Газизов - ЭСиУРС. Т. Р. Газизов Электромагнитная совместимость и безопасность радиоэлектронной аппаратуры Рекомендовано умо по образованию в области сервиса и туризма в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведени
 Скачать 3.32 Mb.
|
|
1.9. Помехи по цепям земля-питание Весьма актуальной в ЭМС стала проблема помех в цепях земля- питание. Суть её заключается в том, что активные компоненты (транзисторы, аналоговые и цифровые микросхемы) при своей работе создают всплески потребления тока по цепям земля-питание. И эти всплески могут приводить к нарушающим нормальную работу помехам (delta-I noise в зарубежной терминологии. Весьма острой эта проблема оказалась для цифровых микросхем, особенно высокой степени интеграции или малой степени интеграции, но при большом их количестве на одной печатной плате большого размера. В качестве примера, формы тока потребления простых микросхем ТТЛ показаны на рис. 1.70. Образование импульсного тока при переключении цифровых микросхем приводит к импульсному падению напряжения на шинах питания поскольку они обладают конечным импедансом) величиной U=L(dI/dt), где L – индуктивность шин питания, а dI/dt – производная тока потребления. Например, для шин питания, выполненных печатным способом, длиной мм и шириной 1,25 мм, индуктивность которых L=175 нГн, изменение напряжения питания при переключении микросхемы 133ЛА3 риса) составляет от –760 до +620 мВ (рис. 1.70 в, что превышает допуск на номинальное напряжение для серии ТТЛ 5 В. 92 t, нс, нс, мА, мА 40 20 0 10 20 30 0 10 20 30 30 20 10 t, нс, В 5,4 5,2 5,0 4,8 4,6 4,4 4,2 5,5 4,5 0 12 24 а б в Рис. 1.70. Форма тока потребления при выключении всех вентилей 133ЛА3 (а при переключении триггеров ТТЛ (б. Форма напряжения на шине питания при выключении всех вентилей 133ЛА3 (в) Импульсные эмиссии в цепях питания могут приводить к сбоям в работе микросхем последующим основным причинам 1. Изменение питающего напряжения выше определенного допуска изменяет характеристики микросхем вплоть до ложного срабатывания. 2. Импульсное падение напряжения на шине земля приводит кис- кажению информационного сигнала на входе микросхемы. 3. Перенос помех из цепей питания в сигнальные цепи из-за индуктивной и ёмкостной связей между ними. Для снижения уровня помех в шинах питания применяют методы 1. Уменьшение активного сопротивления и индуктивности шин питания с учётом взаимной магнитной связи прямого и обратного проводников, поскольку L ≈L пр +L обр –2M пр-обр (рис. 1.71). 2. Сокращение длин участков шин питания, которые являются общими для токов от различных компонентов. 3. Снижение скорости изменения импульсных токов в шинах питания с помощью установки помехоподавляющих конденсаторов (как правило, безындуктивных керамических) в непосредственной близости от точек подключения микросхем к шинам питания. 4. Рациональная топология цепей питания. а б в Рис. 1.71. Улучшение (слева направо) системы «земля-питание»: копланарные шины (а шины одна над другой (б плоскости одна над другой (в) С помехами по цепям земля-питание тесно связан вопрос размещения компонентов (хотя он влияет и на другие аспекты ЭМС). В печатных платах лучше быстродействующие логические схемы располагать ближе к основному соединителю, схемы интерфейса – к соединителю интерфейса, аналоговые схемы отделять от цифровых, а микросхемы ОЗУ размещать в двух группах со схемами обрамления между ними (рис. 1.72). Аналоговые схемы Быстродействующие логические схемы Быстродействующие логические схемы Логические схемы умеренного быстродействия Медленные логические схемы Схемы обрамления Быстродействующие логические схемы ОЗУ ОЗУ Интерфейсные логические схемы Логические схемы умеренного быстродействия а б в Рис. 1.72. Компоненты на печатных платах процессора (а интерфейсной (б ОЗУ (в) Может существовать и более предпочтительная ориентация корпусов микросхем. Так, на двусторонних печатных платах микросхемы рекомендуется располагать параллельно соединителям, а на многослойных – параллельно большой оси платы (рис. 1.73). Цепи земля-питание существенно влияют на площадь контуров, по которым протекают различные токи. Как правило, её уменьшение ослабляет электромагнитные помехи (рис. 1.74). Как правило, ещё критичнее уменьшать контуры протекания токов по сигнальным цепям (рис. 1.75). В заключение отметим, что рост плотности монтажа и быстродействия элементной базы привел к такому обострению проблемы