Газизов - ЭСиУРС. Т. Р. Газизов Электромагнитная совместимость и безопасность радиоэлектронной аппаратуры Рекомендовано умо по образованию в области сервиса и туризма в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведени
 Скачать 3.32 Mb.
|
|
1.7. Экранирование Экранирование является основным средством ослабления электромагнитных помех из-за излучения. Конструкции, реализующие это ослабление, называют экранами. Они применяются для отдельных элементов, узлов, блоков и устройств, которые могут быть либо источниками, либо рецепторами помех. Как правило, экранирование удорожает изделие, поэтому необходимость экранирования должна быть обоснована и рассматриваться только после того, как полностью исчерпаны методы оптимальной компоновки аппаратуры. Действие экрана оценивают в децибелах эффективностью экранирования) как Э или SE=20lg|Н/Н Э |, где Е Э ( Н Э ) – напряжённость электрического (магнитного) поля в заданной точке защищаемого пространства при наличии экрана, а Е Н) – напря- жённость электрического (магнитного) поля в той же точке без экрана. Номинальное значение эффективности экранирования рассчитывается, исходя из требуемого подавления электромагнитных помехи определяется конкретными условиями работы проектируемой аппаратуры. Поэтому значению определяются материал, геометрические размеры экрана и условия размещения элементов внутри него. 1.7.1. Ближняя и дальняя зоны В решении задач ЭМС, и экранирования в частности, важно правильно определить характер поля источника излучения. Для этого полезны понятия ближней и дальней зоны распространения электромагнитной энергии с удалением от источника. Если источник размером l излучает электромагнитное поле с длиной волны λ и расстояние от источника до заданной точки равно r, то при l<< λ граница зон приблизительно определяется величиной kr=2 πr/λ. Если 2πr/λ<1, то можно полагать, что точка находится в ближней зоне, если 2 πr/λ>2, тов дальней, а при 1<2 πr/λ<2 – в промежуточной. Конечно, изменяющиеся электрическое и магнитное поля всегда существуют вместе, нов зависимости от источника и расстояния от него, их соотношение, определяемое величиной Z=E/H, может быть разным. Если в источнике протекает значительный ток при малом напряжении, тов ближней зоне преобладает магнитное низкоомное) поле. Если же в источнике протекает малый ток при относительно большом напряжении, тов ближней зоне преобладает электрическое (высокоомное) поле. Поле в дальней зоне, от любого источника, называют электромагнитным или плоской волной для него Ом (рис. 1.42). 63 30 100 300 1000 Z, Ом 2 1 0,1 0,2 Дальняя зона Промежуточ- ная зона Ближняя зона H∼1/r Плоская волна Ом E∼1/r 3 ; Электрическое высокоомное) поле H∼1/r 3 ; Магнитное низкоомное) поле Рис. 1.42. Волновые сопротивления поля различных источников Таким образом, определение зоны и характера источника поля позволяет принимать более эффективные меры для уменьшения помех (например, учитывая, что электрическое поле ближней зоны влияет на рецептор через паразитную ёмкостную связь с источником, а магнитное – через индуктивную, или выбирая соответствующий полю экран. 1.7.2. Экранирование металлической пластиной Для оценки возможностей экранирования в реальных случаях полезно рассмотреть упрощённый случай перпендикулярного падения электромагнитной волны на находящийся на расстоянии r от источника волны лист толщиной t из металла с магнитной проницаемостью μ и удельной электрической проводимостью σ. При падении волны на границу воздух- металл часть её отражается, а оставшаяся часть распространяется в металле, ослабляясь при этом из-за потерь в металле. Дойдя до границы металл-воздух, волна опять испытывает отражение, и часть её выходит из металла, а отраженная часть распространяется в обратном направлении, испытывая многочисленные переотражения в стенке металла. Таким образом, эффективность экранирования, в дБ, складывается из трёх слагаемых, где А – затухание за счёт поглощения, вызванное тепловыми потерями от возбуждаемых вихревых токов в металле, R – затухание за счёт отражения основной волны от границ раздела воздух-металл и металл-воздух, B – затухание за счёт многократных внутренних переот- ражений оставшейся части волны в стенке металла (это слагаемое отрицательно, поскольку в результате каждого переотражения часть волны всё же проникает за экран. Вычислить эти величины можно по формулам 64 2 69 , 8 t