Конспект лекций Электронная техника. Конспект лекций по дисциплине электронная техника специальности автоматизация технологических процессов и производств

• Название: Конспект лекций по дисциплине электронная техника специальности автоматизация технологических процессов и производств
• Анкор: Конспект лекций Электронная техника.docx
• Дата: 14.04.2018
• Размер: 3.06 Mb.
• Имя файла: Конспект лекций Электронная техника.docx
• Тип: Конспект лекций; #18060
• страница: 6 из 14

Лекция 8 Полевые транзисторы. Устройство, типы, обозначения.

Цель обучающая:

1. 
   Усвоение обучающимися знаний по теме урока.
   

Цель развивающая:

1. 
   Развитие аналитического, синтезирующего и абстрактного мышления, умений применять знания на практике.
   
2. 
   Развитие умений учебного труда, инициативы, уверенности в своих силах.
   
3. 
   Развитие умений действовать самостоятельно.
   

Цель воспитательная

1. 
   Стремиться воспитать чувство аккуратности.
   
2. 
   Способствовать воспитанию чувства гордости за избранную профессию.
   
3. 
   Умению управлять эмоциями, бережного отношения друг к другу.
   

Тип урока: Урок изучения нового материала и первичного закрепления

Средства обучения: Вербальные: голос, речь, учебная литература, проектор.
Ход урока

1. 
   Организационный момент:
   
   1. 
      Проверка состояния аудитории, внешнего вида студентов.
      
   2. 
      Наличие бейджей, учебных принадлежностей: ручки, тетради.
      
   3. 
      Присутствие студентов на занятии.
      
2. 
   Опрос или тестирование.
   
3. 
   Выдача нового материала:
   
   1. 
      Фотоэлектрические датчики: назначение, основные параметры.
      
4. 
   Закрепление.
   
5. 
   Домашнее задание.
   
6. 
   Итог урока (Рефлексия). Проверка выполнения работы. Выставление оценок.
   

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля.(в биполярных выходным ток управляется входным током)

Различают два типа полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором.
Устройство полевого транзистора



Рисунок Схематическое изображение структуры полевого транзистора с управляющим переходом и каналом p-типа.

Условное графическое изображение:



А) Б)

Стрелка указывает направление от слоя p к слою n (как и стрелка в изображении эмиттера биполярного транзистора). В интегральных микросхемах линейные размеры транзистора могут быть меньше 1мкм.

Удельное сопротивление слоя n (затвора) намного меньше слоя p (канала), поэтому область p-n перехода, обедненная подвижными носителями заряда и имеющая очень большое удельное сопротивление, расположена главным образом в слое p.

Если типы проводимости слоев полупроводника в рассмотренном транзисторе изменить на противоположные, то получим полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа (условное изображение на рисунке б )

Подадим положительное напряжение между затвором и истоком транзистора с каналом p-типа. Оно сместит p-n переход в обратном направлении.

При увеличении обратного напряжения на p-n переходе он расширяется в основном за счет канала. Увеличение ширины p-n перехода уменьшает толщину канала, и следовательно, увеличивает его сопротивление. Это приводит к уменьшению тока между истоком и стоком. Именно это явление позволяет управлять током с помощью напряжения и соответствующему ему электрического поля. Если напряжение истока- достаточно велико и равно напряжению , канал полностью перекрывается областью p-n перехода.

В рабочем (неаварийном) режиме p-n переход должен находится под обратным или нулевым напряжением. Поэтому в рабочем режиме ток затвора равен нулю , а ток стока примерно равен току истока