Отчёт по технологической практике. Отчёт по практике. С. Б. Вениг подпись, дата иниц
Скачать 4.23 Mb.
|
МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «САРАТОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Н.Г.ЧЕРНЫШЕВСКОГО» УТВЕРЖДАЮ
ОТЧЁТ ПО ПРОИЗВОДСТВЕННОЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ПРАКТИКЕ студента 4 курса 4091 группы направления 22.03.01 «Материаловедение и технологии материалов» (профиль «Нанотехнологии, диагностика и синтез современных материалов») института физики Молина Мансилья Хуана Себастиана Продолжительность практики 28 календарных дней с 24.06.2022 по 21.07.2022г. (трудоёмкость 6 зачётных единиц) Руководитель практики от университета,
Руководитель практики от организации,
Саратов 2022 СОДЕРЖАНИЕ 1.3Конденсация паров на подложке и образование плёночной структуры 11 1.4Резистивное термическое испарение в вакууме 12 1.5Резистивный нагрев 13 1.6Испарители с косвенным резистивным нагревом 14 1.7Проволочные испарители 15 1.8Ленточные испарители 16 1.9Испарители коробчатого типа 16 1.10Тигельные испарители 17 1.11Электронно-лучевые испарители 18 1.12Лазерный испаритель 19 1.13Обеспечение равномерности толщины плёнки 20 1.14Достоинства и недостатки термического испарения 21 Производственная технологическая практика проходила в Саратовском филиале Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук в лаборатории магнитоэлектроники СВЧ. Магнитоэлектроника представляет собой довольно молодое научно-техническое направление твердотельной электроники, исследующее явления, связанные с воздействием внешнего магнитного поля на электронные свойства магнитных и немагнитных структур. Целью практики было знакомство с технологическими процессами осаждения тонких плёнок ферромагнетиков, фотолитографии и ионного травления, которые относятся с базовым при изготовлении микроструктур микроэлектроники. Магнитоэлектроника – достаточно молодое научно-техническое Также в задачи практики входило ознакомление с методами диагностики микроструктур, технологическим и аналитическим оборудованием, используемым в процессе изготовления и контроля микро- и наноструктур. Для реализации этой цели необходимо было выполнить следующие задачи: подготовить и очистить подложку железо-иттриевого граната; провести магнетронное напыление пермаллоя на подложку железо-иттриевого граната; вычислить скорость распыления пермаллоя на подложку и определить толщину полученной пленки; осуществить фотолитографический процесс с позитивным фоторезистом; провести ионное травление образца; выполнить итоговую проверку качества образца при помощи профилометра и оптического микроскопа. |