проектирования системы земля-питание, которая требует электродинамического анализа распределения токов в этой системе и даже излучаемых эмиссий от не. Там, где эта проблема особо актуальна, начинают широко применять совмещённые с печатной платой специальные слои земля-питание, разделённые между собой тонким слоем диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью (embedded capacitance). Уменьшить излучение от таких слоёв помогает использование специальных структур высо- коимпедансных поверхностей (high-impedance surfaces). В результате качественная картина частотных диапазонов разных систем земля-питание по критерию их излучений выглядит, как показано на риса б в г Рис. 1.73. Предпочтительная ориентация микросхем на печатных платах двухсторонних (а б многослойных (в г) +5 В Большая площадь контура В Земля Земля Меньшая площадь контура Плоскость +5 В Плоскость земли а б в Малая площадь контура Рис. 1.74. Площадь контура земля-питание: большая (а меньшая, за счёт ориентации корпуса вдоль шин питания ( б ); малая, за счёт плоскостей земля-питание (в) Плоскость +5 В Плоскость земли а в Малая площадь контура В Земля Большая площадь контура Сигнальная линия б В Земля Меньшая площадь контура Сигнальная линия Земля Сигнальный слой Рис. 1.75. Площадь контура сигнал-земля: большая (а меньшая, за счёт дополнительной линии земли ( б ); малая, за счёт плоскости земли (в) Конденсаторы поверхностного монтажа Прессованные ёмкостные слои Высокоимпедансные поверхности Частота, МГц 100 кГц 1 МГц 10 МГц 100 МГц 1 ГГц 10 ГГц Рис. 1.76. Частотный диапазон методов уменьшения излучений системы земля-питание 1.10. Электростатический разряд Большие проблемы в ЭМС связаны с электростатическим разрядом (ЭСР). Рассмотрим сначала причины его возникновения. Как известно, прикасании двух изначально нейтральных материалов с одного на другой может перенестись электрический заряд. Степень этого переноса зависит от многих факторов, основным из которых является трибоэлектрический ряд материалов. Чем дальше в нём расположены материалы, тем сильнее они зарядятся (верхний положительно, а нижний отрицательно. Обычно ЭСР происходит из-за следующей последовательности действий. Сначала диэлектрик заряжается из-за контакта с другим. Заряженный диэлектрик посредством электрической индукции вызывает разделение зарядов в проводнике. Проводник двигается около другого проводника (заземлённого или нет, и происходит разряд одного проводника на другой. Например, нечто подобное происходит при хождении по нейлоновому ковру в обуви с резиновой подошвой и касании клавиатуры компьютера. Электроны переносятся с ковра на подошвы, заряжая подошвы отрицательно. Это приводит к разделению зарядов (посредством индукции) в теле человека (поскольку тело можно полагать проводником, те. положительные заряды, притягиваемые отрицательными зарядами подошв, концентрируются у нога отрицательные заряды движутся к верхней части тела, в т.ч. к рукам. Когда отрицательно заряженный палец руки приближается к клавиатуре, он наводит на ней положительный заряд. В результате перед касанием создаётся электростатическое поле высокой напряжённости, которое может привести к разности потенциалов между различными точками изделия и нарушить его работу. Высокая напряжённость поля может вызвать даже пробой воздуха иду- говой разряд между пальцем и клавиатурой. Ток разряда может пройти через компьютер и его внутреннюю схемотехнику, приведя к сбою компьютеров или повреждению его компонентов. Импульс тока такого разряда может достигать десятков ампер при времени его фронта 200 пс нс и длительности 100 нс мкс. Различают такие его последствия 1. Прохождение непосредственно по электронным цепям. 2. Вторичные пробои или дуговые разряды. 3. Ёмкостные и индуктивные наводки на электронные цепи. Реальные корпуса аппаратуры имеют многочисленные щели, и все они позволяют влиянию ЭСР проникать внутрь (риса. Путь наименьшего импеданса для тока ЭСР может пройти через электронные цепи. Электрические и магнитные поля высокой напряжённости могут привести к вторичным разрядам или наводкам на схему. Что касается чисто пластмассовых корпусов, то заключённая в них аппаратура подвергается непосредственному влиянию полей, создаваемых из-за ЭСР (рис. 1.77 б. Вторичные дуговые разряды предотвращаются путём заземления металлических частей корпуса к земле и/или изоляции этих металлических частей от близлежащих электронных