Диплом. Научноисследовательская часть Технические требования

• Название: Научноисследовательская часть Технические требования
• Анкор: Диплом.docx
• Дата: 12.04.2018
• Размер: 5.55 Mb.
• Имя файла: Диплом.docx
• Тип: Анализ; #17992
• страница: 8 из 15

Установка вакуумная модели ВУ-1А

Изделие предназначено для нанесения покрытий на оптические детали методом резистивного и электронно-лучевого испарения диэлектриков, полупроводниковых материалов и металлов с одновременным контролем толщины покрытия. Установка обеспечивает возможность нанесения многослойных ахроматических покрытий на деталях серийной продукции, а также металлических, однослойных просветляющих, интерференционных зеркальных, фильтрующих и других для различных областей спектра. Установка может эксплуатироваться в закрытых сухих помещениях промышленных объектов категории 4.2. по ГОСТ 15150-69 и климатических условиях:

• 
  температура окружающей среды от 17⁰С до 27⁰С;
  
• 
  относительная влажность от 40 до 75%;
  
• 
  атмосферное давление от 8,4.10⁴ до 10,6.10⁴Па ( 630 до 780 мм.рт.ст.)
  

В состав установки входит:

• 
  откачной пост (с высоковакуумными откачными средствами, вакуумной системой и пневмо-гидроаппаратурой);
  
• 
  форвакуумный агрегат;
  
• 
  электрооборудование (с двумя стойками управления- управление вакуумной системой и управление технологическими источниками).
  

В таблице 4.3 приведены основные характеристики ВУ-1А.

Таблица 4.3. Технические характеристики

Давление в камере при одновременном нагреве ее до 3200С и при охлаждении всех ловушек жидким азотом, Па	4х10-4
Время достижения давления 4х10-4Па, мин, не более	30
Регулируемая температура нагрева в камере, С0	от 100 до 320
Количество резистивных испарителей, шт.	2
Количество электронно-лучевых испарителей, шт.	1
Вместимость деталей размерами, шт. диаметром 40 мм диаметром 70 мм	70 6
Напряжение источника питания тлеющего разряда ионной очистки на холостом ходу, В	от 2175± 20% до 4350± 20%
Максимальный ток тлеющего разряда ионной очистки А, не более	0,4
Максимально допустимый ток резистивного испарителя при напряжении на трансформаторах А, не более: 12В 24В	300 150
Максимальный ток электронно-лучевого испарителя, мА	480±20
Мощность, потребляемая установкой, кВт, не более	20
Масса установки, кг, не более	1 900
Площадь, занимаемая установкой, м2, не более	6

Рис.4.10. Схема вакуумной установки

Процесс нанесения зеркального покрытия:

1. Подготовка подложек – промывка и обезжиривание их этиловым спиртом

2. Подготовка вакуумной камеры включает промывку и сушку колпака и технологической оснастки, размещение подложек в оправах оснастки.

3. Откачивание воздуха из вакуумной камеры до давления до 10^-3 мм рт ст форвакуумным насосом

4. Обработку подложек тлеющим разрядом

5. Откачивание воздуха из вакуумной камеры до до 10^-6 мм рт ст

6. Испарение вещества происходит под колпаком после откачки воздуха

7. Разгерметизация колпака

8. Контроль покрытия. Инструмент: Микроскоп металлографический рабочий ММР-4