Лачин Электроника. Электроника рекомендовано Министерством образования Российской Федерации в качестве учебного пособия ля студентов высших технических учебных заведений РостовнаДону Феникс 2001 Рецензенты

• Название: Электроника рекомендовано Министерством образования Российской Федерации в качестве учебного пособия ля студентов высших технических учебных заведений РостовнаДону Феникс 2001 Рецензенты
• Анкор: Лачин Электроника.doc
• Дата: 28.01.2017
• Размер: 7.57 Mb.
• Имя файла: Лачин Электроника.doc
• Тип: Учебное пособие; #535
• страница: 1 из 17

В. И. Лачин, Н. С. Савёлов

_{ЭЛЕКТРОНИКА}

Рекомендовано Министерством образования Российской Федерации в качестве учебного пособия ля студентов высших технических учебных заведений

Ростов-на-Дону

«Феникс»

2001


Рецензенты:

кафедра автоматики и компьютерных систем Том­ского политехнического университета (зав. кафедрой д.т.н., проф. Г. П. Цапко);

зав. кафедрой автоматики и управления в техничес­ких системах Самарского государственного техничес­кого университета д.т.н., проф. Э. Я. Рапопорт


Лачин В.И., Савёлов Н.С.

Л 31 Электроника: Учеб. пособие. - Ростов н/Д: изд-во «Фе­никс», 2001.-448 с.

Рассмотрены все основные полупроводниковые приборы и наи­более широко используемые устройства как аналоговой, так и циф­ровой электроники. Описаниям характеристик и параметров при­боров предшествуют необходимые сведения по физическим явлениям, учитываемые при математическом моделировании. Изу­чаемый материал ориентирован на практическое применение.

Учебное пособие предназначено для студентов высших техни­ческих учебных заведений.

ISBN 5-222-00998-Х ББК 32.85

УДК 621.38 (075.8) ББК 32.85 Л 31

© Лачин В.И., Савёлов Н.С, 2001 © Оформление, изд-во «Феникс», 2001

Предисловие

Учебное пособие систематически излагает основы элек­троники — динамично развивающейся области науки и техники, играющей особую роль в современном мире. Оно может использоваться студентами различных специальнос­тей, предполагающих в будущей профессиональной деятель­ности разработку и применение электронных устройств, а также систем автоматического и автоматизированного уп­равления.

В настоящее время вполне определенно проявился ис­ключительно сильный фактор, который все более насто­ятельно требует изменения подходов к изучению, анали­зу и синтезу электронных устройств. Этим фактором является математическое моделирование устройств элек­троники. Современные системы схемотехнического моде­лирования (Micro-Cap V, Design Center и др.) существенно изменили характер и повысили эффективность инженер­ной деятельности при разработке таких устройств.

Признанным становится тот факт, что традиционная методика изложения материала, ориентированная на без­машинные методы анализа и синтеза электронных уст­ройств, все меньше соответствует современным достиже­ниям в области математического моделирования.

Важной задачей является правильная ориентация буду­щего специалиста уже на стадии первоначального изучения электроники. Авторами предпринята попытка изложить материал так и в таком объеме, чтобы подготовить читате­ля к систематическому и самостоятельному изучению со­временных систем моделирования и проектирования.

Традиционно в начальных разделах книг по электрони­ке описываются физические процессы, имеющие место в электронных приборах. Существуют два диаметрально противоположных подхода, один из которых отличается глубоким, а второй — нарочито поверхностным уровнем такого описания. Авторы придерживались точки зрения, что одним из наилучших ориентиров служит современный уровень систем схемотехнического моделирования. По­этому с необходимой детализацией описаны те физичес­кие процессы, которые непосредственно учитываются при математическом моделировании. Для основных электрон­ных приборов (диодов и транзисторов) дано достаточно подробное описание их математических моделей.

При описании конкретных устройств электроники чи­татель также ориентируется на использование для их ана­лиза и расчета моделирующих систем.

Учебное пособие написано на основе многолетнего опыта чтения курса лекций по электронике для студентов специальности 21.01 «Управление и информатика в техни­ческих системах» в Южно-Российском государственном техническом университете (Новочеркасском политехни­ческом институте). Основу систем управления и инфор­матики составляют электронные устройства, поэтому курс является основательным и отличается практической на­правленностью.

Чтобы описание было предметным и давало специали­сту необходимые сведения о реальных характеристиках и параметрах, в качестве основы изложения широко исполь­зуются конкретные элементы схем. Приводятся примеры расчетов. Дается информация по конкретным интеграль­ным микросхемам. Из большого многообразия электрон­ных устройств для изучения отобраны наиболее важные, составляющие основу современной электроники.

Введение

Электроника является универсальным и исключитель­но эффективным средством при решении самых различ­ных проблем в области сбора и преобразования информа­ции, автоматического и автоматизированного управления, выработки и преобразования энергии. Знания в области электроники становятся необходимыми все более широ­кому кругу специалистов.

Сфера применения электроники постоянно расширя­ется. Практически каждая достаточно сложная техничес­кая система оснащается электронными устройствами. Трудно назвать технологический процесс, управление ко­торым осуществлялось бы без использования электрони­ки. Функции устройств электроники становятся все более разнообразными [1].

Обратимся к идеализированной системе управления некоторым объектом (рис. 1). Электрические сигналы, со­держащие информацию о контролируемых величинах, вы­рабатываются соответствующими датчиками. Эти сигналы фильтруются, усиливаются и преобразуются в цифровую форму с помощью аналого-цифровых преобразователей (АЦП). Затем они обрабатываются микропроцессором, который может взаимодействовать с ЭВМ. Формируемые микропроцессором сигналы управления преобразуются в аналоговую форму с помощью цифро-аналоговых преоб­разователей (ЦАП), усиливаются и подаются на силовые электронные устройства, управляющие исполнительными устройствами, непосредственно воздействующими на объект.

