Главная страница
Навигация по странице:

  • 5.7. Контрольные вопросы

  • Метода по лабам ФКС. 3 Лабораторная работа исследование зонной структуры кристаллов


    Скачать 0.83 Mb.
    Название3 Лабораторная работа исследование зонной структуры кристаллов
    Дата26.04.2021
    Размер0.83 Mb.
    Формат файлаpdf
    Имя файлаМетода по лабам ФКС.pdf
    ТипЛабораторная работа
    #199065
    страница9 из 9
    1   2   3   4   5   6   7   8   9
    5.5. Вычисления
    5.5.1. Полевая зависимость постоянной Холла Воспользовавшись таблицей измеренных в эксперименте EDS
    Σ
    (B), определить значения ЭДС Холла при каждом положительном и отрицательном значениях магнитной индукции B:
    ( )
    ( )
    (0).
    EDS Усреднить значения ЭДС Холла ср
    (
    )
    H
    U
    при каждом значении ±B и результаты занести в табл. 5.1 вычислений. Таблица 5.1 Полевая зависимость постоянной Холла и параметры образца

    (
    )
    ср
    (
    )
    (
    )
    ,
    2
    H
    EDS
    B
    EDS
    B
    U
    + +В ср
    (
    ) (
    )
    ,
    2
    B
    B
    B
    +
    + −
    =
    Тл
    3
    , м Кл, мм В с Значения постоянной Холла
    H
    R
    рассчитать, воспользовавшись формулой
    (
    )
    ср
    0 ср
    ,
    H
    H
    U
    d
    R
    I B
    =
    (5.19) Полученную зависимость
    H
    R
    представить графически.
    5.5.2. Расчет концентрации носителей заряда и их подвижности Концентрация носителей заряда в кристалле равна (см. 5.17)
    H
    H
    A
    n
    qR
    =
    (5.20) При расчетах принять A
    H
    = 1.1, что характерно при рассеянии носителей заряда на колебаниях решетки в кристаллах с ионно-ковалентной связью. Холловская подвижность носителей заряда
    H
    µ определяется из соотношения где σ – удельная проводимость образца
    0 1
    ,
    v
    I l
    U dc
    σ =
    (5.22) Здесь U
    v1
    и I
    0
    – напряжение и ток в образце соответственно.
    5.5.3. Температурная зависимость постоянной Холла Результаты полученных в эксперименте значений EDS
    Σ
    (T) представить в виде температурной зависимости постоянной Холла. Для этого по формуле
    (5.19) рассчитать
    H
    R
    при каждой температуре и результаты занести в табл. 5.2. Таблица 5.2 Температурные зависимости постоянной Холла и параметров образцам Кл, мм В с Концентрацию носителей заряда и холловскую подвижность рассчитывать по формулами. Температурные зависимости
    ( )
    ln
    1
    n
    T
    и
    ( )
    1
    H
    T
    µ
    представить графически. По кривой
    ( )
    ln
    1
    n
    T
    определить энергию активации образования носителей заряда в исследованном полупроводнике. Очевидно, что это возможно только при условии, когда exp
    2
    E
    n
    kT









    . Тогда
    ( )
    ln
    2
    ,
    1
    n
    E
    k
    T
    δ
    ∆ =
    δ
    где постоянная Больцмана k = 8.617 · 10
    –5
    эВ.
    5.6. Требования к отчету Отчет о работе должен содержать
    1. Цель работы и схему измерений.
    2. Таблицы с результатами измерений и вычислений.
    3. Графики зависимостей
    ( )
    H
    R
    f B
    =
    ,
    ( )
    ln
    1
    n
    f
    T
    =
    и
    ( )
    1
    H
    f
    T
    µ =
    4. Результаты расчетов концентрации носителей заряда и их подвижностей, энергии активации термогенерации равновесных носителей заряда
    E

    5. Критическую оценку полученных результатов.
    5.7. Контрольные вопросы
    1. В чем состоит сущность эффекта Холла
    2. Тензором какого ранга является постоянная Холла

    78 3. Какие электрофизические параметры полупроводников можно исследовать с помощью эффекта Холла
    4. Почему под действием силы Лоренца электроны и дырки в эффекте Холла отклоняются в одну сторону
    5. Что такое подвижность носителей заряда и как определить доминирующий механизм рассеяния их в кристалле Список литературы

    Глинский Г. Ф. Полупроводники и полупроводниковые наноструктуры симметрия и электронные состояния. СПб.: Изд-во «Технолит», 2008. 324 с.
    Киреев ПС. Физика полупроводников. М Высш. школа, 1975.

    79 СОДЕРЖАНИЕ Лабораторная работа 1. Исследование зонной структуры кристаллов ....................................................... 3 Лабораторная работа 2. Исследование собственного поглощения полупроводников ............................ 20 Лабораторная работа 3. Исследование линейного электрооптического эффекта в кристаллах фосфида галлия .............................................................................. 44 Лабораторная работа 4. Исследование тензоэффекта в кремнии .............................................................. 58 Лабораторная работа 5. Исследование эффекта Холла в полупроводниках ............................................ 67

    80
    Виолина Галина Николаевна
    Глинский Геннадий Федорович Зубков Василий Иванович Оптические и кинетические явления в твердых телах Лабораторный практикум Редактор ТА. Лунаева
    –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– Подписано в печать 13.07.2010. Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная. Печать офсетная. Печ. л. 5.0. Гарнитура «Times New Roman». Тираж 170 экз. Заказ .
    –––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
    197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
    1   2   3   4   5   6   7   8   9


    написать администратору сайта