_Павлов«Аддитивнаыйспособ повышения прочности титана имплантацие. Аддитивный способ повышения прочности титана имплантацией ионов инертного газа д т. н., проф каф. Элэт
 Скачать 2.33 Mb.
|
ЭПР = ЦОП – ЦОБ = 500038,62 – 496384,3 = 3654,32 руб.8.2.11. Дополнительные годовые эксплуатационные затраты, вызванные внедрением техпроцесса, руб.: Зэкспл = (Цоб ∙ На/100) + Зэн + Зобсл Цоб – цена приобретенного оборудования для предлагаемого мероприятия, На – годовая норма амортизации (15,0%), Зэн - дополнительные затраты на электроэнергию, руб Зобсл – дополнительные затраты по обслуживанию оборудования. Зэкспл = (496384,35∙15,0/100) -7013+500 =74458 - 7013 + 500 = 67945 руб. 8.2.12. Годовой экономический эффект: Эг = ∆П = 9523 руб. Таблица №8 Показатели экономической эффективности модернизации
Вывод: Проведенная экономическая экспертиза проектируемого процесса ионно-лучевой пассивирующей обработки пластинчатых имплантатов позволила выявить следующие преимущества по сравнению с базовым: - снижение общей трудоёмкости на 43 ч. - экономия на электроэнергии на 7013 руб. - экономический эффект от внедрения новой технологии составил 9523 руб. Заключение Ионно-лучевое легирование – это внедрение ионов примеси в приповерхностный слой твердого тела мишени. Этот метод позволяет вводить в различные металлические мишени ионы различных элементов, и получать требуемые значения и заданные распределения концентрации примеси. Сравнительно низкая температура обработки мишени, точный контроль глубины и профиля распределения примеси, гибкость и универсальность, возможность автоматизации процесса, способствуют расширению применения технологии ионной имплантации в различных областях современного производства электронной и медицинской техники. Чем больше возможностей мы получаем по управлению режимами ионно-лучевого легирования, тем многофункциональней и разнообразней возможно получение покрытий на подложках, а также самого приповерхностного слоя у того или иного материала. Это в свою очередь раскрывает большие сферы применимости в таких областях как: медицина (разнообразнейшая инструменты для медицины, протезы и т.п.), машиностроение, металлургия, электронная промышленность и т.д. В результате проведённой работы была разработана высокоэффективная технология ионно-лучевой пассивирующей обработки титана и получены следующие результаты. Изучена зависимость плотности токов различных масс, в том числе аргона, от параметров работы ускорителя частиц, тока магнита, вытягивающего напряжения, ускоряющего напряжения. Получены режимы работы источника ионов и масс-сепаратора с целью решения задачи, заключающейся в получении пучка ионов аргона без примесей ионов других масс. Разработано и готово к практической реализации устройство ручной и автоматической подачи CO-газа в объём приёмной камеры с целью контролированной подачи CO-газа на имплантируемую мишень необходимого количества реакционного материала для получения пассивирующих углеродосодержащих полимерных покрытий заданных параметров. Список использованной литературы Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Девис. Ионное легирование полупроводников. Пер. с англ./ Под.ред. В.И. Гусева-М.: Мир, 1973.-288с. Гусева М.И. Ионная имплантация в металлах // Поверхность. Физика, химия, механика. – 1982. - №4. – С. 27-50. Томашов Н.Д., Гусева М.И., Федосеева Г.А. О возможности повышения коррозионной стойкости титана методом имплантации ионов палладия / Доклады АН СССР. – 1981. – Т. 256, №5. – С. 1129-1133. Мелькер А.И., Романов С.К., Сиротин В.В. Радиационная перекристаллизация меди при облучении ионами инертных газов // Материалы УП Всесоюзной конференции «Взаимодействие атомарных частиц с твёрдыми телами – Минск, 1984. – Ч.Т. – С. 257-258. Иландерева З.А., Раджабов Т.Д., Ражимова Т.Р. Формирование упрочнённого слоя с выделениями новой фазы на объёмных дефектах при ионной имплантации // Поверхность. – 1985. – Вып. 10. С. 115-126. Калуга Н.