Рассмотренная система содержит электронные устрой­ства, работающие с аналоговыми сигналами (фильтры, усилители, силовые электронные устройства), цифровыми сигналами (микропроцессор, ЭВМ), а также устройства, осуществляющее преобразование сигналов из аналоговой формы в цифровую и обратно. В данном курсе изучаются все основные элементы, из которых строятся вышеназван­ные устройства. Некоторые представления об электрон­ных устройствах имеет каждый: радиоприемники, магни­тофоны, телевизоры, калькуляторы состоят в основном из электронных элементов. Характеристики электронных устройств определяются прежде всего характеристиками составляющих их элементов.

Роль электроники в настоящее время существенно воз­растает в связи с применением микропроцессорной тех­ники для обработки информационных сигналов и сило­вых полупроводниковых приборов для преобразования электрической энергии.

Электроника имеет короткую, но богатую событиями историю, которая составляет чуть более 100 лет. Первый ее период связан с эпохой вакуумных ламп и с появлени­ем чуть позже ионных приборов. На этой основе были разработаны электронные устройства, а затем долгие годы их совершенствовали.

К концу второй мировой войны масса электронного оборудования тяжелых самолетов приближалась к 1 000 кг (без учета энергетического оборудования, необходимого для питания электронной аппаратуры) [2]. Так, например, электронная аппаратура одной только системы вооруже­ния на самолетах американской фирмы «Боинг» за деся­тилетие с 1949 по 1959 г.

Рис.1

усложнилась в 50 раз: на самоле­тах выпуска 1959 г. электронная схема этой системы содержала уже 100 000 элементов.

Основным показателем совершенства электронной ап­паратуры является плотность упаковки, т. е. количество элементов схемы в 1 см³ действующего устройства. Если, например, основным элементом электронного устройства являются лампы, то можно достигнуть плотности 0,3 эл/см³. С учетом этого для размещения современной ЭВМ потребуется объем в несколько тысяч кубических метров. Кроме того, нужна мощная энергетическая уста­новка для питания такой машины.

Создание в конце 40-х годов первых полупроводнико­вых элементов (диодов и транзисторов) привело к появ­лению нового принципа конструирования электронной аппаратуры — модульного. Основой при этом является элементарная ячейка-модуль, стандартный по размерам, способу сборки и монтажу. При этом плотность упаковки возросла до 2,5 эл/см³.

Дальнейшее совершенствование полупроводниковых приборов, резисторов, конденсаторов и других элементов, уменьшение их размеров привели к созданию микромо­дулей. Плотность упаковки при этом превышала 10 эл/см³. Микромодули завершили десятилетнюю эпоху транзис­торной электроники и привели к возникновению инте­гральной электроники или микроэлектроники.

В схемотехническом отношении интегральная электро­ника часто не отличается от транзисторной, так как в ин­тегральной схеме можно выделить все элементы принци­пиальной схемы устройства, но размеры этих элементов, очень малы (примерно 0,5—1 мкм). Технология изготов­ления интегральных схем позволила резко повысить плот­ность упаковки, доведя ее до тысяч элементов в 1 см³.

В курсе электроники будут рассмотрены элементы электронных устройств, аналоговые электронные устрой­ства, устройства цифровой и импульсной электроники и современные подходы к анализу и синтезу электронных устройств.

ЭЛЕМЕНТЫ

ЭЛЕКТРОННЫХ

СХЕМ
В данной главе рассматриваются следующие элементы электронных схем, указанные на рис.1.1.

Много места отведено описанию устройства и основ­ных физических процессов, характеристикам и парамет­рам элементов. Приводятся и математические модели этих элементов, дается анализ схем с рассматриваемыми эле­ментами. Указываются особенности практического приме­нения этих элементов.


1.1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

1.1.1. Краткое описание

полупроводниковых материалов

Полупроводниковые материалы (германий, кремний) по своему удельному электрическому сопротивлению р за­нимают место между проводниками и диэлектриками (р = 1О³...1О⁸ Ом • см). Разная величина проводимости у металлов, полупроводников и диэлектриков обусловлена разной величиной энергии, которую надо затратить на то, чтобы освободить валентный электрон от связей с атома­ми, расположенными в узлах кристаллической решетки. Причем проводимость полупроводников в значительной степени зависит от наличия примесей и температуры.

В полупроводниках присутствуют подвижные носите­ли заряда двух типов: отрицательные электроны и поло­жительные дырки.

Чистые (собственные) полупроводники в полупровод­никовых приборах практически не применяются, так как обладают малой проводимостью и не обеспечивают одно­сторонней проводимости. Подвижные носители заряда в собственных полупроводниках возникают обычно в результате термогенерации. Техническое применение по­лучили так называемые примесные полупроводники, в ко­торых в зависимости от рода введенной примеси пре­обладает либо электронная, либо дырочная проводимость.