цепей. Все металлические части корпуса должны быть соединены с корпусной землёй. Внутренние электронные цепи удаляют от незаземлённых частей корпуса, как минимум, на 1 см, а от заземлённых – на 1 мм (риса. Эти оценки сделаны из отношения максимального напряжения электростатического заряда на человеке ( ≈25 кВ) и напряжения на импедансе корпусной земли от протекания тока ЭСР ( ≈1,5 кВ) к напряжённости пробоя воздуха (≈30 кВ/см). Для других изоляторов, имеющих гораздо большее пробивное напряжение, эти расстояния можно уменьшить. Другой путь уменьшения влияния вторичного разряда – это удлинение пути разряда путём перекрытия стыков (рис. 1.78 б. Используют и дополнительный экран, уменьшающий ёмкость между частью корпуса, подверженной ЭСР, и близлежащими электронными цепями (рис. 1.78 в. Статическому заряду, накапливающемуся на пластмассовых кнопках, дают возможность разрядиться на металлический разрядника не на печатную плату (рис. 1.78 г. Металлический корпус Схема ЭСР а Схема Металлический стол Пластмассовый корпус ЭСР б Рис. 1.77. Иллюстрация влияния ЭСР на электронные цепи в металлическом корпусе со щелями (а в пластмассовом корпусе (б) Общая идея защиты от ЭСР состоит в уменьшении его влияния нацепи, расположенные внутри защищаемого корпуса. Из-за щелей корпуса влияние ЭСР всё же будет, нов этом случае оно будет различным для разной геометрии корпуса. Рассмотрим, например, риса, где показано два возможных (или А, или Б) соединения схемной земли к корпусной земле. Для влияний ЭСР слева от корпуса наименьшим импедансом будет обладать скорее путь А, тогда как проход тока по пути Б, вероятнее всего, будет через электронные цепи. Отметим, что определение пути наименьшего импеданса, в силу широкого спектра ЭСР, может оказаться непростым. Протекание тока ЭСР даже по пути А может привести к его сильному влиянию на электронные цепи. Поэтому правильное расположение точки соединения сигнальной земли к корпусной земле должно отводить токи ЭСР от чувствительных цепей. Кроме того, все схемные земли внутри металлического корпуса должны соединяться с ним для предотвращения разности потенциалов между схемной землей и корпусом из-за протекания больших токов ЭСР по импедансу корпусной земли (рис. 1.79 б. 98 d min Схема а Схема б Схема в Разрядник металл) Изолированная крышка Пластмассовая кнопка Печатная плата г Рис. 1.78. Методы уменьшения влияния вторичного разряда изоляция схемы разносом (а удлинение пути разряда (б использование второго экрана (в разрядник (г) Схема A Б а Схема + V – б Рис. 1.79. ЭСР: влияние геометрии на путь разряда (а иллюстрация принципа предотвращения разности потенциалов вовремя ЭСР подсоединением схемной земли к корпусу (б) Если корпус хорошо защищает от ЭСР, то влияние ЭСР может быть связано с кабелями, которые служат приемными и передающими антеннами для токов ЭСР и тем самым способствуют проникновению его влияния нацепи внутри корпуса. Если экран кабеля сплошной, то он образует как бы продолжение корпуса и уменьшает влияние ЭСР (риса. Если же экран соединяется с корпусом проводником, то протекание большого тока ЭСР поэтому проводнику может создать наводки на входе кабеля, а также падение напряжения на импедансе этого проводника, что может привести к проблемам (рис. 1.80 б. 99 Схема Схема Экран а Схема Провод от экрана б Рис. 1.80. Применение экранированных кабелей для уменьшения влияния ЭСР: сплошной экрана ухудшение экранирования из-за соединения экрана проводником К сожалению, сплошное экранирование часто непрактично и дорого, особенно если корпус пластмассовый. Тогда можно предотвратить протекание нежелательных токов по кабелю их блокированием или шунтированием. Например, блокирование синфазных токов ЭСР можно получить синфазным дросселем (риса шунтирование – подводом проводов через проходные конденсаторы. Рис. 1.81. Применение синфазного дросселя для блокирования влияния синфазных токов ЭСР по кабелю Наконец, отметим использование плоскости земли (особенно, если корпус пластмассовый) для уменьшения влияния высокого электрического поля ЭСР. Исходя из граничного условия для электрического поляна границе хорошо проводящей плоскости вектор E практически ортогонален этой плоскости. Если двусторонняя печатная плата размещена ортогонально плоскости, то контуры протекания её сигнальных токов будут ориентированы в плоскости вектора E, тем самым, обеспечивая максимальную восприимчивость к электрическому