, подаваемое на базу, должно быть в противофазе с напряжением на коллекторе транзистора. При выполнении этого условия обеспечивается положительная обратная связь. Условие баланса амплитуд заключается в том, что напряжение обратной связи должно быть не менее определенного значения, необходимого для поддержания генерации. Оба условия достигаются подключе­нием обмотки обратной связи с определенным числом витков.

    При подключении источника тока с напряжением U0в цепях базы и коллектора протекают токи Iк и Iэк. За счет индуктивности Lпервичной обмотки ток Iэк будет возрастать по закону, близкому к линейному . При увеличении тока Iэк возрастает магнитный поток в сердечнике трансформатора, наводится э.д.с. в обмотках и появляется ток в нагрузке. Рабочая точка на этом этапе смещается по характеристике транзистора (рисунок 6.3, 6) из начала координат (точка О) в область насыщения (точка А), где возрастание тока Iк прекращается. При этом магнитный поток также прекращает возрастать, вследствие чего изменяется поляр­ность э.д.с, в обмотках трансформатора, уменьшается ток базы транзистора, а затем и ток коллектора. Этот процесс носит лавино­образный характер, который приводит к быстрому запиранию транзистора. При этом рабочая точка смещается в область отсечки (точка Б). К моменту насыщения транзистора в сердечнике на­капливается магнитная энергия W=0.5LIK2. При запирании тран­зистора ток в нагрузке будет продолжаться за счет энергии, запа­сенной в трансформаторе. Направление тока в нагрузке изменится, а его значение будет уменьшаться. К моменту, когда ток в нагрузке будет равен нулю, восстановится первоначальное значение потен­циалов в цепи обратной связи, рабочая точка сместится в начале координат (точка О) и процессы будут повторяться. Преобразова­тели этого типа целесообразно применять при высоком выходном напряжении, малых токах и мощностях в нагрузке, достигающих нескольких десятков ватт, их к. п. д. 60-70%. Схему используют и в качестве задающего генератора в инверторе с внешним возбуждением.

    33. Двухтактный транзисторный инвертор с самовозбуждением.

    Двухтактная схема инвертора с самовозбуждением (рисунок 6.4, а) состоит из двух транзисторов VT1и VT2, а также из трансформатора Т с тремя обмотками, сердечник которого выполнен из материала с прямоугольной петлей гистерезиса. Отрицательное смещение на базы транзисторов подается со средней точки делителя напряжения R1R2, к которому подключено входное напряжение U0. Сопротив­ление резистора R1 много меньше, чем у резистора R2, поэтому между базой и эмиттером каждого транзистора действует неболь­шое напряжение, приходящееся на резистор R1и составляющее десятые доли вольта. Конденсатор С облегчает запуск инвертора. В момент включения питания ток заряда конденсатора проходит через резистор R1. При этом на нем кратковременно увеличивается падение напряжения и на базах транзисторов возрастает отрица­тельный потенциал.

    После включения инвертора в первый момент благодаря нали­чию отрицательного смещения на базах открываются оба транзис­тора. Параметры транзисторов не могут быть абсолютно одина­ковыми, поэтому коллекторные токи будут несколько отличаться друг от друга. Предположим, что ток транзистора VT1превышает ток транзистора VT2, что приведет к тому, что в трансформаторе будет преобладать магнитный поток, возникающий за счет тока iк1. Благодаря этому э.д.с., возникшие в других обмотках за счет взаимоиндукции, будут иметь полярность, указанную на схеме. На базе транзистора VT1 появится отрицательный потенциал относи­тельно эмиттера, а на базе VT2 - положительный. При этом тран­зистор VT1будет продолжать открываться и ток iк1 увеличиваться, а транзистор VТ2 начнет закрываться. Этот процесс нарастает лавинообразно. К моменту времени t1транзистор VТ1 открыт и находится в режиме насыщения (рисунок 6.4, в и г), а транзистор VТ2 закрыт и находится в режиме отсечки (рисунок 6.4, д). С момента насыщения транзистора VТ1 к обмотке I’ трансформатора будет приложено почти все напряжение источника постоянного тока (рисунок - 6.4, д). На этом заканчивается процесс включения инвертора.



    Рис. 6.4. Схема двухтактного транзисторного инвертора с самовозбуждением (а), характеристика намагничивания сердечника трансформатора (б); временные диаграммы напряжений и токов (в-е)
    Дальше начинается линейный процесс. Индукция в сердечнике трансформатора нарастает линейно со скоростью

    ,

    где UKH - напряжение коллектор - эмиттер насыщенного транзистора;

    S -площадь поперечного сечения сердечника

    w -число витков обмотки I’.

    Коллекторный ток транзистора

    ;

    где i’H-ток нагрузки, приведенный к первичной обмотке;

    i’0- ток, нейтрализующий намагничивание, создаваемое током отсечки запертого транзистора IK0; iμ - ток намагничивания.

    Ток намагничивания и нейтрализации на этом этапе очень малы. Линейный процесс продолжается до момента времени t2, ког­да индукция в сердечнике достигнет индукции насыщения BS(рисунок 6.4,6). С этого момента начинается коммутационный процесс. Ток коллектора нарастает из-за увеличения тока намагничивания iμ. При этом степень насыщения транзистора падает. Заряд неоснов­ных носителей в его базе уменьшается. К моменту времени t3 коллекторный ток транзистора возрастает настолько, что он выхо­дит из насыщения. Напряжение на транзисторе начинает возрастать (рисунок 6.4,5), что приведет к уменьшению напряжения на первичной обмотке трансформатора и положит начало закрывания транзисто­ра VT1. При запирании транзистора VT1сердечник трансформатора Т начинает перемагничиваться, что приводит к появлению на обмотках трансформатора напряжений, противоположных по знаку тем, которые были ранее (см. рисунок 6.4,а). Процесс развивается лавинообразно и к моменту времени t4 приводит к запиранию транзистора VT1и открыванию транзистора VT2.

    После переключения транзисторов вновь начинается линейный процесс, который сопровождается изменением индукции от + ВSдо —ВS. В дальнейшем процессы повторяются. При этом импульсы напряжения на вторичной обмотке трансформатора и на нагрузке будут иметь форму, близкую к прямоугольной (рисунок 6.4, е).

    На коллекторном переходе закрытого транзистора действует сумма напряжений источника постоянного тока U0 и э.д.с., индуци­рованная в коллекторной обмотке закрытого транзистора (см. рисунок 6.4, а), поэтому для успешной работы в инверторе транзисторы должны иметь допустимое напряжение Uкэбольше 2U0. Частота колебаний инвертора с насыщающимся трансформатором в основ­ном определяется конструктивными данными трансформатора и напряжением источника постоянного тока . Опти­мальная частота колебаний лежит в диапазоне 400-600 Гц. При работе инвертора на повышенных частотах следует учитывать длительность коммутационных процессов, которые зависят от инерционности транзисторов и схемы инвертора. Для приведенной схемы она практически равна времени рассасывания заряда неос­новных носителей в базах транзисторов. Особенностью схемы инвертора является наличие значительных выбросов коллекторных токов транзисторов, возникающих в процессе коммутации. Данный преобразователь применяют при мощностях не более 50-100 Вт, обеспечивая к.п.д. порядка 70-80%. При больших мощностях существенно увеличиваются потери в трансформаторе. Недостат­ком преобразователя является сильное влияние тока и характера нагрузки на частоту, форму и выходное напряжение.
    1   2   3   4   5   6   7   8   9


    написать администратору сайта