Если в кристаллическую решетку 4-валентного крем­ния ввести примесь 5-валентного элемента (фосфора Р, сурьмы Sb, мышьяка As), то четыре валентных электрона каждого примесного атома примут участие в образовании ковалентных связей с четырьмя соседними атомами крем­ния, а пятый валентный электрон окажется избыточным. Он слабо связан с атомом и легко превращается в свобод­ный. При этом атом примеси превращается в положитель-ный неподвижный ион. Увеличение концентрации сво­бодных электронов увеличивает вероятность рекомбина­ции, поэтому концентрация дырок уменьшается. При нормальной температуре практически все атомы приме­си превращаются в положительные неподвижные ионы, а число свободных электронов значительно превышает число дырок. Основными носителями заряда в таких полупровод­никах являются электроны, поэтому такой полупроводник называется полупроводником n-типа (электронного типа). Неосновными носителями заряда в нем являются дырки. Примеси, атомы которых отдают электроны, называют донорами.

При введении примеси 3-валентного элемента (бора В, индия In, алюминия А1) три валентных электрона каждо­го атома примеси принимают участие в образовании толь­ко трех ковалентных связей, а для четвертой связи атом примеси забирает электрон из какой-либо другой связи между атомами кремния, образуя при этом дырку. Атом примеси превращается в отрицательный неподвижный ион. Таким образом, 3-валентная примесь увеличивает концентрацию дырок, что в свою очередь уменьшает кон­центрацию электронов. Основными носителями заряда таких полупроводников являются дырки, поэтому полу­проводник называется полупроводником /?-типа (дыроч­ного типа). Неосновными носителями заряда являются электроны. Вещества, отбирающие электроны, называют­ся акцепторами.

Чтобы примесная электропроводность преобладала над собственной, концентрация атомов примеси N должна превышать концентрацию электронов и, и дырок p_tв соб­ственном полупроводнике (п,=р). Практически всегда N гораздо больше и, и р_г

Концентрация неосновных носителей уменьшается во столько раз, во сколько раз увеличивается концентрация основных носителей, Это объясняется увеличением веро-





ятности рекомбинации. Для примесного полупроводника справедливо равенство

где п,р — концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике.

Число атомов примеси мало по сравнению с числом атомов полупроводника. Если использовать фосфор Р, атомный вес которого примерно равен атомному весу кремния, и добавить в 1 кг расплава кремния только 20 мкг фосфора, то эта добавка увеличит число свободных элек­тронов на 5 порядков. На столько же порядков уменьшит­ся концентрация неосновных носителей.

Концентрация основных носителей определяется кон­центрацией примеси и практически не зависит от темпе­ратуры, так как уже при комнатной температуре все атомы примеси ионизированы, а число основных носителей, воз­никающих за счет генерации пар электрон-дырка, пре­небрежимо мало по сравнению с общим числом основных носителей. В то же время концентрация неосновных носи­телей мала и сильно зависит от температуры, увеличиваясь в 2—3 раза при увеличении температуры на каждые 10^вС.

1.1.2. Устройство и основные физические процессы

Полупроводниковым диодом называется электропре­образовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий 2 вывода.

Структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом и его условное графическое обозна­чение приведены на рис. 1.2, а, б.

Буквами р и п обозначены слои полупроводника с проводимостями соответственно p-типа и n-типа.



Обычно концентрации основных носителей заряда (дырок в слое р и электронов в слое п) сильно различают­ся. Слой полупроводника, имеющий большую концентра­цию, называют эмиттером, а имеющий меньшую концен­трацию, — базой.

Далее рассмотрим основные элементы диода (р-п-переход и невыпрямляющий контакт металл-полупровод­ник), физические явления, лежащие в основе работы ди­ода, а также важные понятия, использующиеся для описания диода. Глубокое понимание физических явле­ний и владение указанными понятиями необходимо не только для того, чтобы правильно выбирать конкретные типы диодов и определять режимы работы соответствую­щих схем, выполняя традиционные расчеты по той или иной методике. В связи с быстрым внедрением в практи­ку инженерной работы современных систем схемотехни­ческого моделирования эти явления и понятия приходит­ся постоянно иметь в виду при выполнении математического моделирования. Системы моделирования быстро совершен­ствуются, и математические модели элементов электронных схем все более оперативно учитывают самые «тонкие» фи­зические явления. Это делает весьма желательным постоян­ное углубление знаний в описываемой области и необходи­мым понимание основных физических явлений, а также использование соответствующих основных понятий.

Приведенное ниже описание основных явлений и по­нятий, кроме прочего, должно подготовить читателя к систематическому изучению вопросов математического моделирования электронных схем.

Рассматриваемые ниже явления и понятия необходи­мо знать при изучении не только диода, но и других при­боров.

Структура р-п-перехода. Вначале рассмотрим изолиро­ванные друг от друга слои полупроводника (рис. 1.3).


РИС. 1.3

Изобразим соответствующие зонные диаграммы (рис. 1.4).





В отечественной литературе по электронике уровни зонных диаграмм и разности этих уровней часто характе­ризуют потенциалами и разностями потенциалов, измеряя их в вольтах, например, указывают, что ширина запрещен­ной зоны ф₅ для кремния равна 1,11 В.

В то же время зарубежные системы схемотехнического моделирования реализуют тот подход, что указанные уров­ни и разности уровней характеризуются той или иной энер­гией и измеряются в электронвольтах (эВ), например, в ответ на запрос такой системы о ширине запрещенной зоны в случае кремниевого диода вводится величина 1,11 эВ.

В данной работе используется подход, принятый в оте­чественной литературе.

Теперь рассмотрим контактирующие слои полупровод­ника (рис. 1.5).

В контактирующих слоях полупроводника имеет мес­то диффузия дырок из слоя р в слой п, причиной которой является то, что их концентрация в слое р значительно больше их концентрации в слое п (существует градиент концентрации дырок). Аналогичная причина обеспечива­ет диффузию электронов из слоя п в слой р. Диффузия дырок из слоя р в слой п, во-первых, уменьшает их кон­центрацию в приграничной области слоя р и, во-вторых, уменьшает концентрацию свободных электронов в при­граничной области слоя п вследствие рекомбинации. Подобные результаты имеет и диффузия электронов из слоя п в слой р.