полю (рис. 1.82). Поэтому лучше расположить плату параллельно пластине на минимальном расстоянии от не. Плоскость земли Печатная плата E t H n Пластмассовый корпуса б Рис. 1.82. Иллюстрация влияния ориентации платы по отношению к плоскости земли на её восприимчивость к электрическому полю ЭСР: конфигурация (а наихудшая ориентация поля и контуров токов платы (б) 101 2. УМЕНЬШЕНИЕ ИСКАЖЕНИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ В МЕЖСОЕДИНЕНИЯХ 2.1. Суть проблемы и её актуальность С ростом быстродействия полупроводниковых приборов всё большая доля времени задержки распространения сигналов приходится на задержки в межсоединениях электронных схем, ставших существенным фактором, влияющим на быстродействие схемы в целом. Так, поданным, в скоростных полупроводниковых чипах задержки в меж- соединениях составляют 80% цикла, тогда как задержки переключения транзисторных ключей занимают лишь 20% общего времени. В платах и блоках этот эффект проявляется ещё сильнее, поскольку их размеры больше, и длина межсоединений может составлять несколько длин волн распространяющихся по ним сигналов. С ростом электрической длины межсоединений их следует рассматривать как цепи с распределенными параметрами. Конечное время распространения электрических сигналов в таких межсоединениях приводит к искажениям формы сигналов, причинами которых являются отражения сигналов от различных (резистивных, комплексных, в том числе нелинейных) нагрузок и неоднородностей потери в межсоединениях; частотная зависимость потерь и задержек в межсоединениях; разброс параметров межсоединений по длине. Одним из основных способов уменьшения времени задержки сигналов в межсоединениях является уменьшение их длины за счет повышения плотности монтажа электронных схем. Однако при этом увеличиваются электромагнитные взаимовлияния между различными межсоедине- ниями, что особенно характерно для плотных и разветвленных межсо- единений цифровых схем. Поэтому межсоединения рассматривают как связанные линии передачи с распределенными параметрами или, в общем случае, как многопроводные линии передачи. Электрические сигналы, передаваемые по таким межсоединениям, подвергаются, кроме перечисленных выше, дополнительным амплитудными фазовым искажениям перекрестным помехам, вызванным электромагнитными наводками от соседних межсоединений, а также различием скоростей распространения многочисленных мод, возбуждаемых в многопроводных линиях передачи. За последние десятилетия достижения в технологии производства интегральных схем позволили резко увеличить тактовые частоты чипов и систем [16]. Для схем на комплементарных структурах металл-оксид- полупроводник (КМОП) тактовые частоты на уровне чипов возросли с 2– 5 МГц вначале х гг. до диапазона 50–100 МГц в 1992 г. Тактовые частоты кремниевой эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) возросли с 50 МГц в 1975 г. до диапазона 0,3–0,5 ГГц в 1992 г. В середине х гг. появились арсенидгаллиевые (GaAs) чипы с тактовыми частотами 6–8 ГГц и матрицы из более 500 вентилей на биполярных транзисторах с гетеропереходами с рабочими тактовыми частотами более 10 ГГц. С учётом гармоник высшего порядка частотные составляющие распространяющихся сигналов простираются от постоянного тока до десятков ГГц. По планам Semiconductor Industry Association (SIA-San Jose, CA) с 1995 по 2010 гг. прогресс электроники должен быть существенным [16]. Например, число выводов микропроцессорных интегральных схем увеличится с 512 до 1024. Ёмкость микросхем оперативной памяти увеличится с 64 Мбит до 64 Гбит. Тактовые частоты сигналов, распространяющихся между микросхемой и платой, возрастут со 150 МГц до 475 МГц, а внутренние частоты микропроцессоров возрастут с 330 МГц до 1,1 ГГц. Однако уже сегодня некоторые из этих рубежей преодолены. При таком повышении быстродействия сигналов и соответственной плотности межсоединений уровень перекрестных помех в межсоедине- ниях существенно увеличится, что часто является главной причиной, препятствующей росту быстродействия и плотности монтажа электронных схем будущего. С ростом быстродействия цифровой техники проблемы, возникавшие ранее, в основном перед разработчиками СВЧ-техники, в настоящее время возникают перед самым широким кругом разработчиков вычислительной техники и систем управления. Поэтому необходимо решать проблемы межсоединений, т.