Главная страница
Навигация по странице:

  • Характеристики запоминающих устройств внутренней памяти

  • Многоуровневая организация памяти микропроцессорной системы

  • Классификация устройств памяти

  • Шинная организация микропроцессорных систем- с одной шиной, с дв. Программа для эвм это упорядоченная последовательность команд, подлежащая обработке


    Скачать 1.97 Mb.
    НазваниеПрограмма для эвм это упорядоченная последовательность команд, подлежащая обработке
    Дата16.04.2023
    Размер1.97 Mb.
    Формат файлаdocx
    Имя файлаШинная организация микропроцессорных систем- с одной шиной, с дв.docx
    ТипПрограмма
    #1065457
    страница9 из 40
    1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   40

    15. Архитектура подсистемы памяти микропроцессорной системы. Характеристики подсистемы памяти микропроцессорной системы


    Подсистема памяти – совокупность устройств, служащих для запоминания, хранения и выдачи информации, представленной в виде цифровых кодов.

    Содержимое памяти обычно относится к одной из четырех категорий:

    • коды программы;

    • данные (постоянные);

    • промежуточные результаты обработки (переменные);

    • состояние системы.
    Можно выделить три основные функции памяти:

    • хранение программ и данных;

    • запоминание промежуточных результатов, используемых в ходе обработки;

    • работа в качестве элемента устройства обработки.
    Отдельные устройства, входящие в подсистему памяти микропроцессорной системы, называют запоминающими устройствами (ЗУ) или памятями того или иного типа. Оба эти термина в настоящее время почти синонимы. ЗУ обычно употребляется, когда речь идет о принципе построения некоторого устройства памяти. Например, полупроводниковое ЗУ, ЗУ на магнитных дисках и т.п. Термин память употребляется, когда хотят подчеркнуть выполняемую устройством памяти логическую функцию или место в составе системы. Например, основная память, кэш-память, внешняя память.

    Основные операции в памяти:

    • занесение информации в память – запись;

    • выборка информации из памяти – считывание или чтение.
    Обе эти операции называют обращением к памяти или обращением при считывании (чтении) и обращением при записи.

    Характеристики запоминающих устройств внутренней памяти

    Основными характеристиками запоминающих устройств являются:

    • емкость;

    единица пересылки;

    • метод доступа;

    • быстродействие;

    • стоимость.
    Емкость (объем) ЗУ определяется максимальным количеством информации, которое одновременно может в нем храниться, и выражается в количестве слов определенной разрядности – битов, байтов или n-разрядных слов. Так как эта емкость может быть достаточно велика, то обычно используют более крупные единицы, образованные присоединением приставок К/K (кило/kilo), М/M (мега/mega), Г/G (гига/giga), Т/T (тера/tera), П/P (пета/peta), Е/E (экса/exa), З/Z (зетта/zetta), И/Y (иотта/yotta) к перечисленным выше единицам. В вычислительной технике эти приставки означают умножение основной единицы измерений на целую степень числа 2:

    • K – 210 = 1024;

    • M – 220 = 1 048 676;

    • G – 230 = 1 073 741 824;

    • T – 240 = 1 099 511 627 776;

    • P – 250;

    • E – 260;

    • Z – 270;

    • Y – 280.
    Важной характеристикой ЗУ является единица пересылки. Для основной памяти единица пересылки определяется шириной шины данных, т.е. количеством битов, передаваемых по линиям шины параллельно (одновременно). Обычно единица пересылки равна длине слова. Данные могут передаваться единицами, превышающими размер слова, которые называются блоками. Например, блоками передаются данные при пересылке между основной памятью и кэш-памятью.

    При оценке быстродействия необходимо учитывать применяемый в данном типе ЗУ метод доступа к данным. Различают четыре основных метода доступа: прямой, последовательный, произвольный и ассоциативный. В ЗУ внутренней памяти используются три последних метода:

    Быстродействие ЗУ является одним из важнейших его показателей. Для количественной оценки быстродействия обычно используют три параметра: время обращения к памяти, цикл обращения и скорость передачи данных.

    Время обращения к памяти. Время обращения при записи и чтении определяется следующим образом

    tобр зап = tд + tзап;

    tобр чт = tд + tсчит,

    где

    • tдвремя доступа.

    • tзапвремя записи.

    • tсчитвремя считывания.
    Практически для большинства ЗУ tобр зап = tобр чт.

    Время цикла обращения к памяти (цикла памяти) или период обращения Tц. Означает минимальное время между двумя последовательными обращениями к памяти. Период обращения включает в себя время доступа плюс некоторое дополнительное время. Дополнительное время может требоваться для приведение в исходное состояние элементов памяти, а в некоторых типах ЗУ, где считывание информации приводит к ее разрушению, – для восстановления (регенерации) считанной информации.

    Скорость передачи данных. Определяется количеством данных считываемых или записываемых запоминающим устройством в единицу времени.

    Стоимость ЗУ принято оценивать отношением общей стоимости ЗУ к его емкости в битах, т.е. стоимостью хранения одного бита информации.

    Многоуровневая организация памяти микропроцессорной системы

    Память является «узким местом» МПС из-за ее серьезного отставания по быстродействию от процессоров, причем разрыв этот неуклонно увеличивается. Так, если производительность процессоров ежегодно возрастает вдвое примерно каждые 1,5 года, то для микросхем памяти прирост быстродействия не превышает 9% в год (удвоение за 10 лет), что выражается в увеличении разрыва в быстродействии между процессором и памятью приблизительно на 50% в год.