В итоге в приграничных областях слоя р и слоя п воз­никает так называемый обедненный слой, в котором мала концентрация подвижных носителей заряда (электронов и дырок). Обедненный слой имеет большое удельное со­противление. Ионы примесей обедненного слоя не ком­пенсированы дырками или электронами. В совокупности ионы образуют нескомпенсированные объемные заряды, создающие электрическое поле с напряженностью Е, ука­занной на рис. 1.5. Это поле препятствует переходу дырок из слоя р в слой п и переходу электронов из слоя п в слой р. Оно создает так называемый дрейфовый поток подвиж­ных носителей заряда, перемещающий дырки из слоя n в слой р и электроны из слоя р в слой и. В установившемся режиме дрейфовый поток равен диффузионному, обуслов­ленному градиентом концентрации. В несимметричном p-n-переходе более протяженным является заряд в слое с меньшей концентрацией примеси, т. е. в базе.

Изобразим зонную диаграмму для контактирующих сло­ев (рис. 1.6), учитывая, что уровень Ферми для них являет­ся единым.

,

Рассмотрение структуры p-n-перехода и изучение зон­ной диаграммы (рис. 1.6) показывают, что в области пе­рехода возникает потенциальный барьер. Для кремния высота Аф потенциального барьера примерно равна 0,75 В.

Примем условие, что потенциал некоторой удаленной от перехода точки в слое р равен нулю. Построим график зависимости потенциала ф от координаты х соответству­ющей точки (рис. 1.7). Как видно из рисунка, значение ко­ординаты х = 0 соответствует границе слоев полупровод­ника.

Важно отметить, что представленные выше зонные диаграммы и график для потенциала ф (рис. 1.7) строго соответствуют подходу, используемому в литературе по физике полупроводников, согласно которому потенциал определяется для электрона, имеющего отрицательный заряд.

В электротехнике и электронике потенциал определя­ют как работу, совершаемую силами поля по переносу еди­ничного положительного заряда.

Построим график зависимости потенциала ф_э, опреде­ляемого на основе электротехнического подхода, от коор­динаты х (рис. 1.8).

Ниже индекс «э» в обозначении потенциала будем опускать и использовать только электротехнический под­ход (за исключением зонных диаграмм).

Прямое и обратное включение р-п-перехода. Идеализиро­ванное математическое описание характеристики перехода.

Подключим к p-n-переходу внешний источник напряжения так, как это показано на рис. 1.9. Это так называемое пря­мое включение р-п-перехода. В результате потенциальный



барьер уменьшится на величину напряжения и (рис. 1.10), дрейфовый поток уменьшится, р-n-переход перейдет в неравновесное состояние, и через него будет протекать так называемый прямой ток.



Подключим к p-n-переходу источник напряжения так, как это показано на рис. 1.11. Это так называемое обрат­ное включение р-n-перехода. Теперь потенциальный ба­рьер увеличится на напряжение и (рис. 1.12). В рассмат­риваемом случае ток через p-n-переход будет очень мал. Это так называемый обратный ток, который обеспечива­ется термогенерацией электронов и дырок в областях, прилегающих к области p-n-перехода.

Обозначим через и напряжение на p-n-переходе, а че­рез i — ток перехода (рис. 1.13). Для идеального p-n-перехода имеет место следующая зависимость тока i от на­пряжения и:

где i_s -ток насыщения (тепловой ток), индекс s— от ан­глийского saturationcurrent, для кремниевых диодов обыч­но i_s=10-¹⁵... 10-» А;

к — постоянная Больцмана, к=1,38-10²³ Дж/К = 8,62 • 10-⁵ эВ/К;

Т — абсолютная температура, К;

q— элементарный заряд, q=l,6-10¹⁹ Кл;

φ_т— температурный потенциал, при температуре 20°С (эта температура называется комнатной в отечественной литературе) φ_т= 0,025 В, при температуре 27°С (эта тем­пература называется комнатной в зарубежной литературе) φ_т= 0,026 В.

Изобразим график зависимости тока iот напряжения и, которую называют вольт-амперной характеристикой p-n-перехода (рис. 1.14).

Полезно отметить, что, как следует из приведенного выше выражения, чем меньше ток i_s, тем больше напря­жение u при заданном положительном (прямом) токе. Учитывая, что ток насыщения кремниевых (Si) переходов обычно меньше тока насыщения германиевых (Ge) пере­ходов, изобразим соответствующие вольт-амперные харак­теристики (рис. 1.15).


Пробой р-п-перехода. Пробоем называют резкое изме­нение режима работы перехода, находящегося под обрат­ным напряжением. Характерной особенностью этого из­менения является резкое уменьшение дифференциального сопротивления перехода г_диф, которое определяется выра­жением


где u — напряжение на переходе;

i— ток перехода (см. рис. 1.13).

После начала пробоя незначительное увеличение об­ратного напряжения сопровождается резким увеличени­ем обратного тока. В процессе пробоя ток может увели-чиваться при неизменном и даже уменьшающемся (по модулю) обратном напряжении (в последнем случае диф­ференциальное сопротивление оказывается отрицатель­ным). Изобразим соответствующий участок вольт-ампер­ной характеристики p-n-перехода (рис. 1.16).

В основе пробоя р-п -перехода лежат три физических явления:

• 
  туннельного пробоя р-n-перехода (эффект, явление
  Зенера);
  
• 
  лавинного пробоя р-n-перехода;
  
• 
  теплового пробоя р-n-перехода.
  

