Главная страница
Навигация по странице:

  • «САРАТОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Н.Г.ЧЕРНЫШЕВСКОГО»

  • Отчёт по технологической практике. Отчёт по практике. С. Б. Вениг подпись, дата иниц


    Скачать 4.23 Mb.
    НазваниеС. Б. Вениг подпись, дата иниц
    АнкорОтчёт по технологической практике
    Дата24.02.2023
    Размер4.23 Mb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаОтчёт по практике.docx
    ТипДокументы
    #953243
    страница1 из 5
      1   2   3   4   5

    МИНОБРНАУКИ РОССИИ

    Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования

    «САРАТОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Н.Г.ЧЕРНЫШЕВСКОГО»
    УТВЕРЖДАЮ

    Зав. кафедрой материаловедения, технологии и управления качеством,

    д.ф.-м.н., профессор

    уч. ст., уч. зв.







    С.Б. Вениг

    подпись, дата




    иниц.,

    фамилия


    ОТЧЁТ ПО ПРОИЗВОДСТВЕННОЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ПРАКТИКЕ
    студента 4 курса 4091 группы

    направления 22.03.01 «Материаловедение и технологии материалов»

    (профиль «Нанотехнологии, диагностика и синтез современных материалов»)

    института физики

    Молина Мансилья Хуана Себастиана
    Продолжительность практики 28 календарных дней с 24.06.2022 по 21.07.2022г. (трудоёмкость 6 зачётных единиц)


    Руководитель практики от университета,

    старший преподаватель










    П.Г. Харитонова

    должность, уч. ст., уч. зв.




    личная подпись, дата




    инициалы, фамилия


    Руководитель практики от организации,

    директор, д.ф.-м.н., профессор










    Ю.А. Филимонов

    должность, уч. ст., уч. зв.




    личная подпись, дата




    инициалы, фамилия

    Саратов 2022
    СОДЕРЖАНИЕ

    1.3Конденсация паров на подложке и образование плёночной структуры 11

    1.4Резистивное термическое испарение в вакууме 12

    1.5Резистивный нагрев 13

    1.6Испарители с косвенным резистивным нагревом 14

    1.7Проволочные испарители 15

    1.8Ленточные испарители 16

    1.9Испарители коробчатого типа 16

    1.10Тигельные испарители 17

    1.11Электронно-лучевые испарители 18

    1.12Лазерный испаритель 19

    1.13Обеспечение равномерности толщины плёнки 20

    1.14Достоинства и недостатки термического испарения 21

    Производственная технологическая практика проходила в Саратовском филиале Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук в лаборатории магнитоэлектроники СВЧ. Магнитоэлектроника представляет собой довольно молодое научно-техническое направление твердотельной электроники, исследующее явления, связанные с воздействием внешнего магнитного поля на электронные свойства магнитных и немагнитных структур. Целью практики было знакомство с технологическими процессами осаждения тонких плёнок ферромагнетиков, фотолитографии и ионного травления, которые относятся с базовым при изготовлении микроструктур микроэлектроники.

    Магнитоэлектроникадостаточно молодое научно-техническое

    Также в задачи практики входило ознакомление с методами диагностики микроструктур, технологическим и аналитическим оборудованием, используемым в процессе изготовления и контроля микро- и наноструктур.

    Для реализации этой цели необходимо было выполнить следующие задачи:

    • подготовить и очистить подложку железо-иттриевого граната;

    • провести магнетронное напыление пермаллоя на подложку железо-иттриевого граната;

    • вычислить скорость распыления пермаллоя на подложку и определить толщину полученной пленки;

    • осуществить фотолитографический процесс с позитивным фоторезистом;

    • провести ионное травление образца;

    • выполнить итоговую проверку качества образца при помощи профилометра и оптического микроскопа.
    1.   1   2   3   4   5


    написать администратору сайта