    В отношении устройств памяти, используемых в настоящее время, выявляется следующая закономерность:

    • чем меньше время доступа, тем выше стоимость хранения бита;

    • чем больше емкость, тем ниже стоимость хранения бита, но больше время доступа.
    Основным требованием, которому должно удовлетворять ЗУ, является обеспечение требуемой емкости и высокого быстродействия за приемлемую цену. Как правило, эти две характеристики рассматриваются во взаимосвязи – желательно, чтобы память обладала как можно большей емкостью и как можно большим быстродействием и при этом была бы экономически выгодной с точки зрения технической реализации (приемлемые стоимость, габариты, масса, потребляемая мощность). Удовлетворить эти противоречащие друг другу требования одновременно в одном устройстве достаточно сложно.

    Наиболее распространенным подходом является построение подсистемы памяти по иерархическому принципу. Иерархическая память состоит из ЗУ различных типов, которые, в зависимости от характеристик, относят к определенному уровню иерархии:

    1. регистры;

    2. кэш-память;

    3. основная память (ОП);

    4. твердотельные и магнитные диски;

    5. оптические диски, ЗУ на магнитных лентах.
    Три верхних уровня иерархии образуют внутреннюю память МПС, а все нижние уровни - это внешняя или вторичная память.

    Более высокий уровень меньше по емкости, быстрее и имеет большую стоимость в пересчете на бит, чем более низкий уровень. Уровни иерархии взаимосвязаны: все данные на одном уровне могут быть также найдены на более низком уровне, и все данные на этом более низком уровне могут быть найдены на следующем нижележащем уровне и т.д. По мере движения вниз по иерархической структуре:

    1. уменьшается соотношение «стоимость/бит»;

    2. возрастает емкость;

    3. растет время доступа;

    4. уменьшается частота обращения к памяти со стороны процессора.
    Если память организована в соответствии с пунктами 1-3, а характер размещения в ней данных и команд удовлетворяет пункту 4, иерархическая организация ведет к уменьшению общей стоимости при заданном уровне производительности.

    На каждом уровне иерархии информация разбивается на блоки, выступающие в качестве наименьшей информационной единицы, пересылаемой между двумя соседними уровнями иерархии. Размер блоков может быть фиксированным либо переменным. При фиксированном размере блока емкость памяти обычно кратна его размеру. Размер блоков на каждом уровне иерархии чаще всего различен и увеличивается от верхних уровней к нижним.

    При оценке эффективности подобной организации памяти обычно используют следующие характеристики:

    коэффициент попаданий (hit rate) – отношение числа обращений к памяти, при которых произошло попадание, к общему числу обращений к ЗУ данного уровня иерархии;

    коэффициент промахов (miss rate) – отношение числа обращений к памяти, при которых имел место промах, к общему числу обращений к ЗУ данного уровня иерархии;

    время обращения при попадании (hit time) – время, необходимое для поиска нужной информации в памяти верхнего уровня (включая выяснение, является ли обращение попаданием), плюс время на фактическое считывание данных;

    потери на промах (miss penalty
    Описание некоторого уровня иерархии ЗУ предполагает конкретизацию четырех моментов:

    • размещения блока – допустимого места расположения блока на примыкающем сверху уровне иерархии;

    • идентификации блока – способа нахождения блока на примыкающем сверху уровне;

    • замещения блока – выбора блока, заменяемого при промахе с целью освобождения места для нового блока;

    • согласования копий (стратегии записи) – обеспечения согласованности копий одних и тех же блоков, расположенных на разных уровнях, при записи новой информации в копию, находящуюся на более высоком уровне.
    Классификация устройств памяти

    По физическим принципам работы ЗУ делятся на

    магнитные. ЗУ на магнитных дисках или лентах, ЗУ на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД);

    полупроводниковые. Используются ЗЭ с накоплением электрических зарядов – на этих элементах строится динамическая память и на основе активных приборов (например, триггер) – на этих элементах строится статическая память;

    оптические. Запоминание информации происходит благодаря оптическому отображению ее на поверхности материала, осуществляемому лучом лазера.
    В зависимости от методов размещения и поиска информации память делится на два типа

    адресная память. Размещение и поиск информации основан на использовании адреса. Адрес – номер ячейки памяти. Аадресная память строиттся на ЗУ с произвольным (непосредственным) доступом (выборкой);
    безадресная память. Размещение и поиск информации производится не по адресу. По способу доступа к ячейкам памяти безадресная память подразделяется на ассоциативную и стековую.
    По характеру работы с памятью ЗУ делятся на

    • ЗУ, допускающие многократную запись и считывание (например, ОЗУ);

    • ЗУ, допускающие только считывание после однократной записи (например, ПЗУ).
    По характеру хранения (в зависимости от источника питания) память делится на два типа

    энергозависимая память. Содержимое элементов памяти теряется при выключении источника питания – ОЗУ, ЗУ на ПЗС;

    энергонезависимая память. Элементы памяти сохраняют содержимое независимо от состояния источника питания – магнитные и оптические ЗУ, ПЗУ.
    По способу обращения процессора к ЗУ память делится на два типа

    внутренняя память;

    внешняя память.


    1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   40


    написать администратору сайта