Термин «пробой» используется для описания всей со­вокупности физических явлений и каждого отдельного явления.

И туннельный, и лавинный пробой принято называть электрическим пробоем.

Рассмотрим все три вида пробоя.

Туннельный пробой. Его называют также зенеровским пробоем по фамилии (Zener) ученого, впервые описавше­го соответствующее явление в однородном материале. Ранее явлением Зенера ошибочно объясняли и те процес­сы при пробое перехода, в основе которых лежал лавин­ный пробой.

В иностранной литературе до сих пор называют диода­ми Зенера стабилитроны (диоды, работающие в режиме пробоя) независимо от того, используется туннельный или лавинный пробой. Напряжение, при котором начинается пробой, называют напряжением Зенера. Для объяснения механизма туннельного пробоя схематически изобразим соответствующую зонную диаграмму p-n-перехода (рис. 1.17).

Если геометрическое расстояние между валентной зо­ной и зоной проводимости (ширина, толщина барьера)



Валентная зона

Рис. 1.17

достаточно мало, то возникает туннельный эффект — яв­ление прохождения электронов сквозь потенциальный барьер. Туннельный пробой имеет место в р-п -переходах с базой, обладающей низким значением удельного сопро­тивления.

Лавинный пробой. Механизм лавинного пробоя подобен механизму ударной ионизации в газах, схематично явле­ние лавинного пробоя изобразим на рис. 1.18.

Лавинный пробой возникает, если при движении до очередного соударения с атомом дырка (или электрон) приобретает энергию, достаточную для ионизации атома. Расстояние, которое проходит носитель заряда до соуда­рения, называют длиной свободного пробега. Лавинный пробой имеет место в переходах с высокоомной базой (име­ющей большое удельное сопротивление).

Тепловой пробой. Увеличение тока при тепловом пробое объясняется разогревом полупроводника в области р-п-перехода и соответствующим увеличением удельной прово­димости. Тепловой пробой характеризуется отрицательным дифференциальным сопротивлением. Если полупровод­ник — кремний, то при увеличении обратного напряжения тепловой пробой обычно возникает после электрического (во время электрического пробоя полупроводник разогре­вается, а затем начинается тепловой пробой). После элек­трического пробоя p-n-переход не изменяет своих свойств. После теплового пробоя, если полупроводник успел на­греться достаточно сильно, свойства перехода необрати­мо изменяются (соответствующий полупроводниковый прибор выходит из строя).

Явление изменения нескомпенсированных объемных заря­дов в области p-n-перехода. Барьерная емкость. Как уже отмечалось, вследствие диффузии электронов и дырок че­рез р-n-переход в области перехода возникают нескомпен-сированные объемные (пространственные) заряды иони­зированных атомов примесей, которые закреплены в узлах кристаллической решетки полупроводника и поэтому не участвуют в процессе протекания электрического тока. Однако объемные заряды создают электрическое поле, которое в свою очередь самым существенным образом влияет на движение свободных носителей электричества, т. е. на процесс протекания тока.

При увеличении обратного напряжения область про­странственных зарядов (главным образом за счет базы) и величина заряда в каждом слое (р и n) полупроводника увеличиваются. Это увеличение происходит непропорци­онально: при большом по модулю обратном напряжении заряд увеличивается при увеличении модуля напряжения медленнее, чем при малом по модулю обратном напряже­нии.

Дадим поясняющую иллюстрацию (рис. 1.19), где ис­пользуем обозначения:

Q — пространственный заряд в слое л полупроводни­ка;

и — внешнее напряжение, приложенное к р-n-переходу.

Обозначим через f функцию, описывающую зависи­мость Q от и. В соответствии с изложенным Q =f(и).

В практике математического моделирования (и при руч­ных расчетах) удобно и поэтому принято пользоваться не этим выражением, а другим, получаемым из этого в резуль­тате дифференцирования. На практике широко использу­ют так называемую барьерную емкость С_6ар р-п -перехода, причем по определению С_6ар= |dQ/dи|. Изобразим графи­ки для Q (рис. 1.20) и С_бар(рис. 1.21).

Явление возникновения и изменения объемного заряда не­равновесных носителей электричества. Диффузионная ем­кость. Если напряжение внешнего источника напряжения смещает p-n-переход в прямом направлении (и > 0), то начинается инжекция (эмиссия) — поступление неоснов­ных носителей электричества в рассматриваемый слой полупроводника. В случае несимметричного р-п-перехода (что обычно бывает на практике) основную роль игра­ет инжекция из эмиттера в базу.

Далее предполагаем, что переход несимметричный и что эмиттером является слой р, а базой — слой п. Тогда ин­жекция — это поступление дырок в слой п. Следствием инжекции является возникновение в базе объемного за­ряда дырок.

Известно, что в полупроводниках имеет место явление диэлектрической релаксации (релаксации Максвелла), которое состоит в том, что возникший объемный заряд практически мгновенно компенсируется зарядом подо­шедших свободных носителей другого знака. Это проис­ходит за время порядка 10^-12 с или 10^-11 с.

В соответствии с этим поступивший в базу заряд ды­рок будет практически мгновенно нейтрализован таким же по модулю зарядом электронов.

Используем обозначения:

Q — объемный заряд неравновесных носителей в базе;

и — внешнее напряжение, приложенное к р-n-переходу;

f— функция, описывающая зависимость Q от и.

Дадим поясняющую иллюстрацию (рис. 1.22).

