курсовой проект СХЕМНЫЕ ФУНКЦИИ И ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ. курсовой проект СХЕМНЫЕ ФУНКЦИИ И ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛИНЕЙ. Курсовая работа по дисциплине Теория электрических цепей

• Название: Курсовая работа по дисциплине Теория электрических цепей
• Анкор: курсовой проект СХЕМНЫЕ ФУНКЦИИ И ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ
• Дата: 21.11.2022
• Размер: 0.71 Mb.
• Имя файла: курсовой проект СХЕМНЫЕ ФУНКЦИИ И ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛИНЕЙ.docx
• Тип: Курсовая; #803214
• страница: 3 из 10

Расчет параметров элементов цепи нагрузки

Для расчета параметров элементов цепи нагрузки, необходимо задаться резонансной частой двухполюсника. В соответствии с заданием, резонансная частота выбирается по формуле

, (1.1)

где f_ГР – граничная частота биполярного транзистора в схеме c общей базой.

Граничной частотой биполярного транзистора в схеме с общей базой является f_, которая приближенно равна [1]

МГц.

Подставив значения f_ и N в (1.1), получим значение резонансной частоты.

МГц=7,0510⁶ Гц,

рад/с.

Определим номинальные значения индуктивности и емкости нагрузки.

Гн=6,8 мкГн,

Ф=75 пФ.

При последовательном обходе контура двухполюсника нагрузки получается последовательное соединение индуктивностей L₁ и L₂, значит

Гн=3,4 мкГн.

_{Определим номинал шунтирующего сопротивления.}

Ом.

3. Нормировка параметров транзистора и элементов нагрузки

Так как при сохранении соотношений параметров L, C, R и частоты неизменными, схемные функции не изменятся [1], целесообразно произвести нормировку всех параметров элементов модели, в которую входят транзистор и цепь нагрузки.

Определим нормированные значения параметров элементов цепи нагрузки и транзистора. В соответствии с заданием нормирующими величинами являются

,

.

Получаем нормированные значения характеристического сопротивления и резонансной частоты

,

.

Нормированные значения элементов цепи нагрузки [1]

,

,

,

.

Для удобства дальнейшего использования, параметры элементов цепи нагрузки сведены в таблицу 1.3.

Таблица 1.3

Параметр	Р		L	L1	L2	C	RШ
Значение	4,43107 рад/с	300 Ом	6,8 мкГн	3,4 мкГн	3,4 мкГн	75 пФ	3 кОм
Нормированное значение	1	1	1	0,5	0,5	1	10

Так как С^Н равно единице, произвести нормировку емкостных параметров транзистора можно произвести относительно величины С₀=С.

Определим нормированные значения параметров транзистора.

,

,

,

.

Параметры транзистора сведены в таблицу 1.4.

Таблица 1.4

Параметр	RБ	RЭ	СЭ	S0
Значение	120 Ом	7 Ом	90,9 пФ	140 мА/В
Нормированное значение	0,4	0,02	1,2	42