курсовой проект СХЕМНЫЕ ФУНКЦИИ И ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ. курсовой проект СХЕМНЫЕ ФУНКЦИИ И ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛИНЕЙ. Курсовая работа по дисциплине Теория электрических цепей

• Название: Курсовая работа по дисциплине Теория электрических цепей
• Анкор: курсовой проект СХЕМНЫЕ ФУНКЦИИ И ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ
• Дата: 21.11.2022
• Размер: 0.71 Mb.
• Имя файла: курсовой проект СХЕМНЫЕ ФУНКЦИИ И ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛИНЕЙ.docx
• Тип: Курсовая; #803214
• страница: 2 из 10

Введение

Целью данной курсовой работы является овладение способами нахождения частотных характеристик цепи. Одновременно в процессе выполнения курсовой работы решаются следующие задачи:

• 
  формирование обоснованных предположений о характере частотных характеристик цепи непосредственно по ее схеме;
  
• 
  получение и исследование входных и передаточных операторных функций цепи;
  
• 
  расчет частотных характеристик цепи на основе карты нулей и полюсов, по выражениям амплитудно-частотных характеристик и фазочастотных характеристик и с использованием автоматизированных методов анализа цепей.
  

Электромагнитные явления и устройства, построенные на их основе, строго описываются методами теории электромагнитного поля. Эти методы позволяют рассмотреть разнообразные явления в любых электротехнических и радиотехнических устройствах. Но методы теории электромагнитного поля очень сложны и трудоемки.

Для исследования широкого круга устройств можно применять упрощенные методы – методы теории электрических цепей, основанные на замене реального устройства моделью, процессы в которой описываются скалярными величинами – токами и напряжениями. При использовании методов теории электрических цепей отдельные составные части сложного устройства заменяются моделями, приближенно отражающими в рамках решаемой задачи свойства соответствующих элементов.

Для математического описания этих моделей применяются схемные функции, которые отражают реакцию цепи на заданное внешнее воздействие. При этом внешними воздействиями и реакцией могут быть токи и напряжения. При воздействии на вход гармонических колебаний, исследуются соотношения между их комплексными амплитудами.

1. Исходные данные

   1. Расшифровка исходных данных

Компактно заданные исходные данные приведены в таблице 1.1.

Таблица 1.1 – Компактно заданные исходные данные

Шифр задания	, Ом	N	k или m	К или КТ	H
		0,02		КТ	0,5

Схема заданного двухполюсника Сх. 49 приведена на рисунке 1.1.



Рисунок 1.1 – Схема избирательного двухполюсника
Параметры заданного биполярного транзистора Т5 приведены в
таблице 1.2.

Таблица 1.2 – Параметры биполярного транзистора Т5

RЭ, Ом	RБ, Ом	СЭ, пФ	S0, мА/В	fТ, МГц	Тип проводимости
7	120	90,9	140	250	n-p-n

Задана упрощенная модель биполярного транзистора М2. Способ включения транзистора – с общей базой. То есть входной сигнал подается между эмиттером и базой, нагрузка подключается между коллектором и базой.

Эквивалентная схема замещения биполярного транзистора типа n-p-n, по переменному току в режиме малого сигнала приведена на рисунке 1.2.



Рисунок 1.2 – Эквивалентная схема замещения транзистора