В соответствии с изложенным Q = f(и). На практике удобно и принято пользоваться не этим выражением, а другим, получаемым из этого в результате дифференциро­вания. При этом используют понятие диффузионной емкости С_диф p-n-перехода, причем по определению С_диф= = dQ/du. Емкость называют
диффузионной, так как рассматриваемый заряд Q лежит в основе диффузии носите­лей в базе. С_диф удобно и принято описывать не как функ­цию напряжения и, а как функцию тока i p-n-перехода.

Сам заряд Q прямо пропорционален току i (рис. 1.23, а). В свою очередь ток i экспоненциально зависит от напря­жения и (соответствующее выражение приведено выше), поэтому производная di/duтакже прямо пропорциональ­на току (для экспоненциальной функции ее производная тем больше, чем больше значение функции). Отсюда сле­дует, что емкость С_диф прямо пропорциональна току i(рис.1.23,6):





где — температурный потенциал (определен выше);

— среднее время пролета (для тонкой базы), или вре­мя жизни (для толстой базы).

Среднее время пролета — это время, за которое инжек­тируемые носители электричества проходят базу, а. время жизни — время от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации.

Общая емкость р-п-перехода. Эта емкость С_пер равна сумме рассмотренных емкостей, т. е. С_пер = С_бар| + С_диф.

При обратном смещении перехода (u < 0) диффузион­ная емкость практически равна нулю и поэтому учитывают барьерную емкость. При прямом смещении обычно

С_бар<С_диф

Невыпрямляющий контакт металл-полупроводник. Для подключения внешних выводов в диодах используют так называемые невыпрямляющие (омические) контакты ме­талл-полупроводник. Это такие контакты, сопротивление которых практически не зависит ни от полярности, ни от величины внешнего напряжения.

Получение невыпрямляющих контактов — не менее важная задача, чем получение p-n-переходов. Для кремни­евых приборов в качестве металла контактов часто ис­пользуют алюминий. Свойства контакта металл-полупро­водник определяются разностью работ выхода электрона. Работа выхода электрона из твердого тела — это прираще­ние энергии, которое должен получить электрон, находя­щийся на уровне Ферми, для выхода из этого тела.

Обозначим работу выхода для металла через A_м а для полупроводника — через A_п. Разделив работы выхода на заряд электрона q, получим соответствующие потенциа­лы:

Введем в рассмотрение так называемую контактную разность потенциаловДля определенно-

сти обратимся к контакту металл-полупроводник n-типа. Для получения невыпрямляющего контакта необходимо выполнение условия

Изобразим соответствующие зонные диаграммы для неконтактирующих металла и полупроводника (рис. 1.24).

Как следует из диаграммы, энергетические уровни в полупроводнике, соответствующие зоне проводимости, заполнены меньше, чем в металле. Поэтому после соеди­нения металла и полупроводника часть электронов перей­дет из металла в полупроводник. Это приведет к увеличе­нию концентрации электронов в полупроводнике типа п.

Таким образом, проводимость полупроводника в обла­сти контакта окажется повышенной и слой, обедненный свободными носителями, будет отсутствовать. Указанное
явление оказывается причиной того, что контакт будет невыпрямляющим. Для получения невыпрямляющего кон­такта металл-полупроводник p-типа необходимо выполне­ние условия φ_мп > 0.



1.1.3. Характеристики и параметры полупроводникового диода

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) полупроводнико­вого диода на постоянном токе (статическая характерис­тика). Вольт-амперная характеристика — это зависимость тока i, протекающего через диод, от напряжения и, при­ложенного к диоду (рис. 1.25). Вольт-амперной характе­ристикой называют и график этой зависимости.

Вначале будем полагать (см. рис. 1.25), что обратное на­пряжение (и < 0) по модулю меньше напряжения пробоя p-n-перехода. Тогда в первом приближении можно счи­тать, что вольт-амперная характеристика диода определя­ется уже рассмотренным идеализированным описанием характеристики р-n-перехода:



Тепловой ток i_sобусловлен генерацией неосновных носителей в областях, прилегающих к области р-n-перехода. Однако часто это идеализированное описание дает неприемлемую погрешность. Особенно.большая погреш­ность возникает при вычислении тока диода, включенного в обратном направлении (U < 0, i < 0). Вычисленный по рассматриваемому выражению ток (i=-i_sпри \и\>> (φ_т) для кремниевых диодов оказывается на несколько поряд­ков меньше реального. В то же время стоит отметить, что в некоторых расчетах обратным током вообще можно пре­небречь.

Укажем причины отличия характеристик реальных ди­одов от идеализированных. Обратимся к прямой ветви вольт-амперной характеристики диода (и > 0,i > 0). Она отличается от идеализированной из-за того, что в реаль­ном случае на нее влияют :

• 
  сопротивления слоев полупроводника (особенно базы);
  
• 
  сопротивления контактов металл-полупроводник.
  

Важно отметить, что сопротивление базы может суще­ственно зависеть от уровня инжекции (уровень инжекции показывает, как соотносится концентрация инжектиро­ванных неосновных носителей в базе на границе перехо­да с концентрацией основных носителей в базе). Влияние указанных сопротивлений приводит к тому, что напряжение на реальном диоде при заданном токе несколько больше (обычно на доли вольта), чем это следует из формулы.

Обратимся к обратной ветви (и < 0, i < 0). Основные причины того, что реально обратный ток обычно на не­сколько порядков больше тока i_s, следующие:

• 
  термогенерация носителей непосредственно в обла­
  сти р-n-перехода;
  

• 
  поверхностные утечки.
  

Термогенерация в области p-n-перехода оказывает су­щественное влияние на ток потому, что область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс ре­комбинации (обратный процессу генерации и в опреде­ленном смысле уравновешивающий его) здесь замедлен.

