Лачин Электроника. Электроника рекомендовано Министерством образования Российской Федерации в качестве учебного пособия ля студентов высших технических учебных заведений РостовнаДону Феникс 2001 Рецензенты
![]()
|
1.5.4. Фотодиод Рассмотрим устройства, основные физические процессы, характеристики и параметры фотодиода. Устройство и основные физические процессы. Изобразим упрощенную структуру фотодиода (рис. 1.126, а) и его условное графическое обозначение (рис. 1.126, б). ![]() Физические процессы, протекающие в фотодиодах, носят обратный характер по отношению к процессам, протекающим в светодиодах. Основным физическим явлением в фотодиоде является генерация пар электрон-дырка в области p-n-перехода и в прилегающих к нему областях под действием излучения. Электрическое поле p-n-перехода разделяет электроны и дырки. Неосновные носители электричества, для которых поле является ускоряющим, выводятся этим полем за переход. Основные носители задерживаются полем в своей области проводимости. Генерация пар электрон-дырка приводит к увеличению обратного тока диода при наличии обратного напряжения и к появлению напряжения иакмежду анодом и катодом при разомкнутой цепи. Причем в соответствии со сделанным замечанием о разделении электронов и дырок иак> 0 (дырки переходят к аноду, а электроны — к катоду). Характеристики и параметры. Фотодиоды удобно характеризовать семейством вольт-амперных характеристик, соответствующих различным световым потокам (световой поток измеряется в люменах, лм) или различным освещен-ностям (освещенность измеряется в люксах, лк). Обратимся к вольт-амперным характеристикам (ВАХ) фотодиода (рис. 1.127). Пусть вначале световой поток равен нулю, тогда ВАХ фотодиода фактически повторяет ![]() Рис. 1.127 ВАХ обычного диода. Если световой поток не равен нулю, то фотоны, проникая в область p-n-перехода, вызывают генерацию пар электрон-дырка. Под действием электрического поля p-n-перехода носители электрода движутся к электродам (дырки — к электроду слоя р, электроны — к электроду слоя п). В результате между электродами возникает напряжение, которое возрастает при увеличении светового потока. При положительном напряжении анод-катод ток диода может быть отрицательным (четвертый квадрант характеристики). При этом прибор не потребляет, а вырабатывает энергию. На практике фотодиоды используют и в так называемом режиме фотогенератора (фотогальванический режим, вентильный режим), и в так называемом режиме фотопреобразователя (фотодиодный режим). Режим фотогенератора имеет место при и > 0 и i< 0 (четвертый квадрант). При этом диод отдает энергию во внешнюю цепь (и • i < 0). В этом режиме работают солнечные элементы. В настоящее время коэффициент полезного действия солнечных элементов достигает 20%. Пока энергия, вырабатываемая солнечными элементами, примерно в 50 раз дороже энергии, получаемой из угля, нефти или урана. Но ожидается, что стоимость энергии, получаемой с помощью солнечных батарей, будет снижаться. Режим фотопреобразователя соответствует соотношениям и < 0 и i < 0 (третий квадрант). В этом режиме фотодиод потребляет энергию (и • i > 0) от некоторого обязательно имеющегося в цепи внешнего источника напряжения (рис. 1.128). Графический анализ этого режима выполняется при использовании линии нагрузки, как и для обычного диода. При этом характеристики обычно условно изображают в первом квадранте (рис. 1.129). ![]() Фотодиоды являются более быстродействующими приборами по сравнению с фоторезисторами. Они работают на частотах 107—1010 Гц. Фотодиод часто используется в оптопарах светодиод-фотодиод. В этом случае различные характеристики фотодиода соответствуют различным токам светодиода (который при этом создает различные световые потоки). Изобразим соответствующие току светодиода 20 мА характеристики фотодиода, входящего в опто-пару АОД112А-1 (рис. 1.130, а). При этом ток i и напряжение и фотодиода соответствуют обычным для диодов условно-положительным направлениям (рис. 1.130,6). ![]() 1.5.5. Фототранзистор и фототиристор Выходные характеристики фототранзистора подобны выходным характеристикам обычного биполярного транзистора, но теперь положение характеристик определяется не током базы, а уровнем освещенности (или величиной светового потока). Свойства фототиристора подобны свойствам обычного тиристора, однако с той лишь особенностью, что включение тиристора осуществляется не с помощью импульса тока управления, а с помощью светового импульса. 