к. именно они зачастую становятся главной преградой на пути создания быстродействующей, компактной ив тоже время, помехоустойчивой и надежной аппаратуры. Неучёт факторов, составляющих проблему, при проектировании какой-либо части устройства способен стать причиной сбоев и ненадёжности в работе устройства в целом, которые трудно локализовать и устранить без больших затрат. Растёт интерес учёных к проблеме межсоединений. Показательным примером этого роста являются публикации в Трудах Международного Вроцлавского Симпозиума по Электромагнитной Совместимости. Так, в 1992 г. проблема межсоединений печатных плат была представлена лишь одним докладом [17], соавтором которого является автор этой работы, в разделе «VIII. Методы уменьшения электромагнитных помех. В 1994 г. семь докладов по межсоединениям печатных плат выделены в отдельный раздел «XVII. ЭМС в печатных платах. В 1996 г. в разделе «VII. ЭМС в печатных платах представлено восемь докладов и обширный пленарный доклад [18], который сделал W. John (Германия. Им же вовремя симпозиума организован однодневный семинар Проектирование печатных плат, отвечающее требованиям ЭМС (Компьютерное моделирование – Анализ – Измерения, включающий девять разделов. Практически в каждом номере известных международных журналов "IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques" и "IEEE Transactions on Circuits and Systems" имеются публикации поданной проблеме. Работы опытных исследователей представлены в тематических выпусках этих и других периодических изданий [19–22]. Из публикаций последних лет выделяется ряд исследований по разработке методов анализа отклика и вычисления параметров межсоединений самой различной сложности, проводимых группами исследователей под руководством таких учёных как O.A. Palusinski, R. Mittra, K. Tripathi (США, M.S. Nakhla Канада, R. Pregla (Германия, M. Horno (Испания. Исследованиями по электромагнитному и схемному моделированию межсоединений успешно руководит D. De Zutter (Бельгия. На компьютерную реализацию современных теоретических достижений в моделировании межсоединений быстродействующих электронных схем делают акцент G. Pan, K. Olson, B.K. Gilbert (США. Большой теоретический вклад в решение проблемы анализа МПЛП, сделал F.-Y. Chang (США. Последовательно проводятся исследования, которыми руководят R.F. Harrington, T.K. Sarkar (США) и A.R. Djordjevic (Югославия. Наконец, последними по очереди, ноне по важности следует отметить работы отечественных учёных. Действительно, численный метод, разработанный русским учёным Б.Г. Галёркиным ещё вначале прошлого века, стал одним из самых широко распространённых методов решения сложнейших задач электродинамики, в том числе и анализа межсоединений. Теоретические работы В.И. Коваленкова [23, 24] по анализу связанных линий передачи во многом предопределили появление важных теоретических исследований по анализу многопроводных линий передачи, выполненных ПИ. Кузнецовым и опубликованных в сборнике статей [25], который дважды переиздавался в США [26] и стал предметом многочисленных ссылок современных исследователей межсоединений. Работы известного отечественного математика академика Л.В. Канторовича [27, 28] оказали значительное воздействие на развитие численных методов. Например, R.F. Harrington [29] сообщает об их существенном влиянии на его работы по приложению метода моментов к задачам вычисления электромагнитного поля [30, 31]. Ряд работ академика АН. Тихонова по методам решения некорректных задач [32] позволил разработать эффективные модели численного электродинамического анализа различных структур [33], в том числе произвольных трёхмерных [34], успешно используемых в системе электродинамического моделирования [35]. Важные для теории многопроводных линий передачи выводы телеграфных уравнений из уравнений Максвелла представлены, например, в работах [36, 37]. Исследования многопроводных структур успешно развивались отечественными учёными, прежде всего применительно к созданию устройств СВЧ-техники: на основе планарных многопроводных линий [37, 38]; с применением более сложных многосвязных полосковых структур с неравной физической длиной связанных линий в области их связи [39]; с использованием возможности контролируемого распространения электромагнитных волн в объёмных структурах [40]. Однако исследовались межсоединения и быстродействующих цифровых схем для случая одиночных линий с распределёнными по длине нагрузками [41]; для двух связанных линий [42]; для