k A = , ( ) M D M D Z Z Z Z R 4 lg 20 2 + = , ( ) kt Z Z Z Z B M D M D 2 exp 1 lg 20 2 − ⎥ ⎦ ⎤ ⎢ ⎣ ⎡ + − − = , где ωμσ = k , σ ωμ = / M Z , а Z M , в зависимости от вида поля источника, определяется последующим формулам 0 0 / ε μ = D Z – для электромагнитного поля r Z D 0 ωμ = – для магнитного поля r Z D 0 1 ωμ = – для электрического поля. Отметим, что в общем случае вклад каждого из этих слагаемых сильно различается для разных значений параметров, и, чтобы оценить результирующее значение SE для конкретного поля, металла или частоты, лучше всего выполнить вычисления по этим формулам, например, в системе. Всё же для примера некоторые частотные зависимости SE показаны на рис. 1.43. 150 200 100 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 10 5 f, Гц 2 1 SE, дБ 300 200 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 10 5 f, Гц 2 1 SE, дБ 100 0 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 10 5 f, Гц 2 1 SE, дБ а б в Рис. 1.43. Частотная зависимость эффективности экранирования пластиной из немагнитного и магнитного металлов толщиной t=1 мм на расстоянии от источникам медь 2 – сталь, μ r – 100; 3 – сталь, μ r – 1000) для поля электромагнитного (а электрического (б магнитного (в) 1.7.3. Экранирование магнитного поля В ближней зоне узлов и элементов РЭА с большими токами и малыми напряжениями создаются электромагнитные поля с преобладанием магнитной составляющей. При этом помехи определяются магнитной индукцией. Преимущественное влияние магнитных полей имеется также в случае, если рецептор невосприимчив к электрической составляющей или последняя много меньше за счёт свойств излучателя или соответствующей поляризации электромагнитного поля помех. Как видно из рис. 1.43 в, хорошее экранирование металлической пластиной статического или низкочастотного магнитного поля, создающего помеху, выполнить очень трудно. Между тем, в некоторых применениях это необходимо. Источниками таких полей могут быть, например, индуктивные элементы аппаратуры или силовые кабели с большими токами промышленной частоты. В этих случаях, прежде всего надо постараться ослабить влияние магнитной связи 1. Компоновать цепи рецепторов помех в плоскости, параллельной направлению воздействующего помехонесущего магнитного потока. 2. Максимально разносить цепи рецепторов и источников помех, что снижает напряжённость помехонесущего магнитного поля в местах расположения восприимчивых цепей аппаратуры. 3. Уменьшать площадь контура рецептора помех. 4. Применять витые пары прямого и обратного проводников, где компенсируются токи, наводимые магнитным полем в соседних витках. Если применение указанных мер ограничено, то требуемое ослабление помех достигается магнитным экранированием. При магнитостатическом экранировании (те. магнитного поля, создаваемого постоянными магнитами или токами) происходит замыкание магнитного поля экраном вследствие его повышенной магнитной проводимости. Экран из немагнитного материала (медь, латунь, алюминий) не оказывает на магнитостатическое поле никакого влияния, и поэтому эффективность экранирования будет равна нулю. Экран из ферромагнитного материала (пермаллой, сталь) с большим значением μ r замыкает основную часть магнитного потока на стенки экрана, имеющего меньшее магнитное сопротивление, чем воздушное пространство, занятое экраном. При этом эффективность магнитостатического экранирования будет тем выше, чем выше μ r и толщина экрана, а также чем меньше в нём стыков, швов и разрезов поперёк направления линий магнитной индукции. Поэтому если они есть, то должны быть параллельны линиям магнитной индукции. Заземление экрана не влияет на эффективность его магнитостатического экранирования. Действие металлического экрана в переменном высокочастотном магнитном поле основано на использовании явления электромагнитной индукции, приводящего к образованию ЭДС, вызывающей вихревые токи в экране, которые создают вторичное магнитное поле, направленное встречно помехонесущему полю в защищаемой экраном области. Следовательно, если в переменное магнитное поле поместить цилиндрический экран так, чтобы направление его оси совпадало с направлением линий магнитной индукции, тов нм, как в короткозамкнутом витке, согласно закону электромагнитной индукции наводится ЭДС, создающая переменный ток, магнитное поле которого направлено внутри цилиндра встречно, аза его пределами – в туже сторону, что и