При комнатной температуре для кремниевых приборов ток термогенерации обычно существенно превышает теп­ловой ток i_s.

Для ориентировочных расчетов можно считать, что с повышением температуры ток i_s удваивается примерно на каждые 5°С, а ток термогенерации удваивается примерно на каждые 10°С. При температуре около 100°С ток i_sсрав­нивается с током термогенерации.

Поверхностные утечки часто составляют подавляющую долю обратного тока. Их причинами являются:

• 
  поверхностные энергетические уровни, обеспечива­ющие активные процессы генерации и рекомбина­ции;
  
• 
  молекулярные и ионные пленки, шунтирующие p-n-переход.
  

При увеличении модуля обратного напряжения ток утечки вначале изменяется линейно, а затем более быст­ро. Ток утечки характеризуется так называемой «ползуче­стью» — изменением в течение времени от нескольких се­кунд до нескольких часов.

При практических ориентировочных расчетах иногда принимают, что общий обратный ток кремниевого диода увеличивается в 2 раза или в 2,5 раза на каждые 10°С.

Для примера изобразим характеристики выпрямитель­ного кремниевого диода Д229А при различных темпера­турах (максимальный средний прямой ток — 400 мА, мак­симальное импульсное обратное напряжение — 200 В). Прямые ветви характеристик представлены на рис. 1.26, а обратные (до режима пробоя) — на рис. 1.27.

Обратимся к режиму пробоя полупроводникового ди­ода и соответствующему участку обратной ветви вольт-амперной характеристики (на рис. 1.27 этот участок не показан).

Диоды многих конкретных типономиналов не предназ­начены для работы в режиме пробоя. Для них этот режим работы — аварийный. Если при пробое ток в цепи не ог­раничивается (например, внешним сопротивлением), то диод выходит из строя. В таких приборах при чрезмерном увеличении обратного напряжения (по модулю) практи­чески сразу же начинается тепловой пробой (участок элек­трического пробоя практически отсутствует).

Напряжение начала пробоя для рассматриваемых дио­дов — величина нестабильная (пробой начинается при U = -Uпроб.где Uпроб — так называемое напряжение пробоя — положительная величина). Изобразим соответствую­щую вольт-амперную характеристику (рис. 1.28).Диоды некоторых конкретных типов спроектированы с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в тече­ние некоторого короткого времени. Такие диоды называ­ют лавинными. Если отрезок времени, в течение которо­го диод находится в режиме лавинного пробоя, невелик, то его р-n-переход не успевает перегреться и диод не вы­ходит из строя. Иначе лавинный пробой перейдет в теп­ловой и диод выйдет из строя. Изобразим вольт-амперную характеристику для лавинного диода (рис. 1.29).

Лавинные диоды, как правило, более надежны в срав­нении с обычными кратковременные перенапряжения не выводят лавинный диод из строя).



Для некоторых конкретных типов диодов режим про­боя является основным рабочим режимом. Это так назы­ваемые стабилитроны, рассматриваемые ниже.

Зависимость барьерной емкости диода от напряжения. Приведем график зависимости общей емкости Сд крем­ниевого диода 2Д212А от обратного напряжения (основ­ной вклад в общую емкость вносит барьерная емкость) (рис. 1.30). Для этого диода максимальный постоянный (средний) прямой ток — 1 А, максимальное постоянное (импульсное) обратное напряжение — 200 В.

Временные диаграммы тока и напряжения диода при его переключении. Обратимся к схеме на рис. 1.31. Предпола­гается, что вначале ключ К подключает источник напря-




жения U1, а затем, в момент времени t = 0, источник на­пряжения U2..

Предполагается также, что напряжения U1 и U2значитель но больше прямого падения напряжения на диоде. Изобра­зим соответствующие временные диаграммы (рис. 1.32).

До момента времени t = 0 протекает ток i1, который с уче­том принятого условия U1>>Uопределяется выражением

Сразу после переключения ключа К и в течение так называемого времени рассасывания t_распротекает ток i₂,

который ограничивается практически только сопротивле­нием R, т. е.



В этот отрезок времени в базе диода уменьшается (рас­сасывается) заряд накопленных при протекании тока i, неравновесных носителей. Заряд уменьшается в результате рекомбинации и перехода неосновных носителей в эмит­тер.

По истечении времени t_pacконцентрация неосновных носителей в базе на границе p-n-перехода становится рав­ной равновесной. В глубине же базы неравновесный за­ряд еще существует. Длительность времени рассасывания прямо пропорциональна среднему времени жизни не­основных носителей в базе и зависит от соотношения то­ков i1, и i2 (чем больше по модулю ток i₂, тем меньше, при заданном токе i1, время рассасывания).

В момент времени t1 напряжение на диоде начинает быстро возрастать по модулю, а ток iуменьшаться по мо­дулю (спадать). Соответствующий отрезок времени t_cnна­зывают временем спада. Время спада отсчитывают до того момента t2 которому соответствует достаточно малое (по модулю) значение тока i₃. Время спада зависит от вре­мени жизни носителей, а также от барьерной емкости ди­ода и от сопротивления Rсхемы. Чем больше указанные емкость и сопротивление R, тем медленнее спадает ток.

Отрезок времени tвос = t_pac + t_cnназывается временем восстановления (временем обратного восстановления).

После завершения переходного процесса (момент вре­мени t3) через диод течет ток i_o6fycm — обратный ток в ус­тановившемся режиме (определяемый по статической вольт-амперной характеристике диода).