1.5.6. Оптрон (оптопара) Оптрон — полупроводниковый прибор, содержащий источник излучения и приемник излучения, объединенные в одном корпусе и связанные между собой оптически, электрически или одновременно обеими связями. Очень широко распространены оптроны, у которых в качестве приемника излучения используются фоторезистор, фотодиод, фототранзистор и фототиристор. В резисторных оптронах выходное сопротивление при изменении режима входной цепи может изменяться в 107...108 раз. Кроме того, вольт-амперная характеристика фоторезистора отличается высокой линейностью и симметричностью, что и обусловливает широкую применимость резисторных оптопар в аналоговых устройствах. Недостатком резисторных оптронов является низкое быстродействие — 0,01...1 с. В цепях передачи цифровых информационных сигналов применяются главным образом диодные и транзисторные оптроны, а для оптической коммутации высоковольтных сильноточных цепей — тиристорные оптроны. Быстродействие тиристорных и транзисторных оптронов характеризуется временем переключения, которое часто лежит в дипазоне 5...50 мкс. Для некоторых оптронов это время меньше. Рассмотрим несколько подробнее оптопару светодиод-фотодиод. Дадим условное графическое обозначение этой оптопары (рис. 1.131, а). ![]() Напомним, что излучающий диод (слева) должен быть включен в прямом направлении, а фотодиод — в прямом (режим фотогенератора) или в обратном направлении (режим фотопреобразователя). Воспользуемся общепринятым выбором условно-положительных направлений для токов и напряжений диодов оптопары (рис. 1.131,6). И ![]() Указанная оптопара предназначена для работы как в фотогенераторном, так и в фотопреобразовательном режиме. 1.5.7. Разновидности индикаторов К основным типам индикаторов относятся: полупроводниковые индикаторы (ППИ), вакуумные люминесцентные индикаторы (ВЛИ), газоразрядные индикаторы (ГРИ) и жидкокристаллические индикаторы (ЖКИ). Простейшими ППИ являются светодиоды. Помимо них выпускаются цифровые и буквенно-цифровые, одно-и многоразрядные, шкальные и матричные ППИ. Они характеризуются высокой яркостью, большим сроком службы, низким рабочим напряжением, имеют малую инерционность и очень стойки к механическим воздействиям. ВЛИ представляют собой вакуумный триод, содержащий прямонакальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором и расположенных в одной плоскости. При подаче напряжения накала катод испускает электроны, которые под действием электрических полей сетки и анодов устремляются к анодам, и люминофор анодов начинает светиться. Индикаторы этого типа обладают большой яркостью и долговечностью, незначительной потребляемой мощностью и хорошо сопрягаются с микросхемами на МДП-структурах. Газоразрядные индикаторы до появления ВЛИ и ППИ были основными приборами техники индикации. И сейчас они широко применяются из-за высокой яркости, малой потребляемой мощности и высокого быстродействия. Но значительные рабочие напряжения (сотни вольт) не позволяют подключить ГРИ непосредственно к микросхемам. Практически все ГРИ представляют собой газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод. При увеличении разности потенциалов между анодом и некоторым катодом ток через такой диод резко возрастает, а газ начинает светиться. ЖКИ имеют небольшие размеры, питаются от источника с низким напряжением, потребляют очень малую мощность (не более 100 мкВт) и обеспечивают хорошую четкость знаков при самом различном наружном освещении. Поясним подробнее, что же такое жидкие кристаллы. Среди большого количества различных веществ, находящихся в жидком состоянии, значительная часть состоит из молекул, имеющих форму нити. Под воздействием электрического поля и в определенном диапазоне температур (10...55°С) в таких веществах возникает специфический эффект динамического рассеивания, в результате которого их коэффициент преломления (как для проходящего, так и для отраженного света) изменяется, и жидкость, непрозрачная в нормальном состоянии, начинает пропускать свет (она оказывается подобной твердому кристаллу). Таким образом, сами жидкокристаллические индикаторы света не излучают. Для них необходимы источники постороннего света той или иной длины волны. 1.6. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ Операционный усилитель (ОУ) — это высококачественный усилитель, предназначенный для усиления как постоянных, так и переменных сигналов. Ранее такие усилители использовали главным образом в аналоговых вычислительных устройствах для выполнения математических операций (сложения, вычитания и т. д.). Это объясняет происхождение Термина «операционный». В настоящее время очень широко используются операционные усили-. тели в виде полупроводниковых интегральных схем. Эти схемы содержат большое число (десятки) элементов (транзисторов, диодов и т. д.), но по размерам и стоимости приближаются к отдельным транзисторам. Оказалось, что операционные усилители очень удобно использовать для решения самых различных задач преобразования и генерирования маломощных сигналов, поэтому эти усилители очень широко используются на практике. При инженерной разработке электронных устройств на основе операционных усилителей полезно иметь представление о внутренней структуре операционных усилителей, особенно об устройстве входных и выходных каскадов, что помогает правильно решать вопросы согласования операционных усилителей с источниками входных сигналов и приемниками преобразованных сигналов. Однако во многих случаях нет необходимости учитывать особенности электронной схемы, реализованной в том или ином операционном усилителе. При этом операционный усилитель рассматривается как «черный ящик», который описывается характеристиками и параметрами, соответствующими токам и напряжениям только внешних выводов. Особенности электрических процессов во внутренних цепях операционного усилителя при таком подходе не учитываются. Именно поэтому начальные сведения по операционным усилителям даются в начальном разделе курса электроники, в котором изучают электронные приборы (диоды, транзисторы и т. д.). Вообще следует отметить, что при обращении к тому или иному объекту как электроники, так и других областей науки и техники всегда можно вьщелить следующие две тенденции. Первая тенденция состоит в стремлении как можно подробнее изучить и учесть внутреннюю струк-,туру и внутренние процессы объекта, а вторая — в стремлении охарактеризовать объект так, чтобы эта структура и эти процессы учитывались как можно меньше. В отношении операционного усилителя можно сказать, что представление его в форме «черного ящика» значительно упрощает анализ электронных схем и обычно дает вдолне приемлемые практические результаты. 1.6.1. Краткое описание операционного усилителя Рассмотрим наиболее широко используемые разновидности операционных усилителей, для питания которых применяются два источника напряжения (обычно +15В и —15В). По-другому это называют питанием от источника с нулевым выводом или от расщепленного источника ±15В. Приведем один из вариантов условного графического обозначения операционного усилителя (рис. 1.133). Обозначение общего вывода «0V» расшифровывается как «ноль вольт». Для уяснения назначения выводов изобразим типичную схему на операционном усилителе — схему инвертирующего усилителя (рис. 1.134). ![]() Рис. 1.133 Ниже будет показано, что если входное напряжение ивх достаточно мало по модулю, то выходное напряжение ивых определяется выражением ![]() ![]() ![]() ![]() В литературе, особенно зарубежной, часто используют условные графические обозначения, не соответствующие стандарту, принятому у нас (рис. 1.137). ![]() Обозначим напряжения на выводах операционного усилителя (рис. 1.138). ![]() Рис. 1.138 Напряжение идиф между инвертирующим и неинверти-рующим входами называют дифференциальным напряжением (дифференциальным сигналом). Ясно, что идиф=и+-и_ Операционные усилители конструируют таким образом, чтобы они как можно больше изменяли напряжение ивыхпри изменении дифференциального сигнала (т. е. разности и+ — и_) и как можно меньше изменяли напряжение ивыхпри одинаковом изменении напряжений и+ и и_. Пусть идиф= 0. Сделаем обозначение: иСФ= и+ = и_. Напряжение иСФназывают синфазным напряжением (синфазным сигналом). Используя этот термин, можно сказать, что операционные усилители конструируют таким образом, чтобы влияние синфазного сигнала на выходное напряжение было как можно меньше. 1.6.2. Передаточная характеристика Операционный усилитель хорошо характеризует его передаточная характеристика — зависимость вида ![]() где f-некоторая функция.