возбуждающее поле. Результирующее поле оказывается ослабленным внутри экрана и усиленным вне его, те. происходит вытеснение поля из защищаемой экраном области во внешнюю область пространства, а следовательно, и экранирование. Объектом защиты от помех магнитного поля часто являются устройства с электронно-лучевыми трубками (ЭЛТ), например видеомониторы, которые всё ещё применяются в некоторых системах, в том числе критических. Магнитное поле вызывает отклонение луча ЭЛТ, что приводит к искажению информации. Так, увеличение переменного магнитного поля от 0 до 50 мкТл вызывает линейное увеличение отклонения луча от 0 до 9 мм. Примеры влияния на строки видеомонитора статического и переменного магнитных полей показаны на рис. 1.44 и 1.45 соответственно. а б Рис. 1.44. Типичные искажения на экране из-за статического поля (слева без помехи, справа с помехой смещение строк (вверх) в статическом поперечном поле (а отклонение строк от горизонтального направления в статическом продольном поле (баб Рис. 1.45. Типичные искажения на экране из-за переменного магнитного поля одинаковое по ширине экрана изменение вертикальной составляющей скорости в поперечном поле (а возрастание к краям экрана горизонтальной и вертикальной составляющих скорости в продольном поле (б) Для защиты видеомониторов используют экраны в виде кожухов, как правило, цилиндрической формы, сделанные из листового материала толщиной около 1 мм с высокой магнитной проницаемостью. Материалом являются различные пермаллоевые сплавы. Например, при относительно слабых полях используют мюметалл, а при полях более 1 мТл используют сплавы PERMENORM, имеющие среднюю проницаемость, но меньшее насыщение. Примеры частотных характеристик эффективности экранирования магнитного поля экранами мониторов показаны на рис. 1.46. 20 100 50 40 10 1 10 100 1000 1 SE, дБ Частота, Гц Рис. 1.46. Частотные характеристики эффективности экранирования экранов монитора двух видов дешевого ил гкого (ECONOMIC); с регулируемой выдвижной передней частью, улучшающей экранирование (VARIO) В заключение вопроса экранирования низкочастотного магнитного поля отметим, что для этой цели применяют и активное экранирование [12]. Его идея заключатся в том, что в защищаемом пространстве располагаются датчики составляющих вектора магнитного поля и создаётся магнитное поле, компенсирующее поле помехи. 68 1.7.4. Экранирование электрического поля В ближней зоне узлов и элементов РЭА с большими напряжениями и малыми токами создаются электромагнитные поля с преобладанием электрической составляющей. При этом помехи определяются электрической индукцией, приближённо определяемой эквивалентной ёмкостью связи. Для ослабления этой связи можно 1) максимально разносить цепи рецептора и источника помех 2) компоновать цепи источника и рецептора помех, минимизируя м- кость связи, например, располагая помехонесущие и помеховосприимчи- вые провода под углом, близким к 90 °; 3) уменьшать размеры цепей источника и рецептора помех 4) применять дифференциальное включение рецептора помех, что практически позволяет значительно ослабить влияние ёмкостных синфазных помех 5) применять компенсацию помех путем включения дополнительного источника противофазного сигнала помехи. Если возможность применения указанных мер при проектировании аппаратуры ограничена, то для обеспечения требуемого ослабления помех необходимо прибегнуть к экранированию электрического поля. Оно основано на замыкании силовых линий помехонесущего электрического поляна металлический экран, соединённый с корпусом аппаратуры или землёй. Экранирующий эффект заземлённого металлического экрана заключается в замыкании большей части ёмкости связи между экранируемыми элементами конструкции на корпус прибора. 