П. Основные характеристики ионно-имплантированных резисторов // Тезисы докладов Второй научно-технической конференции. – М.: ЦНИИ Электроника, 1980. – Вып. 3(150). – С. 35-36. Reise G., Ebersbach V., Henny F. Ion beam nitriding of ion // Thin Solid Films/ - 1979/ № 61. – P. 9-11. Козейкин Б.В., Фролов А.И., Чеботарев А.С. Субмикронная литография с применением потоков ионизирующих излучений. Обзор по электронной технике. Сер. 3, Микроэлектроника. – 1984. – Вып. 2(1021). – 131 с. Федотов Г.В. Изменение электросопротивления сплава железо-медь при нейтронном облучении / Г.В. Федотов, А.К. Паршин, В.В. Николаев и др. // Физика и химия обработки материалов. – 1978. - №4. – С. 14-17. Перинский В.В. Разработка методов создания элементов болометрических датчиков малого размера в обеспечении специальной элементной базы КИА: Технический отчёт по НИР №1333, №ГР Ф16815, 1986. – 103 с. Стоянова И.Г., Корольков В.П., Ельцев Ю.П. Исследование изменений электрохимических свойств тонких плёнок под действием ионов средних энергий // Известия АН СССР. Сер. Физическая. – 1977. – Т. 41, №5. – С. 955-963. Юрасов Ю.Н., Перинский В.В. и др. Исследование возможности замены покрытий из драгоценных и снижающих технологичность изделий материалов ионно-модифицированными аналогами: Технический отчёт по НИР №1321, №ГР Ф2000188. – 1986. – 98 с. А.Ф. Грищенко Ионное легирование в микро-электронике, М.Высшая школа-1985 г.-48 с.,ил.-(Профессиональное образование). Конорова Е.А., Ткаченко А.Д., Цикунов А.В. Увеличение адгезии пленки сурьмы к поверхности алмаза методом атомов отдачи//Сверхтвердые материалы.-1983.-№3.-С. 8-10. Икома Х. и др. – Справочник по современным полупроводниковым соединениям. Сайенсу форуму, 1982, 304 с. Безопасность жизнедеятельности:: Учебник: / Под ред. С.В. Белова – М.: Высшая школа, 2002.-476 с. Пикро Т., Пирси П. Ионная имплантация//В мире науки. – 1985.-№5.-С. 51-58. Перинская И.В., Лясников В.Н. Применение ионной имплантации аргона при создании ультрадисперсной наномодифицированной поверхности титановых дентальных имплантатов. СГТУ Углеродные нанотрубки позволят создать улучшенные имплантаты. Томас Уэбстер. artyukhov@Eternalmind.ru 02.10.2007,2 с. А.Ф. Грищенко Ионное легирование в микро-электронике, М.Высшая школа-1985 г.-48 с.,ил.-(Профессиональное образование). Безопасность жизнедеятельности: Учебник: /Под ред. Проф. Э.А. Арустамова. – 5-е изд., перераб. И доп. – М.: Изд – Ко – торговая корпорация «Дашков И К»; 2003. – 496 с. ГОСТ 12.1.007-76 (Межгосударственный стандарт безопасности труда), утвержденный Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 10.03.76 № 579. Безопасность жизнедеятельности: Учебник: /Под ред. С.В. Белова - М.: Высшая школа, 2002. – 476 с. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой/под.ред. Р.Бернина; пер. с англ., под ред. В.А.Молчанова.-М.: Мир,1986.-(Пробл. прикл. физики).-1986.-484с. MOS capacitance-voltage characteristics and dielectric properties of ion implanted thermal oxides on silicon/A.Chandorkar, V.T. Karulkar, A.S.Vengurlekar, K.V. Ramanathan.Phys. status solidity.-1984.-Vol. A81,№1.-P. 407-414. Козейкин Б.В., Фролов И.А., Высоцкий С.А. Аномальное поведение примесей в ионнолегированном эпитаксиальном слое//ФПТ.-1987.-Т. 2, №5.-С.979. Гусева М.И. Ионная имплантация в металлах//Поверхность. Физика, химия, механика.-1982.-№4.-С.27-50. Палмер Д. Успехи ионной имплантации: Сборник статей:-Пер. с англ./Под ред. В.С. Вавилова.-М.:Мир, 1980.-305с. Ion beam mixing kinetics of Fe-Al multilayers studies by insitu electrical resistivity messurements//J.P. Riviere, J.Delafoud,C.Jaoneu,A.Bellara,J.E. Dinhut//Appl. Phys.-1989.-Vol.A33,№2.-P.77-82. Камадрин А.И., Ионное облучение пленок фоторезистов при изготовлении износостойких фотошаблонов// Электронная техника.-1982,-Сер.7, Технология, организация производства и оборудование.