Шпаргалка по кристаллохимии экзамен. Кристаллохимия испр экз. 1. Кристаллография как наука. Понятие о кристал, аморф сост вв. Основные сва кристалл сост
 Скачать 0.84 Mb.
|
|
Плоскость симметрии — плоскость, которая делит фигуру на две равные зеркальные части. Обозначение: международное — m, по формуле симметрии — Р. Ось симметрии - это прямая линия, проходящая через многогранник, при повороте вокруг которой одинаковые части фигуры совмещаются друг с другом. Обозначение: международное — n, по формуле симметрии — Ln. Центр симметрии – точка внутри многогранника, которая делит любые прямые пополам, которые мы проводим через равные огранения кристалла. Обозначение по формуле симметрии — С. Инверсионная ось симметрии — совместное действие оси вращения и одновременного отражения (инверсии) в центре симметрии. Обозначение: по формуле симметрии  .Федоров математически вывел и обосновал все возможные геометрические законы пространственного расположения частиц в кристаллах. Это так называемые пространственные группы Федорова. Общее число их 230. ПГС – полный набор элементов симметрии структуры. Симметрию расположения материальных частиц в элементарной ячейке характеризуют с помощью следующих элементов симметрии: С,  , P, , трансляция, винтовая ось симметрии, плоскость скользящего отражения.Трансляция – это бесконечно повторяющийся параллельный перенос на некоторое определенное расстояние. Сочетания трансляций с плоскостями и осями симметрии дает плоскость скользящего отражения и винтовую ось симметрии. _____________________________________________ 16. Реальные кристаллы. Дефекты кристаллической решетки (точечные, дислокации). Влияние дефектов на свойства кристаллических тел. В реальных кристаллах всегда существуют структурные нарушения, обычно называемые дефектами. Их различают на: - точечные и линейные Точечные дефекты – это незанятые узлы решетки, или вакансии, и атомы находящиеся в узлах. Дефекты точечные нарушают в КР-решетки лишь ближайший порядок, не затрагивая дальнего. Наличие дефектов в решетке уменьшает плотность кристаллов. Линейные дефекты – называются дисслокациями ( это нарушение правильности распределения атома в структуре в определенной линий). Дисслокация нарушает правильное чередование атомов плоскостей, нарушает дальний порядок, искажая всю его структуру. Дисслокации бывают: краевой и винтовой. _____________________________________________ 17.Плотнейшие упаковки. Степени заполнения пространства структурными единицами. Типы пустот в решетках. Устойч крист структура будет тогда, когда она будет обладать мин E. Один из факторов, ведущих к уменьшению Е является макс сближение мат част, т е их плотнейшая упаковка Плотнейшие упаковки – максимальное сближение атомов (наибольшее число атомов в единице объема кристалла) Одним из факторов ведущих к уменьшению потенциальной энергии, структуры КР является максимальное сближение материальных частиц т.е их плотнейшая упаковка. Плотнейшие упаковки на примере структур, где допущенные атомы имеют одинаковые размеры и состав, и сво-ва металлов. Атомы применяются за шары. a_v=(z 4/3 πr^2)/V_(э.я.) ∙100% z- число материальных единиц Структурные единицы (материальные частицы): атомы, ионы, молекулы. Степень заполнения пространства шарами для гексагональной и кубической V2 плотнеиших упаковок одинакова 74,05 %. При наложении двух плотноупакованных слоев А и В образуется 2 типа пустот: тетраэдрические к.ч=4 и октаэдрические к.ч=6 9) 1 слой: А 2 слой: В Шары второго слоя укладываются либо на пустоты А либо пустоты В. 3 слой: к.ч.=4 (тетраэдр-я пустота) к.ч.=6 (октаэдр-я пустота) Если шары 3 слоя укладываются на тетраэдрическую пустоту, то получаем двухслой-ю гесоганаль-ю упаковку – ГПУ (магний, цинк, бериллий, кадмий, цирконий, титан). АВАВАВА Если шары 3 слоя укладываются на октаэдр-е пустоты, то получаем трехслойную кубическую гранецентр-ю упаковкку –КГЦ (медь, золото, серебро, платина, кальций, железо). АВСАВСАВС Кол-во октоэдр-х пустот в элемент-я ячейке равно кол-ву матер-х частиц, кот-е образ-т плотнейшую упаковку, а кол-во тетраэдр-х пустот всегда в 2 раза больше. Плотнейшую упаковку будут создавать анионы, а катионы идут в пустоты. r_к/r_a =0.41-0.73 - октаэдр-е пустоты r_к/r_a =0.22-0.41 - тераэдрич-е пустоты | 4.Классификация кристаллов по категориям и системам (сингониям). Их характеристики. Класс симметрии-сов-сть эл симм. Учитывая кол-во единичных направлений и сходство по всем элементам симметрии,классы симметрии объединяют в более крупные систематические единицы-системы(сингонии),а характеризуемые определенными значениями параметров( a,b,c) и углов м/д ними (  ). В сингонию входят кристаллы с одинак. симметрией элементарных ячеек+кристаллограф. осей координат(кристаллографич сист. координат). За оси x,y,z в кристаллографии принимаются оси симметрии(простые,инверсионные),либо нормали к плоскостям(если нет осей порядка),либо ребра кристаллич. многогранника(когда нет осей и плоскостей в кристалле).
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||