Изобразим график этой зависимости (рис. 1.139) для одерационного усилителя К140УД1Б (это один из первых отечественных операционных усилителей). Эта конкрет- ![]() ная характеристика не проходит через начало координат. У различных экземпляров операционных усилителей одного и того же типа эта характеристика может проходить как слева, так и справа от начала координат. Заранее предсказать точное положение этой характеристики невозможно. Значение напряжения идиф, при котором выполняется условие ивых= 0, называют напряжением смещения (напряжением смещения нуля) и обозначают через UсмДля операционного усилителя типа К140УД1 известно только то, что напряжение Uсмлежит в диапазоне от — 10мВ до +10мВ. А это означает, что при нулевом напряжении идиф напряжение ивыхможет лежать в пределах от минимально возможного (около —7В) до максимально возможного (около +10В). Для того, чтобы при нулевом усиливаемом сигнале напряжение на выходе было равным нулю, т. е. для того, чтобы передаточная характеристика проходила через начало координат, предусматривают меры по компенсации напряжения смещения (балансировка, коррекция нуля, настройка нуля). Внекоторых операционных усилителях (в том числе и типа К140УД1Б) не предусмотрены специальные выводы, воздействуя на которые можно было бы компенсировать напряжение смещения. В этом случае на входы операционного усилителя, кроме усиливаемого сигнала, нужно подавать напряжение, компенсирующее напряжение смещения. В некоторых операционных усилителях для компенсации напряжения смещения предусмотрены специальные выводы. Изобразим типовую схему включения операционного усилителя типа К140УД8А, в котором предусмотрены такие выводы (рис. 1.140). ![]() Через NC обозначены специальные выводы для балансировки. Цифрами обозначены номера выводов. Диапазон выходного напряжения, соответствующий почти вертикальному участку передаточной характеристики, называется областью усиления. Соответствующий этому диапазону режим работы называют режимом усиления (линейным, активным режимом). В линейном режиме ![]() где К — коэффициент усиления по напряжению (коэффициент усиления напряжения, коэффициент усиления дифференциального сигнала). Обычно величина К лежит в пределах 104...105. К примеру, для операционного усилителя типа К140УД1Б К = 1350...12000, для операционного усилителя К140УД14А К не менее 50000. Диапазоны выходного напряжения вне области усиления называются областями насыщения. Соответствующий этим областям режим называют режимом насыщения. Обычно считается, что в режиме насыщения выполняется условие иеых = + Unun -3В (при идиф > 0) или иеых = - Unun +3В (при идиф< 0), где + Uпиmи - Unиm— напряжения питания. В приближенных расчетах иногда считают, что в режиме насыщения иеых =+Uпиmили иеых = -Unиmr Реальные электронные устройства на основе операционного усилителя практически всегда имеют коэффициент усиления значительно меньше К, так как в них используется отрицательная обратная связь. Пример схемы с отрицательной обратной связью приведен на рис. 1.134. Легко заметить, что чем больше коэффициент К при заданных напряжениях + Uпиmи - Uпиm, тем меньше тот диапазон значений напряжения идиф, который соответствует режиму усиления. Так, если К=50000 и + Uпиm = |- U|пиm= = 15 В, то величина |идиф|не может превышать значения 15 / 50000 = 300 • 10-6 В = 300 мкВ. Если наперед известно, что операционный усилитель работает в режиме усиления, то при практических расчетах обычно принимают, Что идиф=0. 1.6.3. Влияние различных факторов на выходное напряжение операционного усилителя При практическом использовании операционного усилителя необходимо учитывать, что различные факторы могут существенно влиять на его выходное напряжение. Влияние синфазного напряжения на выходное напряжение. Обратимся к схеме (рис. 1.141), в которой имеется только синфазный сигнал исф(идиф= 0). Изобразим типичный график зависимости ивыхот исфдля операционного усилителя (рис. 1.142). ![]() ![]() Если модуль |исф|сравнительно мал, то синфазный сигнал слабо влияет на напряжение ивых. Иначе его влияние, как следует из графика, может быть очень существенным. Если синфазный сигнал оказывается чрезмерно большим по модулю, то операционный, усилитель может выйти из строя. Влияние синфазного сигнала при его малых по модулю значениях характеризуют коэффициентом усиления синфазного сигнала Ксфи коэффициентом ослабления синфазного сигнала Кос.сф: ![]() Коэффициент К всегда положителен. Коэффициенты Ксф и Кос.сф могут быть как положительными, так и отрицательными. Но в справочных данных обычно указывают модули этих коэффициентов. Модуль коэффициента Ксф обычно близок к единице, поэтому модуль коэффициента Кос.сф обычно такого же порядка, что и коэффициент К. Коэффициент Кос.сфчасто измеряют в децибелах, обозначая его в этом случае через Кос.