Для упомянутого выше диода 2Д212А типовое время восстановления — 150 нc (150 • 10⁹с) при i1, = 2 А (им­пульсный ток) и i₂= 0,2 А.

Параметры диодов. Для того, чтобы количественно оха-рактеризовать диоды, используют большое количество (измеряемое десятками) различных параметров. Некото-рые параметры характеризуют диоды самых различных подклассов. Другие же характеризуют специфические свойства диодов только конкретных подклассов.

Укажем наиболее широко используемые параметры, применяемые к диодам различных подклассов:

Iпр.макс. - максимально допустимый постоянный прямой ток;

U_np — постоянное прямое напряжение, соответствую-щее заданному току;

Uобр. макс — максимально допустимое обратное напряже-ние диода (положительная величина);

Iобр. макс — максимально допустимый постоянный обрат-ный ток диода (положительная величина; если реальный ток больше, чем Iобр. макс, то диод считается непригодным к использованию);

Rдиф - дифференциальное сопротивление диода (при заданном режиме работы).

В настоящее время существуют диоды, предназначен-ные для работы в очень широком диапазоне токов и на-пряжений. Для наиболее мощных диодов Iпр.макс. составля-ет килоамперы, a U_{обр.макс}— киловольты.

1.1.4. Использование вольт-амперной характеристики диода для определения его режима работы

Рассмотрим следующий пример.

В схеме, изображенной на рис. 1.33, необходимо опре-делить ток, протекающий через диод, напряжение на ди-оде и напряжение на резисторе.


Здесь и_и— напряжение источника напряжения (извест-ная величина). Запишем уравнение по 2-му закону Кирх-гофа для указанной на рисунке ориентации контура:

-u_u +u_r +u_d =0

Отсюда

-u_u+i_d-R+u_d=0,



Графиком этой линейной зависимости тока Iд от напря-жения Uдявляется прямая линия — так называемая линия нагрузки. Сама зависимость называется уравнением линии нагрузки, это одно из уравнений, необходимых для опре-деления двух неизвестных: i_dи и_д. Уравнение линии на-грузки показывает, как связаны ток i_d и напряжение Uдв рассматриваемой схеме.

Второе необходимое уравнение — нелинейное — зави-симость тока i_dот напряжения Uдв форме вольт-амперной характеристики. Эта зависимость показывает, как связа-ны ток i_dи напряжение U_д для конкретного рассматривае-мого диода.,

Практический анализ электронных схем в настоящее время рекомендуется выполнять на ЭВМ с помощью мо­делирующих программ. Но при первом знакомстве с по­добной схемой очень поучительно выполнить ее графи­ческий анализ. Пусть u_u = ЗВ, R = 10 Ом и используется диод Д229А при температуре 25°С. Выполним соответству­ющие графические построения (рис. 1.34).

Искомый ток диода i*_д — 230 мА, искомое напряжение на диоде и*_д=0,7 В.

Легко заметить, что отрезок аb— это искомое напря­жение U*_r,на резисторе R(u'_R= U_и — U*_д= 2,3 В).

1.1.5. Математические модели диодов и их использование для анализа электронных схем

При анализе электронных схем на ЭВМ все электрон­ные приборы, в том числе и диоды, заменяются их мате­матическими моделями.

Математическая модель диода — это совокупность эк­вивалентной схемы диода и математических выражений, описывающих элементы эквивалентной схемы. Кратко рассмотрим математическую модель диода, используемую в пакете программ для анализа схем MicroCap-2. Это одна из наиболее простых моделей. Изобразим эквивалентную схему диода (рис. 1.35). Постоянное сопротивление Rвключено в схему с целью учета тока утечки. Емкость С моделирует барьерную и диффузионную емкости диода.
Управляемый источник тока i_yмоделирует статическую вольт-амперную характеристику. Математическое описа­ние тока i_yи емкости С достаточно громоздкое, но осно­вано на учете уже рассмотренных выше физических явле­ний в диоде.

Модель является универсальной и хорошо моделирует диод как в статическом (на постоянном токе), так и в ди­намическом (в переходных процессах) режиме, учитыва­ет влияние температуры на свойства диода.

В простейших случаях, например при ориентировоч­ных ручных расчетах, иногда используют несложные ма­тематические модели диодов. При этом часто пользуются кусочно-линейной аппроксимацией вольт-амперной ха­рактеристики диода.

Изобразим вольт-амперную характеристику диода (рис. 1.36), выполним линейную аппроксимацию прямой



Рис. 1.36

и обратной ветвей и изобразим соответствующие эквива­лентные схемы диодов для прямого (рис. 1.37) и обратно­го включений (рис. 1.38).

Рассмотрим в качестве примера расчет тока и напряже­ний в простейшей схеме (рис. 1.39).





Поскольку диод смещен в прямом направлении, то используем эквивалентную схему для прямого включения диода и получим линейную схему постоянного тока, пред­ставленную на рис. 1.40.

Выполним анализ этой цепи:

E = u_R+u_d;



откуда

E-u_n




При приближенном анализе схемы с диодом иногда можно пренебречь величинами r_диф.при Uди заменить вклю­ченный диод идеальным источником напряжения с нуле­вой величиной напряжения, т. е. так называемой «закороткой», а также пренебречь обратным током i₀(близким кнулю) и сопротивлением r_дифобр(близким к бесконечнос­ти) и заменить выключенный диод разрывом. Это соответ­ствует замене реального диода идеальным, обладающим вольт-амперной характеристикой, представленной на рис. 1.41.

Изобразим эквивалентные схемы идеального диода для прямого (рис. 1.42) и обратного включений (рис. 1.43).