1.7.5. Коэффициент экранирования коаксиальных кабелей Коаксиальные кабели применяются очень широко для передачи высокочастотных сигналов. Сточки зрения ЭМС одним из важных параметров кабеля является коэффициент экранирования, характеризующий степень влияния внешнего электромагнитного поляна сигнал, распространяющийся в кабеле, или наоборот, излучение части энергии этого сигнала. Коэффициент экранирования сильно зависит от внешней металлической оплётки коаксиального кабеля. Примеры частотных характеристик современных итальянских кабелей CAVEL, измеренные методом триак- сиальной трубы, наглядно показывают влияние оплётки (рис. 1.47). Как видно, у самой редкой оплётки (39%) самое малое экранирование, ивы- сокая плотность оплётки (94%) увеличивает его на 10–20 дБ. Добавление к редкой оплётке экрана из фольги (оплётка+фольга) значительно улучшает экранирование, особенно на высоких частотах. Однако для увеличения экранирования на средних частотах необходимо увеличение плотности оплётки (DG серия, а ещё большее экранирование даёт дополнительный экран из фольги, те. тройной экран фольга+оплётка+фольга (TS серия. Рис. 1.47. Частотные характеристики коэффициента экранирования различных коаксиальных кабелей 1.7.6. Подсоединение экрана коаксиального кабеля Большое значение имеет подсоединение экрана коаксиального кабеля. Лучше всего, если оно осуществляется с минимальным нарушением целостности экрана, те. через коаксиальный разъём. Но часто это затруднительно или невозможно, и прибегают к подсоединению экрана к земле источника и нагрузки проводами. Экспериментальная структура для оценки влияния длины этих проводов на величину перекрёстной наводки на ближнем конце кабеля показана на рис. 1.48. А результаты измерений наводки при длинах проводов 0,5; 3; 8 см для R=50 Ом и R=1000 Ом приведены на риса, б соответственно. Видно, что удлинение неэкрани- рованной части кабеля увеличивает наводку на высоких частотах, а при высокоомных нагрузках – и на низких. 70 V NE Провода Провода V S 3,6576 м R R R а Провод рецептора 1,5 см 0,2 см Экран Провод источника б Рис. 1.48. Эксперимент, иллюстрирующий влияние проводов от экрана на перекрёстную наводку общий вида поперечное сечение (б) 1.7.7. Витая пара Как отмечалось, уменьшение влияния магнитного поля можно достичь свиванием прямого и обратного проводов рецептора. Экспериментальная структура для иллюстрации эффективности или неэффективности свивания пары проводов на уменьшение перекрёстной наводки на ближнем конце этой пары показана на рис. 1.49. А результаты измерений наводки для случаев витой и невитой пары для R=1000, 50, 1 Ом приведены на риса, б, в соответственно. Из риса для R=1000 Ом видно, что свивание проводов очень незначительно уменьшает наводку, и это объяснимо тем, что при высокоомных нагрузках доминирует влияние электрического поля, тогда как свивание проводов на него не влияет, а компенсирует наводки в соседних витках от магнитного поля. На рис. 1.51 б для R=50 Ом, где магнитная связь уже больше, свивание проводов уменьшает наводку примерно на 10 дБ. Наконец рис. 1.51 в для R=1 Ом, где магнитная связь очень велика, показывает, что свивание проводов очень сильно уменьшает наводку на низких частотах (экспериментальные величины были очень малы для измерения, и показаны результаты моделирования. Отметим, что при таком превалировании связи по магнитному полю уменьшение шага витков и точный подбор чётного числа витков могут дать уменьшение наводки на 40 дБ. V S 4,705 м Провод источника R R V NE R (Не)Витая пара а 2 см 2 см см б Рис. 1.49. Эксперимент, иллюстрирующий влияние свивания проводов на перекрёстную наводку общий вида поперечное сечение (б) Эксперимент Провода от экрана 0,5 см . . . 3,0 см . . . 8,0 см . . . 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8 10 –5 10 –4 10 –3 10 –2 10 –1 10 0 Коэффициент передачи по напряжению Частота, Гц 2 Неэкранированный к экранированному R=50 Ома Эксперимент Провода от экрана 0,5 см . . . 3,0 см . . . 8,0 см . . . 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8 10 2 Коэффициент передачи по напряжению Частота, Гц Неэкранированный к экранированному R=1000 Ом 10 –5 10 –4 10 –3 10 –2 10 –1 10 0 10 –6 б Рис. 1.50. Экспериментальные результаты для конфигурации рис. 1.48 при длине проводов от экрана 0,5; 3; 8 см для R=50 Ома) и R=1000 Ом (б) Эксперимент Витая пара . . . . . Невитая пара . . . R=1000 Ом 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 Частота, Гц Коэффициент передачи 10 –5 10 –4 10 –3 10 –2 10 –1 10 0 а 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 Эксперимент Витая пара . . . . . Невитая пара . . . R=50 Ом Частота, Гц Коэффициент передачи 10 –5 10 –4 10 –3 10 –2 10 –1 10 0 10 –7 10 –6 б 74 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 Эксперимент Витая пара . . . . . Невитая пара . . . Вычисление Витая пара . . . . . R=1 Ом Частота, Гц Коэффициент передачи 10 –5 10 –4 10 –3 10 –2 10 –1 10 0 10 –7 10 –6 10 –8 в Рис. 1.51. Экспериментальные результаты для рис. 1.49 при R=1000 (а, 50 (б, 1 Ом (в) |