сфдБ: ![]() Например, для операционного усилителя типа К140УД1Б при напряжении питания ±12,6 В синфазный сигнал исфдолжен лежать в пределах —6...+6 В. Для этого усилителя коэффициент Кос.сфдБ:не меньше 60 дБ. Это означает, что модуль |Кос.сф| не меньше 1000. Влияние входных токов на выходное напряжение. Рассмотрим схему с операционным усилителем, во входной цепи которого включены два резистора (рис. 1.143). В этой схеме источники входных сигналов отсутствуют, однако входные токи i+ и i_ для реальных операционных усилителей не равны нулю. Эти токи могут быть в зависимости от типа операционного усилителя и положительными, и отрицательными. Если во входном каскаде операционного усилителя используются биполярные ![]() транзисторы, то токи i+ ,i_ обычно лежат в пределах от десятков наноампер до единиц микроампер, а если используются полевые транзисторы, то они обычно лежат в пределах от долей пикоампер до десятков наноампер. К примеру, для операционного усилителя типа К140УД1Б токи i+, i_ при t = 85° С не превышают 11 мкА (во входном каскаде — биполярные транзисторы), а для усилителя К140УД8А типовое значение этих токов при t = 70°С равно 10 нА (во входном каскаде — полевые транзисторы с p-n-переходом). Даже если выполняется равенство i+ = i_, но сопротивления R+и R_ различны (R+ =R_), разность падений напряжения на этих сопротивлениях будет воспринята усилителем как дифференциальный сигнал и вызовет появление напряжения на нагрузке. Поэтому стремятся к тому, чтобы эквивалентные сопротивления цепей, подключенных к инвертирующему и неинвертирующему входам, были одинаковыми. К сожалению, токи i+ и i_ не всегда одинаковы, и это является еще одной причиной нарушения режима работы операционного усилителя. Влияние температуры, напряжения питания и времени (старения) на выходное напряжение. Влияние указанных факторов проявляется в том, что под их воздействием изменяется напряжение смещения Uсм. .Для приближенной оценки этого влияния можно считать, что напряжение Uсм может изменяться следующим образом:
1.6.4. Амплитудно-частотная, фазочастотная характеристики операционного усилителя и его эквивалентная схема Цри увеличении частоты f уменьшается коэффициент К и возникает сдвиг по фазе (ф между напряжениями идиф и ивых (предполагается, что эти напряжения синусоидальные). Для учета этого удобно использовать комплексный коэффициент усиления по напряжению К: ![]() где Uвых,Uдиф -соответственно комплексные действующие значения переменных напряжений идифи ивых. На практике широко используют графики амплитудно-частотной и фазочастотной характеристик для К. Каждую отдельную характеристику или пару этих характеристик называют диаграммой Боде. На практике модуль |К|часто измеряют в децибелах, обозначая его при этом через |К| дБ. По определению |К|дБ =20lg|К|. Изобразим схематически амплитудно-частотную и фа-зочастотную характеристики для операционного усилителя типа К140УД8 (рис. 1.144, а, б). ![]() По оси ординат будем откладывать как значения |К|, так и значения |К| дБ. Обратим внимание на тот факт, что для оси абсцисс каждого графика используется логарифмический масштаб. Очень важно отметить, что несмотря на то, что модуль |К|и сдвиг по фазе начинают уменьшаться уже при очень малых частотах (около 10 Гц), подобные операционные усилители могут вполне успешно работать на значительно более высоких частотах (в десятки и сотни килогерц). Дело в том, что в практических схемах, как уже отмечалось, обычно используется отрицательная обратная связь, а она, как будет показано ниже, значительно улучшает частотные свойства схем на основе операционных усилителей. У некоторых операционных усилителей частотные характеристики таковы, что возможно самовозбуждение (при этом усилитель на основе операционного усилителя превращается в генератор). Для необходимого изменения частотных характеристик используют корректирующие устройства (конденсаторы или RC-цепочки). Выводы операционного усилителя, предназначенные для подключения корректирующих цепей, обозначают через FC (от англ. frequencycorrection). Операционный усилитель К140УД8 не требует использования внешних корректирующих цепей. Простейшая эквивалентная схема операционного усилителя изображена на рис. 1.145. Она может использоваться только на низких частотах (или на постоянном токе). Функция f(идиф) отражает особенности передаточной характеристики операционного усилителя. Часто принимают, что Rвх= °° (i_ = i+ = 0), Rвых= 0, К -> °°. ![]() 1.7. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ Интегральные микросхемы часто называют просто интегральными схемами. По определению интегральная схема (ИС) — микроэлектронное изделие (т. е. изделие с высокой степенью миниатюризации), выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и (или) кристаллов, которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое. Элемент интегральной схемы — часть интегральной схемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента (резистора, диода, транзистора и т. д.), причем эта часть выполнена нераздельно от других частей и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. Компонент интегральной схемы в отличие от элемента может быть выделен как самостоятельное изделие с указанной выше точки зрения. По конструктивно-технологическим признакам интегральные схемы обычно разделяют на:
В полупроводниковой схеме все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме или на поверхности полупроводника. В таких схемах нет компонентов. Это наиболее распространенная разновидность интегральных схем. Интегральную схему называют гибридной, если она содержит компоненты и (или) отдельные кристаллы полупроводника. В пленочных интегральных схемах отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика (обычно используется керамика). При этом применяются различные технологии нанесения пленок из соответствующих материалов. По функциональным признакам интегральные схемы подразделяют на аналоговые (операционные усилители, источники вторичного электропитания и др.) и цифровые (логические элементы, триггеры и т. п.). Краткая историческая справка. Первые опыты по созданию полупроводниковых интегральных схем были осуществлены в 1953 г., а промышленное производство интегральных схем началось в 1959 г. В 1966 г. был начат выпуск интегральных схем средней степени интеграции (число элементов в одном кристалле до 1000). В 1969 г. были созданы интегральные схемы большей степени интеграции (большие интегральные схемы, БИС), содержащие до 10000 элементов в одном кристалле. В 1971 г. были разработаны микропроцессоры, а в 1975 г. — интегральные схемы сверхбольшой степени интеграции (сверхбольшие интегральные схемы, СБИС), содержащие более 10000 элементов в одном кристалле. Полезно отметить, что предельная частота биполярных транзисторов в полупроводниковых интегральных схемах достигает 15 ГГц и более (1 ГГц = Ю'Гц). К 2000 г. ожидается появление интегральных схем, содержащих до 100 млн МОП транзисторов в одном кристалле (речь идет о цифровых схемах). Система обозначений. Условное обозначение интегральных микросхем включает в себя основные классификационные признаки. Оно состоит из четырех элементов и приведено в [3]. Первый элемент — цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе. Цифрами 1, 5, 6 и 7 в первом элементе обозначаются полупроводниковые интегральные микросхемы. Гибридным микросхемам присвоены цифры 2, 4 и 8. Пленочные, вакуумные .и керамические интегральные микросхемы обозначаются цифрой 3. Второй элемент, определяющий порядковый номер разработки серии, состоит из двух (от 00 до 99) или трех (от 000 до 999) цифр. Третий элемент, обозначающий подгруппу и вид микросхемы, состоит из двух букв (см. таблицу). Четвертый элемент, обозначающий порядковый номер разработки микросхемы данной серии, состоит из одной или нескольких цифр. К этим основным элементам обозначений микросхем могут добавляться и другие классификационные признаки. Дополнительная буква в начале четырехэлементного обозначения указывает на особенность конструктивного исполнения: Р — пластмассовый корпус типа ДИП; А — пластмассовый планарный корпус; Е — металлополимерный корпус типа ДИП; С — стеклокерамический корпус типа ДИП; И — стеклокерамический планарный корпус; К Р 1 3_4_ ЛА 2. ![]() Н — керамический «безвыводной» корпус. В начале обозначения для микросхем, используемых в условиях широкого применения, приводится буква К. Серии бескорпусных полупроводниковых микросхем начинаются с цифры 7, а бескорпусные аналоги корпусных микросхем обозначаются буквой Б перед указанием серии. Через дефис после обозначения указывается цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения: 1 — с гибкими выводами; 2 — с ленточными (па-учковыми) выводами, в том числе на полиамидном носителе; 3 — с жесткими выводами; 4 — на общей пластине (неразделенные); 5 — разделенные без потери ориентировки (наклеенные на пленку); 6 — с контактными площадками без выводов. ![]() |