-Вып.1(110).-С. 66-67. Перинский В.В. Применение ионно-стимулированной химической пассивации металлов для формирования СИС СВЧ// Тез.докл. Всесоюзный науч.-техн.конф./ САПР радиоэлектронных систем СВЧ на объемно-интегральных схемах.-Суздаль,1989.-С.203 О влиянии бомбардировки на химическую активность металлических пленок/В.Ф. Дорфман, Б.В. Севастьянов, Б.В. Козейкин и др.//Микроэлектроника-1982.-Т.2,вып.4.-С. 349с. Влияние ионной имплантации на химическую активность твердых тел/ В.Ф. Дорфман, И.А. Фролов, Б.В.Козейкин, В.В.Севастьянов//Приборы и системы управления.-1980.-№3.-С.41-42. Эффекты аномальной химической пассивации металлов при бомбардировке ионами аргона/ В.В. Перинский, Б.В.козейкин, А.И.Фролов, А.Г.Гурьянов//Электронная техника.Сер.8.-1967.-Вып.2(125).-С.40-42. Обзоры по Э.Т. , серия 3, Микроэлектроника, в.2(1021)Субмикронная литография с применением ионов ионизирующих излучений.Б.В. Козейкин и др. 1984г. Гусева М.И. Ионная имплантация в металлах и поверхностях. Физика, химия, механика.-1982.-№4.-с.27-50. Комаров Ф.Ф. и др. Ионная имплантация / Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков, А.Ф. Буренков, Под ред. Ф.Ф. Комарова.-Минск: Унiверситэукае, 1994.-303с.; 20см. Ионная имплантация и лучевая технология/[Дж. С. Вильямс, Дж. Ф. Гиббонс и др.]; Под ред. Дж.Ф. Гиббонс и др.]; Под ред. Дж. С. Вильямса; Перевод с англ. А.М. Евстигнеева; Под общ. Ред. О.В. Снитко.-Киев:Наука,1988.-357с.:ил.;22см. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии/Ф.Ф.Комаров,А.П. Новиков,В.С. Соловьев, С.Ю.Ширяев.-Минск:Университетское, 1990.-319с. Нормурадов, Мурадулла Т.,Умирзаков Балтаходжа Ерматович. Энергетические спектры поверхности твердых тел, имплантированных ионами низких энергий/Ташк.политехн.ин-т им.Абу Райхана Беруни.-Ташкент:Фан,1989.-154с. Быстрицкий, Виталий Михайлович, Диденко, Андрей Николаевич. Мощные ионные пучки.- М.: Энергоавтомиздат, 1984.-152с.ил.;21см. Ионная имплантация:[сб.ст]/Под ред. Дж. К. Хирвонена;пер.с англ. И.Я. Бокшицкого и др.; Под ред. О.П. Елютина.-М.: Металлургия, 1985.-391с., ил.;22см. Ионная имплантация в полупроводниках и других материалах: сборник статей/Перевод с англ. Под ред. В.С. Вавилова.-М.: Мир,1980.-331с.,ил.;20см.-(Новости физики твердого тела; Вып.10). Ионная имплантация и лучевая технология/[Дж. С. Вильямс, Дж. Ф. Гиббонс и др.]; Под ред. Дж.Ф. Гиббонс и др.]; Под ред. Дж. С. Вильямса; Перевод с англ. А.М. Евстигнеева; Под общ. Ред. О.В. Снитко.-Киев:Наука,1988.-357с.:ил.;22см. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой/под.ред. Р.Бернина; пер. с англ., под ред. В.А.Молчанова.-М.: Мир,1986.-(Пробл. прикл. физики).-1986.-484с. Приложение А
(54) МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ НИКЕЛИДА ТИТАНА С ЭФФЕКТОМ ПАМЯТИ ФОРМЫ (57) Реферат: Изобретение относится к материалам с памятью формы с модифицированной поверхностью, которые могут быть использованы в качестве имплантатов в медицине, в качестве элементов и изделий, работающих в агрессивных средах и т. д. Материал на основе никелида титана с ЭПФ с поверхностным слоем, модифицированным путем ионной имплантации легирующими элементами, в качестве которых выбраны кислород, углерод, титан и/или цирконий, имеет глубину модифицированного слоя 50-300 нм, а состав модифицированного слоя имеет следующее соотношение элементов, ат.%: кислород 25-75, углерод 5-10, титан и/или цирконий 20-50, никель 0-20. Кроме того, в качестве основы выбран никелид титана следующего состава, ат.%: никель 49-51, титан остальное. Материал с такими элементами и при данной их концентрации в модифицированном слое имеет высокую коррозионную стойкость как в исходном состоянии, так и после многократных циклов деформирования в режиме нагрузка - разгрузка, а также низкую растворимость ионов никеля в агрессивных средах. 2 з.п.ф-лы, 1 табл. 
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