многопроводных межсоединений в однородной и неоднородной диэлектрической среде [44]. Интересные аспекты межсоединений для пикосекундных сигналов показаны в [45]. Большой вклад в исследования межсоединений печатных плат обобщен в работе. Различные вопросы ЭМС печатных плат рассмотрены в [47]. Универсальные и высокоэффективные модели межсоединений разработаны в [48]. Проблема неискажённой передачи электрических сигналов в межсо- единениях возникает практически на всех структурных уровнях вычислительной техники и систем управления в микросхемах (межкристаль- ные соединения в многокристальных чипах, корпус СБИС с большим числом выводов в субблоках (печатные платы, платы с тонкопроволоч- ным монтажом и прочие монтажные платы в блоках (многоконтактные соединители и объединительные панели в шкафах (многопроводные жгуты и кабели. Однако особенно острой эта проблема оказывается для монтажных плат, поскольку, отличаясь сложной топологией и высокой плотностью, их межсоединения могут достигать длины в несколько десятков сантиметров. По этой причине, несмотря на универсальность ряда вопросов, рассмотренных в работе, в ней делается акцент на межсоеди- нения именно монтажных плат. Важным этапом совершенствования межсоединений, позволяющим получить высокие характеристики с наименьшими затратами, является моделирование различных процессов, связанных совсем жизненным циклом межсоединений, от их производства до утилизации, например технологических процессов, а также происходящих при работе межсо- 105 единений химических, механических и тепловых процессов. Нов первую очередь важно моделировать электромагнитные процессы, связанные с проходом электрических сигналов в межсоединениях, поскольку именно оно определяет основное функциональное назначение межсоединений. Используют экспериментальное и теоретическое моделирование. Экспериментальное возникло сравнительно давно и при отсутствии развитых математических методов и средств вычислительной техники часто было единственно возможным, вполне доступными удовлетворительным для несложных межсоединений видом моделирования. Однако с ростом плотности и быстродействия межсоединений появилась необходимость моделирования всё более сложных и тонких процессов. Это привело к усложнению и удорожанию изготовления экспериментальных макетов, необходимости точного и дорогого измерительного оборудования, росту требований к квалификации исследователя-экспериментатора. Поэтому возросло значение теоретического моделирования межсоединений. Широкое распространение и резкий рост производительности вычислительной техники, а также возможность быстрого получения вычисленных характеристик для любых параметров межсоединений, изменяющихся в самых широких диапазонах, сделали теоретическое моделирование несравнимо эффективнее экспериментального. Кроме того, появилась возможность эффективного решения не только задачи анализа, но и синтеза, и оптимизации межсоединений. Поэтому основное внимание в данной работе уделяется вопросам теоретического моделирования. Отметим, что в ряде случаев остаются ограничения на применение теоретического моделирования, связанные со сложностью определённых видов межсоединений и недостаточными ресурсами компьютеров. Тогда наиболее эффективным, а часто и единственно возможным, остаётся экспериментальное моделирование. Кроме того, известное преимущество экспериментального моделирования перед теоретическим, остающееся в силе посей день, заключается в том, что именно практика является окончательной проверкой теории. Таким образом, свои достоинства и недостатки имеет каждый вид моделирования, ив конкретном исследовании они могут взаимно дополнять друг друга. Поэтому в данной работе рассматриваются вопросы не только теоретического, но и экспериментального моделирования межсоединений. Отработанные методики экспериментального моделирования, теоретически разработанные методы, алгоритмы и реализованные на их основе программы вычислительного моделирования межсоединений способны стать мощным инструментом для дальнейшего совершенствования меж соединений. Графики зависимостей характеристик межсоединений от параметров конфигурации позволяют судить о потенциальной возможности получения требуемых характеристики сравнивать характеристики исследуемых межсоединений с характеристиками известных. В результате открываются дополнительные возможности уменьшения искажений электрических сигналов в межсоединениях. |